电子元器件介绍.ppt

1、电子元器件是各类电子产品的核心组成部分，掌握电子元器件的相关知识是学习电子技术的一个重要部分，了解电子元器件更是我们用好ICT不可缺少的一个重要组成部分。,本单元主要介绍,电阻（普通电阻、敏感电阻、电位器） 电容 电感（变压器） 二极管（稳压、恒流、变容、发光） 三极管 可控硅,第一节 电阻,电 阻 分 类,1、线绕电阻：通用线绕电阻、精密线绕电阻、大功率 线绕电阻、高频线绕电阻。 2、薄膜电阻：碳膜电阻、合成碳膜电阻、金属膜电阻、金属氧化膜电阻、化学沉积膜电阻、玻璃釉膜电阻、金属氮化膜电阻。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻、有机合成实心碳质电阻。 4、敏感电阻：压敏电阻、热敏电阻、光敏

2、电阻、力敏 电阻、气敏电阻、湿敏电阻。 5、网络电阻(阻排) 6、表面安装电阻(无引线电阻、片状电阻、贴片电阻) 7、保险电阻,1、标称阻值： 电阻器上面所标示的阻值。 允许误差 系列代号 标称阻值系列 20% E6 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 10% E12 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 5% E24 1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 1% E96 (

3、略） 2、允许误差： 标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下： 0.5% - 005、 1%-01(或00）、 2%-02(或0）、 5% -级、 10% - 级、 20% - 级,主要特性参数,3、额定功率： 在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为5570的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。线绕电阻器额定功率系列为（W）： 1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为（W）： 1/20、1/8、1/4、

4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 4、温度系数： 温度每变化1所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。,快速识别色环电阻,网络电阻（排电阻）特点,排电阻也叫集成电阻，排电阻适合多个电阻阻值相同，而且其中的一个引脚都连在电路的同一位置的场合，排电阻的公共引脚通常有一标志白点。排电阻比分立电阻体积小，安装方便，但价格也稍贵。 排电阻内部电路连线方式很多使用时一般先确认第一脚标记点，再使用万用表测量明确连线方式再进行使用（或测试）。,固定电阻器的检测 将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为

5、了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的2080弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有5、10或20的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。 注意：测试时，特别是在测几十k以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。 2. 熔断电阻器

6、的检测 在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。,检测方法与经验,3.电位器的检测 检查电位器时，首先要转动旋柄，看看

7、旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。A用万用表的欧姆挡测“1”、“3”两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。B检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测“1”、“2”(或“2”、“3”)两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“1”的位置，这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐渐增大，表头中的指针应平稳移动。当轴柄

8、旋至极端位置“3”时，阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。,4.压敏电阻的检测 用万用表的R1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。 5. 光敏电阻的检测A用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。 B将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小。此值越小说明光敏电阻性能越好

9、。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。 C将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。,第二节 电 容,电 容 分 类,根据结构可分为：固定电容器和可变电容器两大类。 其中固定电容器又可根据其介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。,主要特性参数,标称容量：电容器产品标出的电容量值

10、。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在5000pF以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在0.005uF1.0uF）；通常电解电容器的容量较大。 单位是法拉（F）1F=106uF=109nF=1012pF 精度等级与允许误差：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、 -（+20%-30%）、-（+50%-20%）、-（+100%-10%）一般电容器常用、级，电解电容器用、级，根据用途选取。 额定电压：在规定的工作温度范围内，电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大

11、值不能超过电容的直流工作电压值。常用的固定电容工作电压有 6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、2500V、400V、500V、630V、1000V。 损耗角：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。在实际应用中电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻（RS)，对于电子设备来说，要求RS愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角要小。这个关系为：tg=2fC RS 。因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大而影响寿命。 使用寿命：电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。

12、绝缘电阻：直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量0.1uF时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。,常用电容的几项特性,电容的特点,1。它是一个储能元件。 2。它两端的电压不能突变。 3。它能通过交流电，隔离直流电。 4。容量越小的电容器越能通过高频的信号；电容量越大的电容器，对低频信号所厂生的容抗就越小。 5。选择使用电容器时，电容器的耐压，必须是它使用电压的1.4倍。,电容器检测的一般方法,电解电容器的检测A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，147F

13、间的电容，可用R1k挡测量，大于47F的电容可用R100挡测量。B将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百k以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。C对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小

14、，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。 D使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。,第三节 电感,电感分类,按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。,主要特性参数,1、电感量 电感量表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，

15、而以特定的名称标注。 L的基本单位为H（亨），实际用得较多的单位为mH（毫亨）和H（微亨），其换算关系是：1H103mH106H 2、感抗电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2fL3、品质因素Q品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R。 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在

16、使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好,电感用途,基本作用：滤波、振荡、延迟、陷波等 形象说法：“通直流，阻交流” 细化解说：在电子线路中，电感线圈对交流有限流作用，它与电阻器或电容器能组成高通或低通滤波器、移相电路及谐振电路等；变压器可以进行交流耦合、变压、变流和阻抗变换等。,电感器的检测方法,将万用表置于挡、红、黑表笔各任接电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动，根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行鉴别。 被测电感器电阻值太小，说明电感器内部线圈有短路性故障，注意测试操作时，一定要先认真将万用表调零，并仔细观察针向右摆动的位置是否确实到达零位，以免造成误判，当怀

17、疑色码电感器内部有短路性故障时，最好是用挡反复多测几次，这样才能作出正确的鉴别。 被测电感器有电阻值，色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线线径、绕制圈数有直接关系，线径越细，圈数越多，则电阻值越大，一般情况下用万用表挡测量，只要能测出电阻值，则可认为被测电感器是正常的。 被测电感器的电阻值为无穷大，这种现象比较容易区分，说明电感器内部的线圈或引出端与线圈接点处发生了断路性故障。,1.通电后的导体产生的磁效应叫：电感。 2.电感器在电路中具有通直流阻交流的作用。 3.电感的阻交流作用-叫感抗；电感的电感量越大，对通过频率越高的交流电产生的感抗也就越大。 4.电感器通过电流时由于

18、电感自身电流变化而引起的感应电动势叫自感。 5.自感现象只发生在交流电路中，电路中如果是直流电，电感线圈中就不会产生感应电动势。 6.电感线圈产生的磁场对靠近的线圈产生的影响叫互感。 7.电感它是一个储能元件。 8.电感器的自感电动势趋于无穷大（理论上）。 9.电感器具有它自身的固有频率。,休息,第四节 二极管,二极管分类,从二极管的作用上分类可分为： 检波二极管、整流二极管、限幅二极管、调制二极管、混频二极管、放大二极管、开关二极管、变容二极管、肖特基二极管、稳压二极管；发光二极管； 从制作材料上可分为： 硅二极管和锗二极管。,基本特性,无论是什么二极管，都有一个正向导通电压，低于这个电压时

19、二极管就不能导通，硅管的正向导通电压在06V07V、锗管在02V03V，其中07V和03V是二极管的最大正向导通电压即到此电压时无论电压再怎么升高（不能高于二极管的额定耐压值），加在二极管上的电压也不会再升高了。上面说了二极管的正向导通特性，二极管还有反向导通特性，只是导通电压要相对高出正向许多，其它的和正向导通差不太多。稳压二极管就是利用这个原理做成的，但由于这个理论说下去可能篇幅会太长，所以只做简介，您只要记住反向漏电流越小就证明这个二极管的质量越好，质量较好的硅管在几毫安至几十毫安之间、锗管在几十毫安至几百毫安之间。,主要特性参数,1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的

20、最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN40014007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 3、反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值

21、得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。,测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1K档位（注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管），再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。 1、正向特性测试 把万用表的黑表笔（表内正极

22、）搭触二极管的正极，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 2、反向特性测试 把万且表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。,二极管的检测方法,第五节 三极管,三极管 分类,（一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。 按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PnP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PnP型

23、晶体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶

24、体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。,主要特性参数,（一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或表示。 2交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量IC与基极电流变化量IB的比值，一般用hFE或表示。 （二

25、）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。,（三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1

26、特征频率fT：晶体管的工作频率超过截止频率f或f时，其电流放大系数值将随着频率的升高而下降。特征频率是指值降为1时晶体管的工作频率。通常将特征频率fT 小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT 大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2最高振荡频率fM ：最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率f，而特征频率fT 则高于共基极截止频率f、低于共集电极截止频率f。 （四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过I

27、CM 时，晶体管的值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。,（五）最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极发射极反向击穿电压、集电极基极反向击穿电压和发射极基极反向击穿电压。 1集电极发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2集电极基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3发射极基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO

28、或BVEBO表示。 （六）反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极基极之间的反向电流ICBO和集电极发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1集电极基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2集电极发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好,用万用电表检测三极管,三极管基极的判别：根据三极管的结构我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换，总