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1、,电的产生:物质由分子组成，分子由原子组成，原子由原子核及核外电子组成，原子核则由中子及质子组成，质子带正电，核外电子带负电，通常情况下,原子核外的电子被原子核内的质子吸引在原子核外层运动,不显示电性,当外界作用下，带负电的电子移动到另一物质上,电子进行定向移动，从而形成电流。 电流:电子的定向移动,就形成了电流.分为交流电流和直流电流. 电压:两物质上,产生的正负电性就形成了电压.分为交流电压和直流电压. 电路:电流所流经的路,由四部分组成:电源,导线,开关,负载组成.按功能电路可分为模拟电路,数字电路和脉冲电路.状态可分为开路,短路,通路. 欧姆定律 1定义：在电路上，有电压加上时，即有电

2、流流动，在这电路上流动的电流和叫压成正比，和电路上的阻抗成反比，称之为欧姆定律 2 公式：I=U/R 3 电压、电流、电阻单位 3.1电流（I）单位安培（A） 3.2电压（V ） 单位伏特（V） 3.3电阻（R）单位欧姆（）,常用名词解释,电的产生:物质由分子组成，分子由原子组成，原子由原子核及核外电子组成，原子核则由中子及质子组成，质子带正电，核外电子带负电，通常情况下,原子核外的电子被原子核内的质子吸引在原子核外层运动,不显示电性,当外界作用下，带负电的电子移动到另一物质上,电子进行定向移动，从而形成电流。 电流:电子的定向移动,就形成了电流.分为交流电流和直流电流. 电压:两物质上,产生

3、的正负电性就形成了电压.分为交流电压和直流电压. 电路:电流所流经的路,由四部分组成:电源,导线,开关,负载组成.按功能电路可分为模拟电路,数字电路和脉冲电路.状态可分为开路,短路,通路. 欧姆定律 1定义：在电路上，有电压加上时，即有电流流动，在这电路上流动的电流和叫压成正比，和电路上的阻抗成反比，称之为欧姆定律 2 公式：I=U/R 3 电压、电流、电阻单位 3.1电流（I）单位安培（A） 3.2电压（V ） 单位伏特（V） 3.3电阻（R）单位欧姆（）,近代科学进一步揭示出原子核内部的质子带正电荷，核外电子带负电荷。,原子,原子核,电 子（带负电）,质 子（带正电）,中 子（不带电）,7

4、.物体不带电的原因,通常情况下，原子核内的正电荷跟核外电子所带的负电荷的总量相等，整个原子不显电性，是中性的。,本来是中性的原子，当它失去一个或几个电子时，核外电子总共带的负电荷比原子核的正电荷少，它就显示带正电。,+4,-1,-1,-1,-1,物体带正电的原因,+4,-1,物体带负电的原因,本来是中性的原子，当她跟多余的电子结合在一起时，核外电子总共带的负电荷比原子核的正电荷多，它就显示带负电。,-1,-1,-1,-1,-1,第一章 - 電阻,1.什麼是電阻 電子在導體中流動時,所受到之阻力稱為電阻. 電阻符號用“R”表示,單位: (歐母), 圖型: 1M =1000K =1000000 =

5、1000000000m 2.電阻分類 A.按功率分類: 1/8W , 1/6W , 1/4W , 1/2W , 1W , 2W , 3W , 4W . 3.电阻的种类有很多，常见的几种有 色环电阻、贴片电阻和水泥电阻等等。 4.电阻的作用。 电阻的作用有限流、分压、发热。,第二章 - 電阻3,色環電阻 A. 4色環電阻 顏色 第一環 第二環 第三環 第四環 黑 X 0 0 X 棕 1 1 1 X 紅 2 2 2 X 橙 3 3 3 X 黃 4 4 4 X 綠 5 5 5 X 藍 6 6 6 X 紫 7 7 7 X 灰 8 8 8 X 白 9 9 9 X 金 X X -1 5 銀 X X -2

6、10 電阻值 = 第一環(十位數)第二環(個位數) *第三環(10的指數) 第四環(此電阻的正負百分誤差),11*10=1105%,第二章 - 電阻4,A. 5色環電阻 顏色 第一環 第二環 第三環 第四環 第五環 黑 X 0 0 0 X 棕 1 1 1 1 1 紅 2 2 2 2 2 橙 3 3 3 3 3 黃 4 4 4 4 4 綠 5 5 5 5 5 藍 6 6 6 6 6 紫 7 7 7 7 7 灰 8 8 8 8 8 白 9 9 9 9 9 金 X X X -1 X 銀 X X X -2 X 電阻值 = 第一環(百位數)第二環(十位數)第三環(個位數) *第四環(10的指數) 第五環

7、(此電阻的正負百分誤差),110*1=1101%,四色环电阻五色环电阻的识别,4、色环电阻识别色标表,电阻分类,电阻的分类；常见的分类主要是按材料、结构和用途 A线绕电阻：将发热线（发热丝、发热片）绕在绝缘基体上。 B薄膜电阻：在绝缘基体上镀上各种导电薄膜（最常用） C实心电阻：整个材料基体参于阻碍导电（少用） D敏感电阻：特殊材料和工艺制成，阻值易随环境改变而变化。 另外，电阻还可以分为：普通电阻、精密电阻；小功率电阻、大功率电阻；立式电阻、臣式电阻；固定电阻、可变电阻等等；还有无感电阻、组合电阻、排式电阻等。,特殊电阻,1.热敏电阻 热敏电阻：电阻值随着环境温度的变化而发生明显变化，并且成

8、一定比例对应关系 A正温度系数 B负温度系数 2.光敏电阻 光敏电阻：随着环境光照的变化而发生明显变化,压敏电阻 自恢复保险丝,電阻注意事項 a.通常2W以下的電阻是用色環標示阻值的,2W以上是直接書寫 出其額定電阻值的. b. 通常功率越大其體積越大,若是小形化電阻就不好從體積上識 辯,在使用時一定要注意其標示規格的額定功率. c.通常5色環電阻是要比4色環電阻要精密的,其誤差差異要看它 們的最后一色環. d.SMD電阻因體積太小無法標色環,故直接將色環的對應數值標 示上去,其讀值方式:(指數標示法) 如 5%誤差 1%誤差 =22*10 =220*10 =2200 =2200 =2.2K

9、=2.2K ,222,2201,（二）电容器 定义：用来表征电容器储存电荷的本领的物理量。 1种类 按极性可分为有极性电容和无极性电容。 有极性电容：纸质电解电容，铝电解电容和钽质电解电容(钽Tan：一种非常坚硬、密度很大的灰色金属元素，在摄氏150度以下能抗化学物质的强腐蚀。) 无极性电容：陶瓷电容(又称瓷片电容)，唛拉电容，金属化聚乙酯膜电容器，云母电容等,涤纶电容，CBB电容 。,电解电容,陶瓷电容,Mylar电容,4.电容的符号,单位换算,5.电容单位 1法拉（F）=1000000微法拉（UF） 1微法拉（UF）=1000000微微法拉（PF） 6.电容器的耐压 电容器上标明的耐压值都

10、有是指直流电压，用在交流电路中则应注意所加的交流 电压最大值（峰值）不能超越电容器上所标明的电压值。,7.串联、并联的容值计算 A并联：C=C1+C2+C3 B串联：1/C=1/C1+1/C2+1/C3,电容的标枳,9.电容的标枳 A直标法：用数字和单位直接标出，如0.1UF表示0.1微法拉，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法拉。 B文字符号法：用数字和文字符号有规律的组合来表示容量，如P10表示10PF，6P8表示 6.8PF. C色标法：用色环或色点来表示电容器的主要参数，电容的色标法与电阻的相同。 D电容器的偏差标志符号：+100%-0H、+100%-10%R、+50%

11、-10%T、+30%-10%Q +50%-20%S、+80%-20%Z,注意事项,10.注意问题 A容量误差不可过大，特别是谐振回路的电容。 B可变电容器动片组接地。 C不同特性的电容不可随意替换，例如低频涤纶电容不能用于高频电路。 D有极性的电解电容器不可以接反。 E电容两端的电压（包括脉冲电压）不应高于电容器的额定直流工作电压。 F绝缘电阻小的电容不能使用。,二极管,三、二极管 1.二极管分类；按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光等。 2.正向特性：正向电压达到某一数值（这一数值称为“

12、门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”,二极管特性,3.反向特性：二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。,普通二极管 稳压二极管(ZD) 发光二极管(LED) 肖特基二极管,测试二极管,4.测试二极管的好坏：测试前先把万用表的转换开关拨到二极管档位，再将红、黑两根表笔分别测试二极管的两个引脚。如果没有显示数字就表明测反了

13、。有数字显示（150-850）表明是良品。 A正向特性测试：把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 B反向特性测试：把万且表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。,半导体二极管结构,三极管,四、三极管 1晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。 2硅晶体三极管和锗

14、晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。3晶体三极管的电流放大作用4晶体三极管的三种工作状态： 截止状态、放大状态、饱和导通状态,三极管分类,三极管 NPN 型 PNP型 B C B C E E,1. NPN 型三极管,集电区,集电结,基区,发射结,发射区,N,N,集电极C,基极B,发射极E,三极管的结构 分类和符号,P,第1章 1.5,N型硅,N+,P型硅,1.1 半导体三极管的结构,（a） 平面型,半导体三极管,第1章 1.5,集电区,集电结,基区,发射结,发射区,C,B,E,N,集电极C,发射极E,基极B,N,P,P,N,2. PNP型三极管,第1章 1.5,IC,N,P,N,三极管的

15、电流控制原理,第1章 1.5,VCC,RC,VBB,RB,C,B,E,EC,RC,IC,UCE,C,E,B,UBE,共发射极接法放大电路,1.2 三极管的电流控制作用,三极管具有电流控 制作用的外部条件 :,（1）发射结正向偏置 （加正向电压）；,（2）集电结反向偏置 （加反向电压）。,第1章 1.5,EB,RB,IB,EC,RC,IC,UCE,C,E,B,UBE,共发射极接法放大电路,1.3 三极管的电流控制作用,三极管具有电流控 制作用的外部条件 :,（1）发射结正向偏置；,（2）集电结反向偏置。,对于PNP型三极管应满足:,公 共 端,第1章 1.5,EB,RB,IB,IE,即 VC V

16、B VE,UBC 0,UBE 0,半导体三极管,五、MOS场效应管,一、MOS场效应管MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感应措施。,结构示意图,5.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管,五.一 绝缘栅场效应管,1. 结构和符号,第1章 1.6,结构示意图,耗尽层,S,G,D,UDS,ID = 0,D与

17、S之间是两个 PN结反向串联， 无论D与S之间加 什么极性的电压， 漏极电流均接近 于零。,2. 工作原理,(1) UGS =0,第1章 1.6,P型硅衬底,N,+,+,B,S,G,D,。,耗尽层,ID = 0,(2) 0 UGS UGS(th),由柵极指向衬底方 向的电场使空穴向 下移动,电子向上移 动,在P 型硅衬底的 上表面形成耗尽层。 仍然没有漏极电流。,UGS,N+,N+,第1章 1.6,UDS,P型硅衬底,N,+,+,B,S,G,D,。,耗尽层,栅极下P型半导 体表面形成N型导电 沟道，当D、S加上 正向电压后可产生 漏极电流ID 。,(3) UGS UGS(th),N+,N+,第

18、1章 1.6,UGS,结构示意图,5.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管,P型硅衬底,源极S,漏极D,栅极G,衬底引线B,耗尽层,1. 结构特点和工作原理,N+,N+,SiO2,制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。,第1章 1.6,N型硅衬底,N,+,+,B,S,G,D,。,耗尽层,PMOS管结构示意图,P沟道,5.3 P沟道绝缘栅场效应管（PMOS）,PMOS管与NMOS管 互为对偶关系，使用 时UGS 、UDS的极性 也与NMOS管相反。,P+,P+,第1章 1.6,UGS,UDS,ID,1. P沟道增强型绝缘栅场效应管,开启电压UGS(th)为 负值，UGS UGS(th) 时导通。

19、,2. P沟道耗尽型绝缘栅场效应管,夹断电压UGS(off)为 正值， UGS UGS(off) 时导通。,第1章 1.6,在UDS =0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。,5.4 绝缘栅场效应管的主要参数,1. 开启电压UGS(th),指在一定的UDS下，开始出现漏极电流所需的栅源电 压。它是增强型MOS管的参数，NMOS为正，PMOS为负。,2. 夹断电压 UGS(off),指在一定的UDS下，使漏极电流近似等于零时所需的 栅源电压。是耗尽型MOS管的参数，NMOS管是负值， PMOS管是正值。,3. 直流输入电阻 RGS（DC）,4. 低频跨导 gm,UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的 栅源电压的微变量之比称为跨导,即,第1章 1.6,（三）电感 1.电感器和电容器一样，也是一种储能元件，它能把电能转变为磁场能，并在磁场中储存能量。电感器用符号L用字母L表示在电路中的符号为L 2.电感的单位最基本的单位为