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文档简介

1、光电激发简述,1,光电子能谱（）,发射光电子能量分部曲线 Ip+Is Ip ：未受到非弹性散射的电子 Is ：受到散射作用的二次电子 Ip=P*T*D P:原始激发光电子 T：传输函数 D：逃逸函数,2,三步模型,1.光电子激发：将电子从初态激发到非占据的终态 2.传输过程：被激发光电子从终态传输到样品表面 3.逃离过程：穿过表面势垒,3,光激发过程P, 被激发光子动能 入射光子能量 为费米能级与电子初态能级差 此过程对电子能谱的Ip结构起主要决定作用,4,传输过程,定义定义 为电子的平均自由程或逃逸深度， 衰减长度L：光线性吸收系数的倒数 光的传输函数 ： T（电子平均自由程/衰减长度） 在

2、光激发深度为L的范围内，只有离表面距离小于 时才能无碰撞达到固体表面 T不对光电子的能量分部曲线的表达式引入特殊结构,5,平均自由程,其一：主要由两种作用使光电子传输过程受到散射影响其 逃逸深度 .电子与电子相互作用 受晶格振动影响产生电子声子散射（电子能量较低） 其二：与电子能量有关，总体有一个随着电子能量增加平 均自由程先减小后增大的形式 原因：光电子会引起等离子激元的激发而损失能量,6,平均自由程普适曲线,等离激元振荡频率主要由金属中自由电子的密度决定，不同金属大致相同。,7,逃逸过程,逃逸函数可表为阶跃函数 （） （） 也不会对光电子能谱引入特殊结构 由于决定的三个函数中的，对光电子能谱的结构影响不大，故结构主要由原始激发过程决定的,8,光电子能谱是以光电发射的基本原理作为基础的。 光电子能谱研究的主要是那些未发生非弹性碰撞的光电子。收集出射电子 得到光电子能谱。利用能量守恒关系式通过末态电子能量可得 知初态电子信息,9,影响能谱结构因素 .电子初态结构 电子各个占据态在受激发后到达真空被收集，在能谱中表现出不同的能谱结构。 .入射光子能量 入射光子能量较小时，价带中只有部分能态电子能直接跃迁出。 入射光子能量较大时，结构中的任一初态电子均能有足够能量跃迁到末态，可将末态电子看成近自

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