术语整理.ppt

1、1,术语整理,2,VI,1. 工程术语解释,V,IV,III,1. 基本术语,I,II,术 语,解 释,Abort ( 中止 ),Agent（代理）,Air Shower（气浴）,Accuracy ( 精确性，正确度 ),Ball Valve,Adjust ( 调试 ),Back Rinse ( 背面漂洗 ),Axis ( 轴 ),B.M( Breakdown Maintenance ),Back side,Bake（烘干）,Bay,Beam（束）,过程进行中 因M/C 异常等原因 中止过程,代替外国 M/C Maker ，维护M/C和 trouble shooting等服务的人员,为保持fa

2、b內 清洁度，以 P/T减少的方法 ，从Class低处到高处， 从Classs,低处移到高处时用 Air清除 P/T的场所,在Photo 工序和设备中常用的术语，表现为 Alignment Accuracy, Stepping Accuracy等,显示移动的正确距离或显示正确值。,各种设备右 BOARD等中 为达到机械性或电气性的理想值或某种状态，进行调试,机械上指旋转部位的中心部分，光学上指 几个或数十个圆形的透境组合成为群体时,透境 的中心部分为基准，此基准称为光轴,M/C 发生问题后采取的 Maintenance（保养）.,TRACK设备中Glass涂抹或 现场作业后，为清除背面的异物而

3、清洗的过程,指Glass 的背面,为除去含在PR的潮气，用高温处理 Glass等,同时处理很多张 wafer形态,将Fab按工序分类指定的 区域,离子或电子得到 能量 ( 电场，磁场 ) 以高密度在空气中飞行时生成地移动路径,为防止Pump exhaust部向 pump回流， valve内部有胶类球体的管,Batch（批）,3,VI,V,IV,III,I,II,Bipolar（双极）,Bottle Neck ( 瓶颈现象 ),Capa (能力）,Charge（充电）,Chiller（冷却器）,Clean Mat（清洁垫）,Clean Room ( 无尘室 ),Collector（集电极）,Co

4、ntrol Rack（控制架）,与单极相反的意思， 移动电荷的 carier，由 electon和 hole同时分担作用,一般指 Booster pump，为增加 pump speed 辅助使用的 pump, 不能单独使用,因备用设备不够使 run密集的现象,M/C 使用各调校 reference值变化,Capability的简写，指处理能力.,储存电子的元件. Memory中组合多个Capacitor的 data来储存,为防止Glass之间的接触， 有槽位的 Glass保管容器,储存电荷,调节冷却水温度的装置,用于无尘室，为除去鞋底微粒而设置的带粘性的垫子,抑制微粒的发生，利用过滤器消除发生

5、的P/T，达到几乎无尘的封闭的空间,Tr中接收电子的部分,聚集Controller的架子,Chemical Vapor Deposition的简写，需要沉积的物质用高温蒸发到 Glass上沉积,后产生 thin film（薄膜）的方法,Booster（调压器）,为减小受力部位的磨擦，能顺畅地转达动力而设置 ( Ball Bearing Air Bearung ),向Cryo pump里输入压缩的 He降低 Cryo pump內温度的装置,Fab內使用的 不产生微粒的 纸做的 Note,Memory的基本单位 (1Byte=8bts ),Bit,Capacitor（电容器）,Compressor

6、（压缩机）,CVD ( 化学性气体附着 ),Critical Dimension ( CD ),指Photo工序中 Reticle的Pattern爆光于 Glass，再显影后的线或Pattern的宽或长度,Bearing（轴承）,Calibration（校正）,Cassette（盒子）,Clean Note ( 无尘 笔记),1. 工程术语解释,术 语,解 释,4,VI,V,IV,III,I,II,ELLIPSO METER,EEPROM（只读存储器）,Halation （晕光）,Ion Gauge（离子测量）,LOT,Mono Meter,O - Ring,Metal Etch,MOS （金

7、属氧化物半导体）,测氧化物厚度的装置,Tr中发射电子的部分,被蚀刻的速度,发生问题时掐断 M/C 的 开关,电可擦除只读存储器,带+电荷，与 电子一起移动电荷的粒子,也叫刻凹痕现象，在SD或 METAL LAYER等 photo工序中出现，根据下面pattern的反射，,使上面的pattern 两边刻蚀的现象,原子或分子带电荷的状态,把分子或原子变成离子后检查其内部粒子的 Vacuum gauge（真空测量）的一种,Glass的工序单位,测量exhaust（排气）压力的装置,刻蚀Metal line以外的工序,Metal Oxide Semiconductor的简写，具有在半导体 ( Si )

8、表面生成氧化膜 ( SiO)，在其上,粘上金属的结构.,也叫NAMING设备，形成 LOT名和 Glass 号的设备,Deposition ( 沉积 ),CD BAR 或 CELL部分用 CD SEM测试管理的参数.,把物质附着在 wafer（晶片）表面,Mass flow controller的简写，调节流体流量的装置,除了必要的部分外，刻掉其余的部分的工序,ETCH ( 蚀刻 ),ION ( 离子 ),MFC,MARKER（记号器）,Vacuum sealing部分使用的胶质的环,EMITTER（发射极）,ETCH Rate (蚀刻速度 ),Emergency ( 紧急情况 ),Hole

9、( 电孔),Metal Contamination ( 金属污染 ),构成M/C的金属部分 sputtering（飞溅）到 Glass中沉积，对 device产生不良影响,1. 工程术语解释,术 语,解 释,5,VI,V,IV,III,I,II,Pattern,PPT,Reliability ( 可靠性 ),SEM,Russel Lot,Scrubber,Torr（托）,Silicon（硅）,Mask中被 设计的 Device的形态,指定蚀刻部位或离子周围， 为保护一定部位做 Mask的工序,用显影液减弱Photo resistor后 用化学药品除掉,百万分之一 ( Part Per Mill

10、ion ),万亿分之一 ( Part Per Trillion ),加工单结晶的水晶做成的无污染的 Glass处理 部分,完成的 Glass可靠性,同一方法产生的结果的类似性,Read Only Memory简写，是只读存储器的意思. 指存储的内容已定, 不能用计算机进行对其内容,删除或变更的存储器.,试生产 lot,中和或去除有毒物质的装置,TV式扫描，在其过程中检测和观察产生的2次电子，反射电子或样品电子,Si, 4介元素，是半导体的主原料,利用启动生产， 检测 M/C的方法,为防止channel现象，给晶片一个角度,P/R,起绝缘或保护 Device的氧化膜,Photo resistor

11、的简写，是一种感光液,显示M/C状态的灯,Scanning Electron Microscop的简写，指扫描形电子显微镜. 由电子束对样品的表面进行,part per billion的简写，表示10亿分之一,PR Strip,Repeatability ( 重现性 ),Signal Tower（信号塔）,Split 分裂,Tilt（倾斜）,真空的单位,Oxide ( 氧化膜 ),Photo,PPb,PPM,Quartz ( 石英 ),ROM（只读存储器）,1. 工程术语解释,术 语,解 释,6,VI,V,IV,III,I,II,Vapor ( 汽化 ),使固体蒸发,利用化学药品的蚀刻方法.,

12、Up Time,利用超声波的清洗工具,M/C 运行时间,湿蚀 刻进行的场所,WET Station,Ultra Sonic 清洗器( 超声波清洗器）,WET ETCH ( 湿蚀刻 ),1. 工程术语解释,术 语,解 释,7,VI,V,IV,III,2. 工程 术语,Full Name,Active Depo,Adhesion,喷银（Ag）,A.G.V,Air Knife,Align,Alignment,Alloy（合金）,AM LCD,Anilox roll,Annealing,ANODIZING,APCVD,Active Matrix Liquid Crystal,Display,Atmos

13、pheric Pressure CVD,在真空状态下SiNx, a - Si:H, n+Si:H 3种物质连续沉积,Metal ( Glass ) 上 PR 能够附着的力量.,为使TFT和 C/F 基板之间的相互导电，用注射器将银Ag点到C/F 基板上,自动输送装置,一种干燥方法，把高压气体喷到基板上清除液体. Aqua Knife,把物品排列到正确的位置上,排列,具有金属性质, 含2种或2种以上的化学元素, 并其元素中至少1种是金属。,指在各像素中形成的能动元素能够控制像素开关动作的液晶显示器。,能动元素主要由像二极管的两个电极或像三极管的三个电极的元素来组成,PI 印刷时 APR 胶板上涂

14、上Pi的圆柱形 滚筒,也叫退火, 为调节铁和钢的软化、结晶组织或消除内部应力，用适当的温度加热后,以下的温度后再缓缓地冷却,对金属表面强行进行电子氧化，表面形成氧化膜.,常压 ( 大气压 760mm Torr ) 的反应容器内利用简单热能引起的化学反应沉积薄膜的,方法.,Auto Guided Vehicle,缓慢冷却的操作. Glass 中为消除因施加的热冲击或压力产生的应力，加热到熔点,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,8,VI,V,IV,III,Full Name,APR胶棋板,Array,Ashing,Assembly,Auto Prober,Brush Gap,清洗的一种

15、方法， 在Glass 表面喷洒 DI Water 去除污染物质,Transistor,与Glass接触，将 PI涂到 Glass上的刻有Pattern 的胶质板,将TFT排列成Matrix状的像素集团. Array的 Size表现为 垂直排线数( 指Data线数,对应为水平像素数 ) 扫描线数 (指Data线数，对应为垂直像素数) = 总像素.,做D./E 之前利用 plasma 状态的 O2 Gas，将 残留 PR和 PR 外表面变成 CO2去除,Si 的结晶结构中将最无秩序的非晶质硅 ( a -Si )用于半导体层的薄膜晶体管( TFT ),a -Si TFT 在 TFT中使用最广. a-

16、Si TFT的特征是它的工序温度较低( 350 以下 ),可以将便宜的玻璃做为基板，工序简单，开关电流比高，关电流低，稳定性等优点,同时还有因它的移动度低引起W/L比增加，内部不能安装驱动电路，需要,Light Shield等缺点,Spacer 分布的 TFT 基板和 涂Ag 的 C/F 基板合在一起,对Panel施加电信号 ，检测Point Defect, Line Defect, 斑点等不良,材料用Cr金属 其膜可隔开光线，安装于 Color filter 基板. Black Matrix决定,Panel的开口率，对亮度产生重大的影响.,Glass和 Brush间的间距,DI 溶液中吹入空

17、气形成汽泡,与 Glass表面冲突来去除微粒的部分,Aperture,Ratio,指透光面积比上像素的总面积. 即对显示可贡献的面积比,开口率越大，像素面积增加，亮度也越好,区分良品和不良品. ( Cell 的最终检查 ),Aqua Knife,a -Si TFT,Amorphous Silicon Thin Film,Black Marix,BJ,Bubble Jet,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,9,VI,V,IV,III,Full Name,CCLS,CD,Cell,CCL,Chamber,Channel,Class,CLEANING,Coating,Contact (

18、Thruhol ),Critical Dimension,Critical Dimension,Center Control Limit,CELL 地区的 Stocker,线宽,由两个 Glass基板组成，并在其中间注入液晶的液晶显示元件的构成品,两个 Glass基板里边有构成像素的透明电极,在其上有一种排向膜，把液晶分子排成,同一方向. 能动行列液晶显示器是在下面基板有能动元素，它的二极管或三极管,形成在像素的侧面.彩色液晶显示器在上面基板中装有彩色Filter,使其能够显示彩色,Control Chart的中心值. ( UCL : 上限, LCL : 下限 ),设备中 按照工序条件形成的封

19、闭的空间,指Carrier移动的 a -Si 膜的 Source, Drain 之间的领域.,1CFM 内的 Particle 数 ( CFM : Cubic Feet per Minute, 1Feet=30.48Cm ),Glass表面的 Particle或有机物采用 DI Water, 超声波, 清洗剂和UV去除,常数. 具有一定值的数,指为连接积层的导电层，在绝缘物上钻的孔.,最大透光量与最小透光量的比 ( CR =最大透光量/最小透光量),将高温的 Glass用一定的温度冷却的Plate.,Carrier,Cell Clean Stocker,搬运器. 运送者 ( 个体 ).,( 日

20、本 SPC社的清洗设备的一部分),TCLS ( TFT 地区 ),CD Loss,Etch CD - Develop CD,与光反应的感光性树脂 用一定的速度均匀地涂到旋转的基板上形成薄膜,Constant,CR,Contrast Ratio,CP,Cooling Plate,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,10,VI,V,IV,III,Full Name,CSC,CSM,Data Line,Defect,Develop,Device,DI Water,Doctor roll,DOF,Domain,Dot,Clean Stocker Management,Clean Transf

21、er Vehicle,Deionized Water,Depth of Focus,Sub Pixel,顶棚运输装置,Clean stocker 管理,TFT基板内传达信号的排线, 连接到各像素的 TFT Source, Drain电极,缺陷. 像素单位的表示缺陷，典型出现在 Active Matrix方式. TFT基板或,Cell组装工序中如果进入灰尘等时破坏各像素的元素，导致接触不良,区分曝光的部分和遮光的部分的感光性树脂，用显影液去掉,产品名型号加工或组装完成的产品.,除去溶于水中的无机离子，用于清洗的除去离子水. 也叫超純水,深度,不良,3个 Dot (Sub Pixel )构成一个

22、Pixel. 从Drain电极接收的电子信号和上板之间的电位,差，来移动上下板之间的液晶.,PHOTO工序时因曝光引起一定领域Pattern移位形成的现象,Cross Talk,Clean Space Carrier,画质不良的一种,将 Window显示到画面时 Window的上下或左右方向的,Gray程度变化的现象.,因不均匀的 Rubbing, Array 表面的落差等液晶排列不均匀，与周围发生亮度差异的,接触到Anilox roll，在 Anilox roll均匀涂抹 PI的 Roller.,CTV,工序内运输装置,DR,Distortion Rectangular,I,II,1. 工程

23、术语解释,术 语,解 释,11,VI,V,IV,III,Full Name,DRY ASH,Dummy,ECN,Etch Depth,Exhaust,Exposure,Extension,FAB,Gate,Engineering Change Notice,除去PR 的 STRIP工序的辅助工序，是去除变质的 PR 表面的工序,施加高频, 是利用气体和基板上沉积物反应后变成挥发性物质的蚀刻方法,样本. 与实物相对应. 与生产Glass一起投入，为得到生产Glass 特性的均一性,用于了解设备特性的 Glass.,工序变更申请书,指Etch 工序中为得到正确的 Etch值，由 Sensor和So

24、ftware给定 Recipe值, 此时的时间值.,Etching深度.,排气.排出. 用溶剂消除药成分或排出GAS类.,曝光.所需的图案做成 Mask，利用光将 Mask形象移至涂到基板上的感光性树脂,增加. 扩充. 延长,( 半导体 )工厂,通过Gate Line传送的电子信号控制 S/D之间的电流.,TFT基板内各像素中接触 TFT Gate电极的排线.,分开半导体膜和Gate，使流向半导体膜的电流不流到 Gate电极,Drain,( 种类 : DR, MY ( magnification Y ), YAM, MX . ),TFT的形成频道部分的一个，与 Source成双.,指Coati

25、ng 不良， Panel上彩色的斑纹.,除去PR的部分，曝光后的沉积膜在低压（真空）状态下用 Plasma状态的气体,DRY-ETCH,EPD Time,End Point Detect,Fabrication,Fringe,Gate Line,GI,Gate Insulator,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,12,VI,V,IV,III,Full Name,Hard Bake,Grinding,HEPA /,ULPA filter,Hillock,Inspection,Interface,Insulator,Intensity,IPA,ITO,蒸发残留于PR中或 Develo

26、p 工序中渗透的溶剂，使PR和下边物质间更加紧密的,Isopropyl Alcohol,Indium Tin Oxide,用磨石对 Panel棱角 研磨30 40 左右, (去除 Shorting Bar),工序.,把Microglass Ulpa做为素材, 设计成从Class10 至100,000 符合Clean Room 用途,当绝缘体为 SiNx时，不能把 Al 做为Gate使用. 如果Al做为 Gate时，因应力集中，使,SiNx生长的现象. 为提高性质，现在以 Al Ta做为 Gate使用,用Anodizing对Al进行阳极氧化，可以缓解此现象.,检查工序前后确认 Glass状态，

27、直接检查，显微镜检查，SEM检查等,绝缘体,强度. Photo工序的暴光机中水银灯的亮度,异丙基乙醇. 用于擦拭设备和其它.,TFT 工序后检查 Panel的工序.,红外线. 比可视光波长短的光线,透明电极. 对液晶单元施加电流的电极，光学上具有透明的性质,一般液晶单元中使用 ITO( Indium Tin Oxide ). 透明电极同时做为电极和像素,所以应该是透明的, 对光的波长的分散也应该小,Glass Fiber 玻璃纤维,为保持Panel的外部间距，与 Seal剂混合使用的圆柱形塑胶材料,氧化两极而连接的 Gate Metal，为 IPT测试断开的工序.,界面，接触面，分界面,IPT

28、,In Process Test,IPT Etch,IR,Infra Red,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,13,VI,V,IV,III,Full Name,Layer,Lower Control Limit,LCD,Liquid Crystal Display ( 液晶显示器),LCL,Lead Time,Liquid Crystal ( 液晶 ),Line Defect ( 线缺陷 ),Life Time,M.G.V,Manual Guided Vehicle,修理TFT LCD概率上发生的线缺陷或点缺陷等显示上的缺陷的技术,可以截断断落部分民，相反可以连接断开的部分. 用

29、Laser可以截断有缺陷的排线,层 ex ) 多层构成的 TFT结构. Gate A/O S/D,两个 Glass基板之间 注入液晶物质, 从外部施加电压，利用其电、光学特性的显示,器具. 液晶显示器采用外部 射入的光线，这点与其它显示器不同. 液晶显示器的优点,是可做成小型,超薄型,消耗功率小.,管理表中管理下限. ( UCL : 管理上限 ),从开工起到第一个 Glass出来的时间. ( = TAT ),产品的寿命,驱动Panel时因 下板 Array的 Pattern间 Short( 短路 ) 和Open(开路 )，表现为线性,的不良.,流动性( Fluidity)和结晶(固)体的长距离

30、顺序 ( Long Range Order )等性质,属于液体和固体的中间状态.,最小生产单位 ( 一般 1 Cassette为 1LOT ),手压叉车. 工序中手动搬运 Cassette时使用.,保持各设备一直在规定的状态下运转.,为制成批量， 用各层别 画出电路图案的玻璃板，分为各 Pattern遮光部分和透光部分,负荷,Cyclohexane(环己胺）或乙烷和苯环直线连接的高分子化合物. 同时具有液体的,也可以对断开的排线局部性堆积金属来修理,Load,Lot,Laser Repair,Maintenance,Mask,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,14,VI,V,IV,

31、III,Full Name,MGV,Matrix,Misalign,M/S,n+ a -Si,NMP,Over Develop,Normally White mode,Operator,Over Etch,Pad,Particle,行列 . 对于只能表示极其限定的文字,数字的 Segment型, 为能够像CRT( 阴极管)一样,移动Cassette的手动移动叉车,Layer和 Layer之间的 Mismatch,清洗器中 做为去除污染的一种方法，采用超声波.,介于半导体膜和 S/D之间，加 Gate电信号时加快电流的作用,在纯 a -Si 中渗透很多正孔的 5价元素的物质,不良品,PI 印刷后

32、,为清洗 APR胶板使用的强碱性洗剂,液晶显示器中没有外部电压时呈现白色Mode,加上电压时变成黑色.,运转机器的人. 操作者.,指即使蚀刻完成后，也考虑到 Glass前面的薄膜厚度和蚀刻的均一性，再做一些蚀刻.,与 Under Etch 相反,压力单位 ( 1atm= 101,325 Pa = 760 mmHg = 760 Torr ),是Panel的外侧部分,是粘贴防静电电路和其余 Device IC部分.,TFT的制造装置或环境,材料中发生很多微粒( Particle),这些粘到 TFT基板时成为,缺陷的原因, 并降低收率. Particle可以是尘埃或反应生成物,也可以是基板或周边材料

33、,将Mask上的 Pattern移到 Glass上制作元件.,下部和上部 Mask层之间排列状态,显影时过多的显影导致 PR Pattern形成不全.,表现任一图像, 由X和Y的行和列编排组成图像的表示方法.,Overlay,Pa ( 帕 ),Manual Guided Vehicle,Mega - Sonic,NG,No Good,N-Methyl-2-Pyrrolidone,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,15,VI,V,IV,III,Full Name,Passivation,Partition,PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vaper De

34、position,Pixel ( 像表 ),PI,Point Defect ( 点缺陷 ),对完成的 TFT进行保护，防止外部的污染或破坏.,经过清洗去除的方法.,为分开相互不同的环境的 ( Glass 空调等 ) 墙壁或隔断,保管Panel Cassette的 Stocker. ( = Panel Clean Stocker ),Chamber 内注入沉积所需的气体,设定好一定的压力和基板温度,利用,RF ( Radio Frequency ) Power,将注入的 Gas分解为 Plasma 状态,在基板上沉积的工序.,TFT 工序中沉积和 的工序,将事先形成于 Photomask的 Pa

35、ttern转写到,Glass上,形成与 Mask Pattern相同 Pattern的工序.,由涂上Photo resist的涂PR 工序, 利用Mask选择性照射光线的暴光工序, 利用显影液将暴光的部分去除后形成 Pattern的显影工序来组成.,为排列液晶, 在Glass上印刷的有机高分子物质,Dots来组成. 从Drain电极收到的电信号和上板之间的电位差来移动液晶的作用.,指Panel 驱动时 1Pixel 或1个以上的 Pixel比周围的其它Pixel亮或暗的不良现象,- 亮点 ( Bright Point Defect ) : 比周围的其它 Pixel亮的Point Defect.

36、,的剥离物. 提高收率的方法有减少 Particle方法 ,还需要对粘贴的Particle,气体离子为中性状态, ( + )和 ( - )均匀状态 ( 原子核心与电子分离的气体状态),Picture Element的略语, 为显示颜色( Color ) 或 Gray Level (: R,G,B ),可以由更小的,向Clean Room 内输送材料或物品的通道.,Plasma,Pass Box,PCLS,PHOTO - LITHO - GRAPHY,Polyimide = 排向液,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,16,VI,V,IV,III,Full Name,Poly-Si T

37、FT,Pretilt Angle,PR,Pre Depo Cleaning,Photo Resist,PR Dispense,Protect PR,Poly-Si TFT是用多晶体硅代替 a-Si使用于半导体领域中. 具有内部可装有驱动电路,Purge Press,- 暗点 (Dark Point Defect ) : 比周围的其它 Pixel暗的 Point Defect.,移动性好, W/L 低, 不需要Light Shield等优点.,特别是,可装有驱动电路,使它的价格低,可做小型 Package.,还有可靠性和稳定性好,因此用于 Projection和小型的 View Finder中,

38、但是,高质量的多晶体膜的生长需要很高的温度,因此有碍于大型化,为快速扶起液晶,通过 Rubbing事先将液晶立起的一定角度的( 1 10 ),PR由 Polymer, Solvent, Sensitizer三种物质来构成,根据对光的反应 有,Positive PR和 Negative PR.,从Coater Unit的 PR Nozzle 喷洒 PR,的附属物的工序.,工序进行中要求很高清洁度的空间. 进行Class 10的工序或保管同一等级的最洁净的,促进,助长,感光度低的 PR. 受光线影响小的 PR.,Purge 压力.,自由基. 带正电荷的物质.,Pixel中没有加到信号,或施加的电压

39、比驱动信号电压低时发生,空间,沉积前后的清洁. 去除PECVD或 Sputter工序前后的 Particle, 有机物,还有反应后生成,与亮点相反, 因Pixel中不断地输入驱动信号而发生,Process Area,Promoter,Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor,1,o,Radical,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,17,VI,V,IV,III,Full Name,Remover,Laser Repair,Residue,Nomally - White ,Falling Time (下降时间 ),Reticle,RF

40、Power,Rework,Rinse,Rubbing - Process,Delay Time ( 延迟时间 ),去除.,渣滓,施加或去掉电压时,透光率随着时间产生变化,此时所需要的时间,从去掉电压开始透光率增加10% 所需的时间,施加电压后透光率从 90%减小到 10%所需的时间,去掉电压后透光率从 10% 增加到90% 所需的时间,半导体中起 Mask作用,具有把扩大的内容缩小的功能. 完全的Stepper的概念,返工, 再生,携带几百至几千KHz一定频率的交流电源,Depo后, Etch后的均匀度,对印刷有PI的 Glass,用纤维质的布,开直线槽使液晶按一定方向排列的工序,安装于Cas

41、sette上,贴上标 记Lot ID的 Bar Code,Recipe,作业条件,比率.,Strip Wet-Etch Pre-Depo 初步清洗 Photo工序后用纯 DI漂洗,洗掉异物或化学溶液,Roughness,Run Card,Ratio,Response - Time,Rising Time (上升时间 ),Radio Frequency,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,修理TFT LCD概率上发生的线缺陷或点缺陷等显示上的缺陷的技术,可以截断断落部分民，相反可以连接断开的部分. 用Laser可以截断有缺陷的排线,也可以对断开的排线局部性堆积金属来修理,18,VI,V

42、,IV,III,Full Name,SCCM,Scrap,Scribe/Break,涂Seal,Service Area,Shorting Bar,Soft Bake,Spacer,气体的流量单位,破损至报废或发生决定性error的 Glass . 完成实验或某一目的的 Glass进行报废,缺陷. 由于Brush磨损的不均匀性和 brush Gap调整 Miss 造成.,合为一体的 TFT和 C/F基板,用Wheel 擦出Scratch,再加力 去掉不必要的部分,用于切断Glass的 2 3mm大小,用 做成的 环状辅料,擦洗.,粘TFT和 C/F基板的热硬化粘合剂,为防止液晶的泄漏,形成TF

43、T和 C/F基板的外部间距, 用注射器将Seal涂到C/F基板上,设备修理以及 经过供给C/R的 Utility管道等的清洁度低的空间.,为维护和控制设备的区域.,防止静电引起的损害,为检测电特性而连接PAD的部分,保持Panel内部 Gap的 45 大小的 Plastic Ball.,规格,范围,输入高电压,给内部气体高运动能量,与金属撞击 将金属粒子沉积到Glass表面上.,S/C,Standard Cuvic Centimeter -,传达给像素电信号的作用.,为形成TFT与C/F基板的内部一定间距,把Spacer洒到 TFT基板上.,LOT别记载工序进行 Route (路线) 的工序进

44、行表.,Scratch,蒸发含在PR中溶剂,固化 PR的工序.,Spec.,Specification,SPUTTER,Run Sheet,Source Drain,Scribe Wheel,Scrub bing,Seal,Spacer 分散,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,19,VI,V,IV,III,Full Name,Tact Time,Stress,Substrate,TCLS,TFT Thin Film Transistor ( 薄膜晶体管 ),TFT Clean Stocker,暴光现象.,应力,Sputter工序中沉积 Target的物质的基板.,从一工序开工后生产

45、第一个Glass,再生产出下一个Glass所需的时间.,( Lead Time ),Sputter中沉积时使用的物质 ( Metal ),所有工序时间. 一个工序中产品投入后一直到完工为止所需的时间,TFT地区的 Stocker. CCLS( Cell地区 ), FCLS (C/F 地区 ),由3个端子来驱动,从电学角度上看,是一种电场效应晶体管 (FET : Field Effect,Transistor ). 并且具有类似金属-氧化物-半导体电场效应晶体管( MOSFET :,Metal-Oxide-Semiconductor )特性. 但是金属-氧化物半导体电场效应晶体管,( MOSFE

46、T )使用结晶度很高的单结晶硅,它的移动性高,相反用于薄膜晶体管的材料,比金属-氧化物半导体电场效应晶体管( MOSFET )结晶度低,纯度低,移动性也低.,TFT-LCD是将TFT排列到每一个像素中,驱动每个像素的能动形LCD.,TFT-LCD在switch on时给像素提供所需的电压, Switch off时像素完全被孤立,到下一个 switch on 时间为止，维持所需电压的active 元件.,Stitching,Target,Photo工序在进行 Aligner (暴光)过程中 X轴或Y轴,或XY轴都 排列错位的不稳定,STRIP,薄膜蚀刻工序后去除剩余 PR的工序.,TFT-LCD

47、,TAT,Turn Around Time,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,20,VI,V,IV,III,Full Name,Thruput,Trouble - Shooting,Titler,UV Epoxy ( ),UV Ultra Violet,Vacuum,Visual - Inspection,WET- ETCH,Yield (收率 ),Upper Control Limit,指各设备具有的单位时间内的处理能力. 此处理能力随着处理所需周期越短,并在1个周期内处理数量越多, Thruput越大,Glass 表面标上 Lot ID和 Glass ID的设备,发现设备或工序

48、上问题点时解决方案,上限. ( LCL, CCL ),现场中作业者可输入工作状况的 Computer,设定值的均一性,各种能源供给设施. 位于现工厂的西部.,照射紫外线硬化的一种粘合剂,紫外线,真空状态. 大气压 : 760 Torr ( 1气压 ),肉眼检查,工序进行中作业者的工作空间,对比投入数完成的良品的比率称为收率.,投入量,临界的 Gate 电压称为门槛电压.,Transistor的 Gate里缓慢增加电压时, 从没有电流的 off 状态到流电流的on状态变化的,UCL, .,已除去PR的部分用化学药品除掉暴光的沉积膜. (用Sputter去掉沉积的金属物),Work Area,良品

49、数,Threshod ( 门槛电压) Voltage,User Interface,UI,Uniformity,Utility,=, 100,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,21,VI,V,IV,III,Full Name,湿蚀刻,疏水性 Hydrophobic,主视觉,亲水性 Hydrophilic,除汽泡,花纹,运转率. 此运转率与Thruput一起决定生产率, 并且会影响加工成本.,不溶于水的性质. 具有这种性质的分子 大概 构成这种分子的原子的结合,呈现均匀电荷分布的非极性 ( Nonpolar ) 分子.,WET - ETCH,Glass或画面的一部分亮度中看到别的内容

50、. 发生于 基板脏/Gap 不均匀,/ 排向不良等,画面转换为另一个画面时以前的画面没有完全消失,随着时间逐渐消失的现象,对LCD的表面, 根据人眼形成的角度,光线通过液晶层的路径不同,因液晶的重复折射,透光量有变化, 这般根据视觉的方向透光率变化中看起来最鲜明的方向,与水混合时溶于水的性质.具有这种性质的分子 大概 构成这种分子的原子的结合,呈现均匀电荷分布的极性 ( Polar ) 分子.,STRIPPER内 由于 Amine成分和 DI的化合形成的电解质溶液中 ITO和 Al反应,IPA处理,阻止 STRIPPER和 DI的反应.,故障,使设备本身物理上不动的时间, 它的流动不够顺畅，处

51、于待机状态也会降低,- 贴偏光板后偏光板和 Glass 之间产生的汽泡用加热或压力来去除,显示各设备处于运转状态的比率. 影响运转率的因素不仅是因定期维护或不可预测的,干蚀刻,DRY - ETCH,- 降低压力去掉液晶里的汽泡,黑化现象 ITO,运转率,残像,使ITO的透光性和导电性减弱的现象. 预防 : STRIP和 DI Rinse之间进行,I,II,1. 工程术语解释,术 语,解 释,22,VI,2. 自动输送装置术语整理,V,IV,III,1. 自动输送装置术语解释,Full Name,STK,TCLS,CCLS,CST,Lot,BCR,BCL,FAB,C/R,CSC,CTV,CLE,

52、MIF,MTL,MCP,CSM,CFM,P&P,IFP,RM,TFT Clean Stocker,Cell Clean Stocker,Cassette,Bar Code Reader,Bar Code Label,Fabrication,Clean Room,Clean Space Carrier,Clean Transfer Vehicle,Clean Elevator,Mechanical InterFace,MainTenance Lifter,Master Control Processor,Clean Station Manager,Clean Factory Manager,Pi

53、ck & Place,InterFace Processor,Rack Master,Stocker,自动储藏仓库,TFT自动储藏仓库,Cell自动储藏仓库,装入Glass的容器,用于生产活动中的生产品的1单位,读取条形码的激光扫描仪,记录条形码的铁或塑料片,组装地方,装有净化空气过滤装置的空间,顶棚输送装置,工序内输送装置的一种,有轨道的输送装置,层间输送装置,装置与装置之间传递物品(CST)的装置(与P&P类似),CSC Vehicle 发生故障时,能够取出来的装置,将CSM指令转达给RM或综合下面机械装置中报告的各种情报 向上部 CSM报告的 Micro Processor 装置,控制S

54、TK或工序内输送装置的电脑,控制CSM或工序间输送装置, 层间输送装置的电脑,拾取或放上设备中的CST的一种装置,装置之间传递信号的装置,向STK内架里收回或取出 CST自动机械装置,I,II,术 语,解 释,23,VI,V,IV,III,Full Name,MU,SECS,XM,TCS,AC,SAC,OPI,AGV,MGV,CLL,Base Frame,LCP,Shaft Unit,P&P,Semiconductor Equipment,Communication Standard,Transfer Manager,Area Control,Sub - Area Control,Operat

55、or Interface,Automatically Guided Vehicle,Manual Guided Vehicle,Clean Lifter,Lifter Control Panel,Pick & Place,用手动运转Conv,RM,TFE等机械装置,或故障修理时使用时器具,半导体设备中传递设备之间的信息或能够传递而设的通信规定.,工程管理系统和 CFM 之间转换信息的电脑,单位设备的工程状态,设备状态向主机报告的一种控制单位设备用电脑,SAC 上部的 System,控制特定区域的 TCS的 System,Host的终端设备,用于操作员下输送指令或报告开/完工, 查询Lot 信息

56、,自动输送装置,作业者手推着输送装置,输送FAB的各层之间发生的CST的一种升降机装置.,为安装Lifter ,装于 Lifter的最下端,其内部有Motor,驱动CLL整体的动力装置.,驱动和控制升降机的装置.,如果Lifter总高度为 30m时, 它分为几段, 其中一个单位与装入 Lifter的位置的,Robot 术语中拾取物品后放入某一场所的 Robot总称就是 P&P.,置于Conveyor 中的 CST等放入其它场所需要移动较远距离时,使用的输送装置.,Rack,TFE,MainTenance Unit,Transfer Equipment,保管CST的格板或架子.,STK和 CSC

57、之间传递CST的机械装置,Tool Control System,建筑固定的装置, 是实际的Lifter输送部 Cage 行驶的一种轨道.,I,II,术 语,解 释,2. 自动输送装置术语整理,24,VI,V,IV,III,Full Name,CSC Rail,MTL,HID,CTV,Traveling,Trolley Rail,High - frequency,Clean Transfer Vehicle,CTV Rail,Trolley Rail,使CSC能够行驶而安装于顶棚上的一种铁轨, 内部装有驱动CSC的电流动装置,能修理CSC Vehicle 的一种修理 Conter. 内部有CSC能够自动投入和排出到Rail,的机械和控制装置,是高频感应装置, CSC 在移动中无法向 Vehicle直接供电,因此 CSC Rail输入高压高频电流, 驱动安装在CSC上的Linear Motor,使CSC能