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电子束熔炼多晶硅去除挥发性杂质的理论分析,石爽，谭毅，董伟，姜大川 大连理工大学 辽宁省太阳能光伏系统重点实验室,研究背景 计算模型 结果与讨论 结论,内容,研究背景,本研究通过建立电子束熔炼多晶硅的传热学模型得到了一定功率不同束斑半径下硅熔体的温度分度。根据该温度分布，利用Langmuir方程研究了P的挥发速率以及硅基体的损失率与束斑半径的关系。,电子束熔炼多晶硅,高温,高真空,电子束熔炼参数,杂质元素的挥发,功率,束斑半径,温度分布,频率,计算模型,该模型做以下假设： 热量只沿轴向和径向传输 材料的物理性能不随温度变化,计算模型,柱坐标下的热传导方程为： 上表面 外表面 下表面,纵截面温度分布示意图,结果与讨论,结果与讨论,不同束斑半径的表面温度分布,结果与讨论,熔池表面积与束斑半径的关系,结果与讨论,熔池表面平均温度与束斑半径的关系,熔池表面的平均温度：,熔池表面积,平均温度,杂质元素挥发速率？,结果与讨论,根据Langmiur方程，P的最大挥发通量为：,根据亨利定律,纯P的饱和蒸气压是温度的函数,结果与讨论,P的挥发速率与Si的损失率的比较,结论,在P的挥发过程中，熔池的温度和表面积都是主要的影响因素；在Si的挥发过程中，熔池的温度是主要的影响因素； 电子束功率一定时，随着束斑半径的增加，存在一个临界熔池。在此条件下

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