第2章 电阻式传感器课件--大学

1、第2章 电阻式传感器,主讲：张 坤,第2章 电阻式传感器,电阻式传感器是将非电量的变化量，变换成与之有一定关系的电阻值的变化量，通过对电阻值的测量达到对上述非电量测量的目的。 电阻式传感器主要分为： 应变式电阻传感器（金属、半导体） 电位计（器）式电阻传感器 热敏式、光敏式、磁敏式、气敏式电阻传感器等。,2.1 金属电阻应变式传感器 2.2 半导体应变片及压阻式传感器,前两种属于力敏传感器,应变 物体在外部压力或拉力作用下发生形变的现象 弹性应变 当外力去除后，物体能够完全恢复其尺寸和形状的应变 弹性元件 具有弹性应变特性的物体,2.1 金属电阻应变式传感器,是利用电阻应变片将应变转换为电阻值

2、变化的传感器 工作原理： 当被测物理量作用于弹性元件上，弹性元件在力、力矩或压力等的作用下发生变形，产生相应的应变或位移，然后传递给与之相连的应变片，引起应变片的电阻值变化，通过测量电路变成电量输出。输出的电量大小反映被测量的大小。 结构：应变式传感器由弹性元件上粘贴电阻应变片构成,2.1 金属电阻应变式传感器,2.1 金属电阻应变式传感器,电阻应变式传感器是目前最广泛用于测量力、压力、位移、应变、扭矩、加速度、重量等参数的传感器之一。 工作原理：基于材料的应变效应。,一、应变效应 二、电阻应变片的工作原理 三、电阻应变片的结构 四、测量电路 五、电阻应变式传感器的应用,一、应变效应,导体或半

3、导体材料在受到外界力(拉力或压力)作用时，产生机械变形，机械变形导致其阻值变化，这种因形变而使其阻值发生变化的现象称为“应变效应”。 导体或半导体的电阻 导体或半导体在受外力作用时会产生 机械变形，从而使电阻率、 长度 l 和截面积 S 这三者都发生变化，所以会引起电阻的变化。通过测量阻值的变化，就可以反映外界作用力的大小。,当受到拉力 F 作用时，将伸长l ，横截面积相应减小S ，电阻率将因晶格发生变形等因素而改变，故引起电阻值相对变化量为,式中，l / l =为金属导体电阻丝的轴向应变， 常用单位 （1 = 110-6 mm/mm ）。 由于S = d 2 / 4，则S / S = 2 d

4、 / d, 其中d / d 为径向应变； 且由材料力学知， d / d = ，式中为金属材料的泊松比。,其物理意义是单位应变所引起的电阻相对变化。 灵敏系数受两个因素影响，一个是受力后材料几何尺寸的变化，即（1+2）；另一个是受力后材料的电阻率发生的变化，即 / / 。,应变灵敏系数：,对于金属材料， / 较小，可以略去；且 = 0.20.4（弹性范围）， K 1+2 = 1.41.8 ，实际测得K 2.0，说明 / / 项对 K 还是有一定影响。 一般情况下，在应变极限内（弹性范围） ，金属材料电阻的相对变化与轴向应变成正比,在外力作用下，被测对象产生微小机械变形，粘贴在被测对象上的应变片随

5、其发生相同的机械变形，同时，应变片电阻也发生相应变化。当测得应变片电阻值变化量R 时，便可得到被测对象的应变值，根据应力和应变的关系，得到应力值 式中 试件的应力； 试件的应变； E试件材料的弹性模量（kg / mm2）。 由此可知，应力值正比于应变，而试件应变又正比于电阻值的变化R ，所以应力正比于电阻值的变化。这就是利用应变片测量应变的基本原理。,二、电阻应变片的工作原理,外力变形应力应变电阻值变化电压变化,三、金属电阻应变片的结构,基本结构,金属电阻应变片种类繁多，但其基本结构大体相似，现以金属丝绕式应变片结构为例加以说明。 将金属电阻丝粘贴在基片上，上面覆一层薄膜，使它们变成一个整体，

6、这就是电阻丝应变片的基本结构。,1基底 2敏感栅 3覆盖层 4引线，用以和外接导线连接 L敏感栅长度 b敏感栅的宽度,敏感栅是应变片最重要的组成部分根据敏感栅形状和制造工艺的不同，金属应变片主要分为丝式、箔式和膜式三种类型。它们根据需要可以制作成各种形状。 （1）丝式应变片： 丝式应变片有回线式和短接式两种。 回线式应变片因圆弧部分参与变形，横向效应较大； 短接式应变片敏感栅平行排列，两端用直径比栅线直径大 510倍的镀银丝短接而成，其优点是克服了横向效应。缺点是焊点多，在冲击或振动条件下，易在焊点处出现疲劳，制造工艺要求高。,a) 回线式丝式应变片 b) 短接式丝式应变片,1. 敏感栅,丝式

7、应变片制作简单、性能稳定、成本低、易粘贴。,箔式应变片是利用照相制版或光刻腐蚀等技术将厚度为 0.003 0.01 mm的金属箔片制成所需的各种图形的敏感栅。有时称为应变花。,（2）箔式应变片：,优点： 制造技术能保证敏感栅尺寸准确，线条均匀和适应各种不同测量要求的形状，其栅长可做到0.2mm； 敏感栅薄而宽，与被测试件粘贴面积大，黏结牢靠，传递试件应变性能好； 散热条件好，允许通过较大的工作电流，从而提高了输出灵敏度； 横向效应小； 蠕变和机械滞后小，疲劳寿命长。 由于上述优点，有逐渐取代丝式应变片的趋势。,（3）金属薄膜应变片 金属薄膜应变片采用真空蒸发或真空淀积等方法，在薄的绝缘基片上形

8、成厚度在 0.1 mm 以下各种形状的金属材料薄膜敏感栅。 它的优点是应变灵敏系数大，允许工作电流密度大，工作温度范围宽，可达197317。,2. 基底和盖片 基底和盖片的作用是保持敏感栅和引线的几何形状和相对位置，并且有绝缘作用。一般为厚度0.020.05mm的环氧树脂，酚醛树脂等胶基材料。对基底和盖片材料的性能要求：机械强度好，挠性好；粘贴性能好；电绝缘性好；热稳定性和高温性好；无滞后和蠕变。 3. 引线 作用：连接敏感栅和外接导线。 一般采用 = 0.050.1 mm 的银铜线、铬镍线、卡马线、铁铬铅丝等，与敏感栅点焊相接。 4. 黏结剂 作用：将敏感栅固定于基片上，并将盖片与基底粘结在

9、一起；使用金属电阻应变片时，也需用黏结剂将应变片粘贴在试件表面某一方向和位置上，以便感受试件的应变。 黏结剂材料：有机和无机两大类。,四、测量电路,由于机械应变一般都很小，要把微小应变引起的微小电阻值的变化测量出来，同时要把电阻相对变化转换为电压或电流的变化，因此需要设计专用的测量电路。 用于测量电阻变化最常用的测量电路是电桥电路。 电桥电路通常有直流电桥和交流电桥两种。电桥电路的主要指标是桥路灵敏度、非线性和负载特性。,1. 直流电桥 2. 交流电桥,1. 直流电桥,(1)平衡条件 直流电桥的基本形式如图所示。R1、R2、R3、R4称为电桥的桥臂，RL 为其负载（可以是测量仪表内阻、放大器输

10、入阻抗或其它负载）。 当RL 时，电桥的输出电压 Uo 应为,当电桥平衡时，Uo = 0， Io = 0由上式可得到 或,称为电桥平衡条件。平衡电桥就是桥路中相邻两臂阻值之比应相等，（对臂阻值之积相等、邻臂阻值之比相等），此时流过负载电阻的电流为0。,(2)电压灵敏度 A.单臂电桥： 如果在实际测量中，使第一桥臂 R1 由应变片来替代，微小应变引起微小电阻的变化，电桥则输出不平衡电压的微小变化。一般需要加入放大器放大。由于放大器的输入阻抗可以比桥路输出电阻高得多，所以此时仍视电桥为开路情况。当受应变时，若应变片电阻变化为R1 ，其它桥臂固定不变，则电桥输出电压 Uo0。,设桥臂比 电桥电压灵敏

11、度定义为, 电桥电压灵敏度正比于电桥供电电压，供桥电压愈高，电桥电压灵敏度愈高。但是供桥电压的提高，受到应变片允许功耗的限制，所以一般供桥电压应适当选择（36V）。,E（供桥电压）, 电桥电压灵敏度是桥臂电阻比值 n 的函数，因此必须恰当地选择桥臂比 n 的值，保证电桥具有较高的电压灵敏度。 当 n = 1 ，（R1 = R2 ，R3 = R4），电桥电压灵敏度最大。 此时电桥电压灵敏度,当电源电压 E 和电阻相对变化率 一定时，电桥的输出电压及其灵敏度也是定值，且与各桥臂阻值大小无关。 此时非线性误差较大，减小或消除非线性误差的方法有如下几种： 采用差动电桥 提高桥臂比 采用高内阻的恒流源电

12、桥,B.半桥差动：,根据被测试件的受力情况，若使一个应变片受拉， 一个受压，则应变符号相反；测试时，将两个应变片接 入电桥的相邻臂上。称为半桥差动电路。,半桥差动电路,若R1 =R2 ，（R =R1R2 = 2R1）， R1 = R2，R3 = R4， 则得,半桥差动电路由上式可知，Uo与 成线性关系，此时电桥电压灵敏度 半桥差动电桥的灵敏度比使用一只应变片的单臂电桥提高了一倍，同时可以起到温度补偿的作用，线性误差大大减小。,C. 全桥差动：,为进一步提高电压灵敏度或进行温度补偿，可采用全桥差动电路。将电桥四臂接入四片应变片。两个受拉，两个受压，将两个应变符号相同的接入相对臂上，构成全桥差动电

13、路。若满足 R1 = R2 =R3 =R4，R1 = R2 = R3 = R4 则输出电压为,全桥差动电桥,此时电桥电压灵敏度 全桥差动的灵敏度是单臂的四倍，半桥差动的两倍。 还可抑制干扰信号，因为四臂或相邻两臂同时有某一增量，对全桥差动电桥电桥输出无影响。,（3）减小或消除非线性误差的其它方法 提高桥臂比： 提高桥臂比，非线性误差可以减小；但从电压灵敏度考虑，电桥电压灵敏度将降低，这是一种矛盾，因此，为了达到既减小非线性误差，又不降低其灵敏度，必须适当提高供桥电压 E。 采用高内阻的恒流源电桥： 通过电桥各臂的电流如果不恒定，也是产生非线性误差的重要原因。所以供给半导体应变电桥的电源一般采用

14、恒流源，如图所示。供桥电流为I ，通过各臂的电流为 I1 和 I2，若测量电路输入阻抗较高，则 输出电压为,若电桥初始处于平衡状态（R1R4 = R2R3），而且R1 = R2 = R3 = R4 = R，当第一桥臂电阻R1变为R1R1时，电桥输出电压为,比前面的单臂供压电桥的非线性误差减少了50%。,2. 交流电桥,(1)交流电桥平衡条件 应变电桥输出电压很小，一般都要加放大器。 采用直流电桥的优点是高稳定性电源易于获得，电桥平衡的调节简单，连接导线分布参数影响小。但输出电压需采用直流放大器，易于产生零点漂移，因此目前也常用交流电桥。 交流电桥采用交流放大器、供桥电源为交流电源，交流电桥连接

15、导线分布参数影响、平衡调节、信号放大电路等均与直流电桥有明显不同。 连接导线分布电容（忽略引线电感）使得桥臂的四只应变片均呈现复阻抗特性，即相当于四只应变片各并联了一只电容。但分析电桥平衡和输出电压方法仍与直流电桥相同。故输出电压为,设各桥臂阻抗为,式中 r1 r2 和 x1 x2 分别为各桥臂的电阻和电抗；z1 z4 和1 4 为各复阻抗的模值和幅角，由此可得到交流电桥的平衡条件的另一形式为,式中Z1，Z2，Z3，Z4为电阻、电感、电容任意组合的复阻抗。桥路平衡条件为,或,(2)交流电桥的调平方法 利用交流电桥测量应变时，由于引线产生的分布电容的容抗（引线电感忽略），供桥电源 的频率以及被测

16、应变片的性能差异，将严重地影响着交流电桥的初始平衡条件和输出特性，因此必须对电桥预调平衡。 由于式 中的Z 阻抗应包括电阻和电容等参数，此处交流电桥的平衡，应包含着电阻和电容两个平衡条件，因此，交流电桥的平衡可用电阻调整和电容调整的方法实现。,或,C3 和 C4 为差动电容，调节 C3 和 C4 时，由于两个电容的变化量大小相等，方向相反，可使桥路平衡。 （）阻容调平法：图(d) 。 该电桥接入了“ T ”形 RC 阻容电路，可通过交替调节电容、电阻使电桥达到平衡状态。,电阻调平法 （）串联电阻法：图(a)。 （）并联电阻法：图(b)。 串联电阻调平法，通过调节电阻 R5改变AD和CD的阻值比

17、，使电桥满足平衡条件。电阻 R6 决定可调范围， R6 越小，可调范围越大，但测量误差也越大。R5，R6 通常取相同阻值。 电容调平法 （）差动电容法：图(c) 。,(3)交流电桥不平衡状态 单臂交流电桥 其输出电压为 差动交流电桥（半桥差动电路） 其输出电压为 双差动交流电桥(全桥差动电路) 其输出电压为 与直流电桥一样，全桥差动电路的电压灵敏度是单臂的四倍，半桥差动的两倍。,应变片能将应变直接转换成电阻的变化 其他物理量（力、压力、加速度等），需先将这些量转换成应变弹性元件 应变式传感器的组成：弹性元件、应变片、附件（补偿元件、保护罩等）,五、电阻应变式传感器的应用,应变式力传感器 被测物

18、理量：荷重或力 主要用途：作为各种电子称与材料试验机的测力元件、 发动机的推力测试、 水坝坝体承载状况监测等。 力传感器的弹性元件：柱式、筒式、环式、悬臂式等,图3-13 圆柱（筒）式力传感器 （a） 柱式；（b） 筒式；（c） 圆柱面展开图；（d） 桥路连线图,1. 柱（筒）式力传感器,2. 环式力传感器,图3-14 环式力传感器 (a) 环式传感器结构图； (b) 应力分布,对R/h5的小曲率圆环：A、B两点的应变。,这样， 测出A、 B处的应变， 即可得到载荷F。,内贴取“一”,内贴取“”,式中： h圆环厚度； b圆环宽度； E材料弹性模量。,应变式压力传感器 主要用来测量流动介质的动态

19、或静态压力 应变片压力传感器大多采用膜片式或筒式弹性元件。 在压力p作用下，膜片产生径向应变r和切向应变t，表达式分别为,图3-15 膜片式压力传感器 （a） 应变变化图; （b） 应变片粘贴,应变变化曲线的特点：当x=0时，rmax=tmax；当x=R时，t=0， r=2rmax。 ,特点的应用：一般在平膜片圆心处切向粘贴R1、R4两个应变片， 在边缘处沿径向粘贴R2、R3两个应变片，然后接成全桥测量电路。 避开位置。,应变式容器内液体重量传感器 感压膜感受上面液体的压力。 当容器中溶液增多时，感压膜感受的压力就增大。将其上两个传感器Rt的电桥接成正向串接的双电桥电路，此时输出电压为,Uo=

20、U1U2=(K1K2)hg,式中, K1，K2为传感器传输系数。,结论：电桥输出电压与柱式容器内感压膜上面溶液的重量成线性关系，因此可以测量容器内储存的溶液重量。,图3-16 应变片容器内液体重量传感器,应变式加速度传感器 用于物体加速度的测量。 依据：a=F/m。 ,图3-17 电阻应变式加速度传感器结构图,测量原理：将传感器壳体与被测对象刚性连接，当被测物体以加速度a 运动时，质量块受到一个与加速度方向相反的惯性力作用， 使悬臂梁变形，该变形被粘贴在悬臂梁上的应变片感受到并随之产生应变，从而使应变片的电阻发生变化。 电阻的变化引起应变片组成的桥路出现不平衡，从而输出电压， 即可得出加速度a

21、值的大小。 适用范围：不适用于频率较高的振动和冲击场合， 一般适用频率为1060 Hz范围。,2.2 半导体应变片及压阻式传感器,2.2.1 半导体应变片,半导体应变片是用半导体材料，采用与丝式应变片相同方法制成的。 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的压阻效应。 压阻效应：材料的电阻率随作用应力而变化的现象称为该材料的压阻效应 。 所有材料在某种程度上都呈现压阻现象，但半导体材料的这种效应特别显著，能直接反映出微小的应变。 半导体压阻效应可解释为：由应变引起能带变形，从而使能带中的载流子迁移率及浓度也相应地发生相对变化，因此导致电阻率变化。,1 应变片 2 半导体敏感条 3 外引线 4

22、引线连接片 5 内引线,体形半导体应变片的结构形状,半导体应变片的制作方法 将半导体材料按所需晶向切割成片或条，粘贴在弹性元件上，制成单根状敏感栅使用，称作“体型半导体应变片”。 将P型杂质扩散到N型硅片上，形成极薄的导电P型层，焊上引线即成应变片称作“扩散硅应变片”。,优点：尺寸、横向效应和机械滞后都很小，灵敏度高，频率响应范围很宽，输出幅值大，不需要放大器，可直接与记录仪连接使用，使测量系统简单，分辨率高。 缺点：温度系数大，测量较大应变时非线性比较严重。,半导体电阻应变片的测量电路 一般采用直流电桥电路，但须采用温度补偿措施，如图所示。,2.2.2 压阻式传感器,半导体硅有良好的弹性形变

23、性能和显著的压阻效应。利用半导体硅的压阻效应和集成电路技术制成的力传感器，具有灵敏度高、动态响应快、工作温度范围宽、稳定性好、易集成化等一系列优点，因此应用日益广泛。 早期的硅压力传感器是半导体应变片式的，是金属应变片的延伸；是利用半导体比金属高的灵敏系数，代替合金材料，把硅片或其制成的芯片粘贴在弹性体上，但没脱离应变片的模式。70年代，采用集成电路技术研制的扩散型压阻式传感器（或称固态压阻式传感器），克服了粘贴带来较大的滞后和蠕变以及固有频率较低和集成化困难的缺点，而且把应变电阻条和误差补偿、信号调整等电路集成在一块硅片上。,（1）半导体的压阻系数 （2）压阻式传感器的组成和工作原理 （3）

24、硅杯的结构与材料 （4）扩散电阻条的阻值、尺寸、取向与位置 （5）压阻式传感器的温度漂移 （6）压阻式传感器的应用,（1）半导体材料的压阻系数,材料电阻的变化为 对半导体材料， ，几何尺寸变化（机械变形）引起的电阻变化可忽略，电阻阻值的变化主要是因电阻率变化引起的，即 由半导体理论可知，硅和锗的纵向电阻率的相对变化,L 沿晶向L的压阻系数（m2N）；沿晶向L的应力（Nm2）； E 半导体材料的弹性模量（Nm2）；轴向应变。 半导体材料的应变灵敏系数,如半导体硅，L =（4080）10-11 m2N，E = 1.671011Nm2 ，则 KB = 50100。远比金属应变片灵敏系数 K = 2

25、大得多。,由于半导体材料的晶体各向异性，在应力作用下，晶格变形，使能带结构变化，载流子浓度和迁移率变化，即硅半导体的压阻效应与晶向有关。 影响压阻系数大小的主要因素是扩散杂质的表面浓度和环境温度。压阻系数随扩散杂质浓度的增加而减小，表面杂质浓度相同时，P 型硅的压阻系数比 N 型硅的（绝对）值高，因此选 P 型硅有利于提高敏感器件的灵敏度。 用于制作半导体传感器的半导体材料主要有：硅、锗、锑化铟、磷化铟、砷化镓等，其中最常用的是硅和锗。 扩散型压阻式传感器一般简称为：压阻传感器、扩散硅。,（2）扩散型压阻式传感器的组成和工作原理, 组成： 扩散型压阻式传感器由外壳、硅膜片（硅杯）和引线等组成。

26、核心器件是一个周边固定支承的硅敏感膜片，即硅压阻芯片，因形状象杯故名硅杯。上面用扩散掺杂法做成四个相等的硅应变电阻条，经蒸镀金属电极及连线，接成惠斯登电桥，再用压焊法与外引线相连。膜片的一侧是和被测系统相连接的高压腔，另一侧是低压腔，通常和大气相连，也有做成真空的。 工作原理： 当膜片两边存在压力差时，膜片发生变形，产生应变，从而使扩散电阻的电阻值发生变化，电桥失去平衡，输出相对应的电压，其大小就反映了膜片所受压力差值。,(a)为扩散型硅压阻式传感器的结构 (b)硅膜片尺寸 (c)应变电阻条排列方式。,（3） 硅杯的结构与材料,通常选用 N 型硅做膜片，在其上扩散 P 型杂质，形成应变电阻条。

27、P 型电阻条的压阻系数比 N 型大、灵敏度也高，而温度系数又小，也易制造。N 型硅膜片晶向选取，既要考虑灵敏度，又要考虑各向异性腐蚀形成硅杯的工艺。一般选取，或晶向硅膜片。N 型硅膜片的电阻率，通常选取8 15cm。经扩散成P型硅电阻条所形成的 PN 结隔离作用有足够的耐压性。,硅压阻芯片常采用两种结构，周边固定支承的圆形硅杯和矩形（正方形）硅杯。采用周边固定支承硅杯结构，使硅膜片与固定支承环构成一体，既可提高灵敏度，减少非线性误差和滞后，又便于集成化和批量生产。圆形硅杯最常采用，工艺成熟。,（4）扩散电阻条的阻值、尺寸、取向与位置,硅芯片是在N型膜片上扩散的四个 P 型电阻条，并接成惠斯登电

28、桥（全桥差动电桥）。电阻条的阻值、尺寸、取向与位置都对传感器的灵敏度有很大影响。, 扩散电阻条的阻值与几何尺寸 为了输出较大电压UL，要考虑与负载电阻 RL 的匹配。负载电阻两端电压为,只有R0 / RL1时，有,所以电桥的等效电阻 R0 应小些，一般取每个扩散电阻值为5003000。,常用扩散电阻条如图所示，其阻值可按下式计算 式中，l 为扩散电阻长；b 为扩散电阻宽；RS 为方块电阻。,方块电阻 RS 是长与宽都等于 b 的电阻，其阻值用符号表示，RS由扩散杂质表面浓度 NS 和 PN 结深度决定。RS 约为 10800 时，式 l / b 值一般取 50 100。常采用 b = 5 30

29、m。电阻长度 l 则由宽度 b 和方块数决定。实际的扩散电阻两端有引线孔，为避免电阻过长，制成如图 (c)所示的结构，它制作简单、散热好。, 扩散电阻条的取向与位置 要获得大的电阻相对变化，提高传感器的灵敏度，扩散电阻条应选择在压阻效应较大的晶向上，以及应力较大的部位上。扩散电阻条连接成全桥差动电桥时，应满足膜片受力后一对电阻条的RR为正值，另一对为负值。 总之，取向上可只利用纵向压阻效应或纵向与横向压阻效应均利用。定位上，可使电阻在同一应力区内，也可分别位于正负两个应力区内。,（5）压阻式传感器的温度漂移,由于半导体材料对温度的敏感性，压阻式传感器受到温度变化影响后，将产生零点漂移和灵敏度漂

30、移。,零点温度漂移是因为扩散电阻的阻值随温度变化引起的。扩散电阻的温度系数因扩散表面杂质浓度不同导致薄层电阻大小各异而不一样。但工艺上难于做到四个 P 型桥臂,电阻的温度系数完全相同，则不可避免产生温度变化时，无外力作用仍有电阻值的变化。 灵敏度温度漂移是因为压阻系数随温度变化引起的。温度升高时，压阻系数变小，则灵敏度下降。 所以，压阻传感器使用时必须进行温度补偿。,（6）压阻式传感器的应用,压阻式传感器主要用于测量压力和加速度，应用最多的是压阻式压力传感器，广泛应用于流体压力、差压、液位测量，特别是它可以微型化，已有直径为0.8mm的压力传感器。,恒流工作测压电路,Dz1(LM385)稳定电压2.5V，作为传感器提供1.5mA恒流的基准电压， R2上电压也为2.5V（集成运放的输出电压为有限值时，输入差模电压趋于0，v v）。,传感器为需恒流1.5mA驱动的扩散硅绝对压力传感器。,恒压工作测压电路,TL499将电池的9V电压提升为15V，经运放A4变为 7.5V， 7.5V作为电桥恒压源， 7.5V并为Rp2供电,压力控制电路,须将油压控制在4.05.0MPa范围内，对应A1的输出为3.334.17V。 A2 、A3为电平比较器， Uo 3.33V时， A2输出高电平； Uo 4.17V时， A3输出低电平。,A2 、A3都为高电平时，油压才正常；油压过低时， A