中职电子技术基础期中试卷

1、最新 料推荐2012 年秋学期电子技术基础期中测试2012.11.一、填空题（ 0.5 50）1、半导体中有两种载流子：和。2、晶体二极管具有特性，即加电压时导通，加电压时截止。3、晶体三极管具有作用，是一种控制型器件，通过电流的变化去控制较大的电流变化。4、晶体三极管内部结构有三个区：区、区和区；两个 pn结：和；三个电极：、和，分别用字母、表示。5、晶体三极管工作在的偏置条件( 外部条件 )是：、工艺条件（内部条件）是：、。6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同，分为和两种类型，它们的图形符号分别为和，基区为 n型半导体的是型。7、晶体三极管有三种基本联接方式：接法、接法和接法。三极

2、管的三个电极中，极既可以作为输入端，又可以作为输出端。9、硅管的门坎电压约为v ，导通电压约为v；锗管的门坎电压约为v ，导通电压约为v 。10、若测得某晶体三极管的电流为：当 i b=20a时，ic =2ma；当 i b=60a时，ic =5.4ma，则可求出该管 为， iceo 为， icbo 为。12、晶体三极管的输出特性曲线是在i b 一定时，测出与对应值的关系，它可以分为三个区域，即区、区和区。当三极管工作在区时，关系式i c= i b 才成立；当三极管工作在区时，i c 0；当三极管工作在区时， vce 0；三极管在区时，具有恒流特性。1最新 料推荐二、判断题（ 2 10）1、晶体

3、二极管一旦发生击穿，就会被烧毁。（）2、 n 型半导体的多数载流子是电子，因此n 型半导体带负电。（）3、环境温度升高，晶体二极管的反向饱和电流将增大。（）4、在半波整流电路中，二极管极性接反，将无整流作用。（）5、用万用表测量小功率二极管，一般使用r10k 挡。（）6用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。（）7、无论哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b 极电位总是高于e 极电位， c 极电位也总是高于 b 极电位。（）8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成，所以e极和 c 极

4、可以互换使用。（）9、对于 npn型三极管，若 vbe 0， vbevce ，则该管工作在饱和状态。（）10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。（）三、选择题（ 2 10）1、某硅二极管反向击穿电压为150 伏，则其最高反向工作电压为（）a、约等于 150伏 b、可略大于150 伏 c 、不得大于40 伏 rd 、等于75 伏2、电路如图所示，图中二极管为理想二极管，+2kvr200当输入电压 vi=0v 时，输出电压vo=（） v；当输入电压 vi=20v 时，输出电压vo=（） v。vi3vvoa、 3vb、 0vc、10vd 、 20v_3、在一块放大电路板上，测得某三极管对地

5、电位如图所示，则管子的导电类型，管脚自左至右的顺序分别为（）。a、 npn型， ebcb、 pnp型， ebcc、 npn型， bced、 pnp型， bce4在半波整流滤波电路中，如已知v2=10v ，则负载 rl 上的输出电压为（）。a 12vb 9vc 4.5vd 10v5晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电极电流ic 将（）。a 随 i b 增加而增加b随 ib 增加而减少2最新 料推荐c与 ib 无关，只决定于 vg 和 rc6、电路如下图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压 v ab 为（）。a -3vb 5v ；c8vd -8v7、三极管各电极对地电位如下图所示,

6、工作于饱和状态的三极管是()。abcd8、上图中处于截止状态的三极管是（）。9、分压式偏置电路中，如r 增大，电路中其余条件不变，则ic将（）。b1a 增大b减小c不变d无法确定四、分析计算题（ 35）1画出下图放大电路中的交、直流通路。（ 8）-vgr +v g+_+ c3rbrcrb1rcc2c2+c1rlc1+vrl+ v+rb2rerecece+_（ a）（ b）3最新 料推荐2、试判断下图中的二极管状态，并计算输出电压vo。（ 4）vvar2k10vvo3vb3、如图所示放大器中已知vg =15v ，rc=3k ，rb =500 k ， =60，试估算放大器的静态工作点和输入电阻r i、输出电阻 r o、和电压放大倍数 av 。（ 12）+v grbrcc2+c1rl+v_4、如图所示分压式偏置电路中中：vg =12v ， rb1=200 k ， rb2=100k ， rc=2k , =60，试估算 i cq 和 vceq。（ 6）+v grb1rcc2+c1rl