lightning方案优劣与IPHONE充电数据线起火分析

1、现在越来越多的手机使用了快速充电技术Quick Charge 3.0，可以达到9V/2A（18W）, 随着IPHONE新产品的发布，充电也提高为快充技术，由于体积小而电流大，这样一来对充电线元件器要求也越来越高；iPhone数据线Lightning接头为BGA封装技术，这块区域由四颗主要芯片组成，分别是NXP 20P3、ST USB2A、TI BQ2025等；苹果悄然升级Lightning接头一方面是为了改进供电，而另一方面则是有可能会加入最新的加密协议。如此一来，将会给破解增加更大难度，从而保证自家配件能够赚取更多的利润。IPHONE原装线测试过程中功率有浮动不大，差不多保持在17W左右；然

2、而市面上IPHONE原装线太贵，充电数据线山寨版本很多，我来说说MOSFET的问题。MOSFET做为一个开关，实现的功能是导通和关断，理论上导通的电阻为0欧姆，但实际器件是不可能做到0欧姆。MOSFET的最大导通电阻仿品A仿品B仿品C苹果原装lightning111m150m69m22m(下图为劣质充电线)从上图可以看到，山寨基本就是一个解密芯片、一个MOSFET；这种普通的MOSFET电流小，容易发热，充IPHONE老款产品勉强够用，对于快充时代的来临(9V/2A)，只能面临淘汰。（下图优质充电线方案）我司专业于MOSFET器件领域，拥有全球最小封装MOSFET(30系列)，体积在667um

3、*743um，实际过流达到3A，且低温；20系列MOSFET（贴片0805封装）可以达到15A,对于小体积且需要大电流的设备有很大优势，产品的相关测试数据标准等同欧美同类产品,为客户提高产品的转换效率。QQ:电话：从上面的表中，可看到原装lightning头导通的电阻比仿品的要小很多。电阻的大小会对充我们可以从公式：U=I X R计算出I=1A和2A时MOS管上的电压降以及MOSFET上的功率消耗。MOSFET的最大导通电阻仿品A仿品B仿品C苹果原装lightning111m150m69m22m电流I=1A时的压降0.111V0.150V0.069V0.022V电流I=2A时的压降0.222V

4、0.3V0.138V0.044V电流I=2A时MOSFET的损耗0.444W0.6W0.276W0.088W从上面的表中，我们可以看出，在充电电流为1A时，比如充IPHONE，仿品线的MOSFET压降/功耗还是可以接受的，最大压降为0.15V，对于总电压5V来说，影响不是太大。但在充电电流为2A（或者2A）时，比如充IPAD，仿品线上MOSFET的压降就会明显增加，最大的为0.3V，如果加上线材上的压降，实际压降必然会0.5V，即到达IPAD口的电压不足4.5V，且MOSFET的功耗有0.6W之多，接口处温度会慢慢升高，达到发烫的程度。实际使用时，也可能会因为压降太多，IPAD自动减少充电电流，造成充电时间过长。总结一下仿品线的弊端：1， 通讯方面，可能会被苹果设备识别出来，显示不兼容。（也有些破解比较彻底的，可以骗过设备。）2， 充电方面，如果是充IPHONE老款手机、IPOD设备，充电电流在1A左右的，问题不大。3， 如果是充IPHONE新产品带快充设备，充电电流为2A时，可能会有3种情况：a) IPHONE维持2A的充电电流，lightning头的温度会逐步上升，达到发烫的程度，甚至有可能烧坏