电子技术基础与技能期末试卷

1、 16电子期末试卷姓名 考号 判断题答题卡1234567891011121314151617181920选择题答题卡1234567891011121314151617181920一、判断题（40分） 1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。 2、（ ）硅的导通电压为0.7V，锗的导通电压为0.3V 。 3、（ ）三极管的中ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性高。4、（ ）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。5、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。6、（ ）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。7、（ ）

2、结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。 8、( )利用二极管的正向压降也能起到稳压作用。9、( )二极管从P区引出的极是负极。10、( )普通二极管可以替换任何特殊二极管。11、（ ）晶体三极管的C、E可以交换使用。 12、（ ）二极管代替换用时，硅材料关不能与锗材料管互换。13、( )三极管按结构分为硅型和锗型三极管。14、（ ）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；15、（ ）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；16、（ ）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；17、（ ）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；18、（ ）由于放大的对象是变化量，所以当输入信

3、号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；19、（ ）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。20、( )运放的共模抑制比 2、 选择（60分）1、在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_A同相 B 反相 C 相差 90 度 2、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。3. 对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_ 极的电位最低。 A 发射极 B 基极 C 集电极 4.温度升高，晶体管输入特性曲线_ A 右移 B 左移 C 不变 5.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大

4、容量电容6.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻7.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A共射放大电路 B. 共集放大电路 C共基放大电8 、理想运算放大器的共模抑制比为 ( )。A 零 B 约120 dB C 无穷大9、测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _A 处于饱和状态 B 放大状态 C 截止状态 D 已损坏 10电路如图所示，其电压放大倍数等于 ( )。A 1 B 2 C 零 11、电路如图所示，该电路为 ( )。 A 加法运算电路B 减法运算电路 C 比例运算电路12.

5、测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _A NPN 型锗管 B PNP 型锗管 C PNP 型硅管 13. NPN型三极管三个极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在 A饱和区 B截止区C放大区 D击穿区 14.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7VC VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V15、反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_A 越好 B越差 C无变

6、化 16、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏17. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的为_A 40 B 50 C 60 18、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（ ） Ac Ub Ue B。c Ub c Ue D。c Ue Ub19、三级管工作在放大区，要求（ ）A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏20.三极管参数为PCM=800mW, ICM=100mA, UBR(CEO)=