43 STM32内部Flsh实验

1、普中STM32开发板带您进入ARM世界,STM32内部Flash实验,普中STM32开发板带您进入ARM世界,本讲主要内容 1.STM32F1内部FLASH介绍 2.内部FLASH操作步骤 3.硬件电路 4.编写STM32F1内部FLASH控制程序,普中STM32开发板带您进入ARM世界,1.STM32F1内部FLASH介绍 不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字 节，最大的则达到了 1024K 字节。我们STM32F1开发板使用的芯片是 STM32F103ZET6，其FLASH 容量为 512K 字节，属于大容量芯片。,普中STM32开发板带您进入AR

2、M世界,大容量产品的Flash模块组织结构图,普中STM32开发板带您进入ARM世界,主存储器。该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， BOOT0、BOOT1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。 信息块。该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 BOOT0 接 V3.3， BOOT1 接 GND 的时候，运行的就是这部分

3、代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，这里我们不作介绍，大家可以百度了解。 闪存存储器接口寄存器。该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。,普中STM32开发板带您进入ARM世界,2.内部FLASH操作步骤 具体步骤如下：（闪存Flash相关库函数在stm32f10 x_flash.c和 stm32f10 x_flash.h文件中） （1）解锁和锁定 void FLASH_Unlock(void); void FLASH_Lock(void); （2）写操作 FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint

4、32_t Data); FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data); FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);,普中STM32开发板带您进入ARM世界,（3）擦除操作 FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address); FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void); FLASH_Status FLASH_Erase

5、OptionBytes(void);,普中STM32开发板带您进入ARM世界,（4）获取FLASH状态 FLASH_Status FLASH_GetStatus(void); typedef enum FLASH_BUSY = 1,/忙 FLASH_ERROR_PG,/编程错误 FLASH_ERROR_WRP,/写保护错误 FLASH_COMPLETE,/操作完成 FLASH_TIMEOUT/操作超时 FLASH_Status;,普中STM32开发板带您进入ARM世界,（5）等待操作完成 FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Time

6、out); （6）读取 FLASH 指定地址数据 vu16 STM32_FLASH_ReadHalfWord(u32 faddr) return *(vu16*)faddr; ,普中STM32开发板带您进入ARM世界,3.硬件电路 本实验使用到硬件资源如下： （1）D1指示灯 （2）K_UP和K_DOWN按键 （3）串口1 （4）TFTLCD模块 （5）STM32F1内部FLASH D1指示灯用来提示系统运行状态，K_UP和K_DOWN按键用来控制内部 FLASH数据的读写，TFTLCD模块和串口1用来显示读写的数据。,普中STM32开发板带您进入ARM世界,4.编写STM32F1内部FLASH控制程序 本章所要实现的功能是：使用K_UP和K_DOWN键控制内部FLASH的写入 和读取，并将数据显示在TFTLCD和串口助手上，