(论文)电力电子 单相 桥式整流电路 课程设计最新优秀毕业论文资料搜集呕血奉献

电力电子技术前言电力电子技术又称为功率电子技术，他是用于电能变换和功率控制的电子技术。电力电子技术是弱电控制强电的方法和手段，是当代高新技术发展的重要内容，也是支持电力系统技术革命发展的重要基础，并节能降耗、增产节约提高生产效能的重要技术手段。微电子技术、计算机技术以及大功率电力电子技术的快速发展，极大地推动了电工技术、电气工程和电力系统的技术发展和进步。 电力电子器件是电力电子技术发展的基础。正是大功率晶闸管的发明，使得半导体变流技术从电子学中分离出来，发展成为电力电子技术这一专门的学科。而二十世纪九十年代各种全控型大功率半导体器件的发明，进一步拓展了电力电子技术应用和覆盖的领域和范围。电力电子技术的应用领域已经深入到国民经济的各个部门，包括钢铁、冶金、化工、电力、石油、汽车、运输以及人们的日常生活。功率范围大到几千兆瓦的高压直流输电，小到一瓦的手机充电器，电力电子技术随处可见。电力电子技术在电力系统中的应用中也有了长足的发展，电力电子装置与传统的机械式开关操作设备相比有动态响应快，控制方便，灵活的特点，能够显著地改善电力系统的特性，在提高系统稳定、降低运行风险、节约运行成本方面有很大潜力。摘要掌握晶闸管的使用，用晶闸管控制单相桥式全控整流电路（阻感性负载）并画出整流电路中输入输出、各元器件的电压、电流波形，理解单相桥式全控整流电路阻感负载的工作原理和基本计算。选择触发电路的结构，考虑保护电路。目录前言 -1摘要 -1目录 -2 1 设计任务书 1.1.设计任务-5 1.2.技术要求-52 设计内容2.1 方案的选择-53 触发电路的设计 3. 1同步触发电路-6 3. 2 晶闸管的触发条件-7 3. 3 晶闸管的分类-7 3. 4形成与脉冲放大环节-73. 5锯齿波形成与脉冲移相环节-8 3. 6同步信号与主回路的相位关系-8 4驱动电路与保护电路的设计4. 1典型全控型器件的驱动电路-9 4. 2 电力电子器件的保护-10 5. 单相桥式全控整流电路原理说-126元器件和电路参数计算6. 1元件选取-晶闸管（SCR）-136. 2晶闸管的选型 -187 整流变压器额定参数计算7.1 二次相电压U2 -197.2 一次与二次额定电流及容量计算 -208 设计结果分析 -219 心得体会 -2210 参考文献 -23 1.设计任务书1.1.设计任务：1、进行设计方案的比较，并选定设计方案；2、完成单元电路的设计和主要元器件说明；3、完成主电路的原理分析,各主要元器件的选择；4、驱动电路的设计,保护电路的设计；1.2.技术要求:（1）电网供电电压为单相220V； （2）变压器二次侧电压为110V；（3）输出电压连续可调，为0100V；（4）带阻感性负载：L=1000mH，R=1002. 设计内容2.1方案的选择单相相控整流电路可分为单相半波、单相全波和单相桥式相控流电路，它们所连接的负载性质不同就会有不同的特点。下面分析各种单相控整流电路在带电阻性负载、电感性负载和反电动势负载时的工作情况。单相半控整流电路的优点是：线路简单、调整方便。弱点是：输出电压脉动冲大，负载电流脉冲大（电阻性负载时），且整流变压器二次绕组中存在直流分量,使铁心磁化，变压器不能充分利用。而单相全控式整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高的优点。 单相全控式整流电路其输出平均电压是半波整流电路2倍，在相同的负载下流过晶闸管的平均电流减小一半；且功率因数提高了一半。 根据以上的比较分析因此选择的方案为单相全控桥式整流电路（负载为阻感性负载）。 3 触发电路的设计3.1同步触发电路晶闸管最重要的特性是可控的正向导通特性.当晶闸管的阳极加上正向电压后,还必须在门极与阴极之间加上一个具有一定功率的正向触发电压才能打通, 这一正向触发电压的导通是由触发电路提供的,根据具体情况这个电压可以是交流、直流或脉冲电压。由于晶闸管被触发导通以后，门极的触发电压即失去控制作用，所以为了减少门极的触发功率，常常用脉冲触发。触发脉冲的宽度要能维持到晶闸管彻底导通后才能撤掉，晶闸管对触发脉冲的幅值要求是：在门极上施加的触发电压或触发电流应大于产品提出的数据，但也不能太大，以防止损坏其控制极，在有晶闸管串并联的场合，触发脉冲的前沿越陡越有利于晶闸管的同时触发导通。为了保证晶闸管电路能正常，可靠的工作，触发电路必须满足以下要求：触发脉冲应有足够的功率，触发脉冲的电压和电流应大于晶闸管要求的数值，并留有一定的裕量。由闸管的门极伏安特性曲线可知，同一型号的晶闸管的门极伏安特性的分散性很大，所以规定晶闸管元件的门极阻值在某高阻和低阻之间，才可能算是合格的产品。晶闸管器件出厂时，所标注的门极触发电流Igt、门极触发电压U是指该型号的所有合格器件都能被触发导通的最小门极电流、电压值，所以在接近坐标原点处以触发脉冲应一定的宽度且脉冲前沿应尽可能陡。由于晶闸管的触发是有一个过程的，也就是晶闸管的导通需要一定的时间。只有当晶闸管的阳极电流即主回路电流上升到晶闸管的掣住电流以上时，晶闸管才能导通，所以触发信号应有足够的宽度才能保证被触发的晶闸管可靠的导通，对于电感性负载，脉冲的宽度要宽些，一般为0.51MS，相当于50HZ、18度电度角。为了可靠地、快速地触发大功率晶闸管，常常在 触发脉冲的前沿叠加上一个触发脉冲。触发脉冲的相位应能在规定范围内移动。例如单相全控桥式整流电路带电阻性负载时，要求触发脉冲的移项范围是0度180度，带大电感负载时，要求移项范围是0度90度；三相半波可控整流电路电阻性负载时，要求移项范围是0度90度。同步电压：来自同步电源(同步电源变压器)，经锯齿波形成电路，得到与电源同步的锯齿波电压。缺少同步电压则不能形成锯齿波电压，将无触发脉冲；锯齿波电压：锯齿波电压与控制电压，偏移电压叠加，在其交叉点形成触发脉冲；没有锯齿波电压，也将无触发脉冲；控制电压：工作时，控制其大小，实现在需要的范围内移相；偏移电压：与控制电压叠加，以确定控制电压为零时，触发脉冲的初始位相位。如果缺少偏移电压，或偏移电压不当，将不能在需要的范围内移相。触发脉冲与主电路电源必须同步。为了使晶闸管在每一个周期都以相同的控制角被触发导通，触发脉冲必须与电源同步，两者的频率应该相同，而且要有固定的相位关系，以使每一周期都能在同样的相位上触发。触发电路同时受控于电压uc与同步电压us控制。3.2晶闸管的触发条件（1）: 晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通； （2）：晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管都才能导通；（3）：晶闸管一旦导通门极旧失去控制作用；（4）：要使晶闸管关断，只能使其电流小到零一下.3.3晶闸管的分类晶闸管分为：快速晶闸管，逆导晶闸管，双向晶闸管，光控晶闸管，门极可关断晶闸管（GTO），电力晶闸管（GTR），功率场效应晶闸管（MOSFET），绝缘珊双极晶闸管（IGBT），MOS控制晶闸管，集成门极换向晶闸管.静电感应晶体管。3.4 形成与脉冲放大环节脉冲的形成环节由晶闸管V4、V5组成，V7、V8组成脉冲功率放大环节。控制、电压uct和负偏移相电压up分别经过电阻R6、R7、R8并联接入V4基极。在分析该环节时，暂不考虑锯齿波电压ue3和负偏电压up对电路的影响。对控制电压uct=0时，V4截止，+15V电源通过电阻R11供给V5一个足够大的基极电流，使V5饱和导通，V5的集电极电压接近-15V，所以V7、V8截止，无脉冲输出，同时，+15V电源经R9和饱和晶体管V5及-15V电源对电容C3进行充电，充电结束后，电容两端电压为30V，其左端为+15V右端为-15V。 调节电压uct，当uct0.7V时，V4由截止变为饱和导通，其集电极A端ua由+15V迅速下降至1V左右，由于电容C3上的电压不能突变，C3右端的电压也开始的-15V下降至-30V，V5的基射结由于受到反偏而立即截止，其集电极电压uc5由开始的-15V左右迅速上升，当uc52.1时，V7、V8导通，脉冲变压器一次侧流过电流，其二次侧有触发脉冲输出。同时，电容C3反向充电使V5的基极电压ub5由-30V开始上升，当ub5-15V，V5又重新导通，uc5又变成-15V，使V7、V8又截止，输出脉冲结束。可见，V4导通的瞬间决定了脉冲发出的时刻，到V5截止时间即是脉冲的宽度，而V5截止时间的长短反向充电时间常数R11C3决定的。3.5 锯齿波形成与脉冲移相环节该环节主要由V1、V2、V3、C2、VS等元器件组成，锯齿波是由恒流源电流对C2充电形成的。在图中，VS、RP2、R3、V1组成了一个恒流源电路，恒流源电流Ic1对电容C2进行充电，电容C2两端的电压uc2为 uc2=t可见，uc2是随时间现性变化的，其充电斜率为。当V2导通时，由于电阻R4的阻值很少，所以，电容C2经R4及V2迅速放电，当V2周期性的关断与导通时，电容C2两端就得到了线性很好的锯齿波电压，要想改变锯齿波的斜率，只要改变充电电流的大小，即只要改变RP2的阻值即可。该锯齿波电压经过由V3管组成射极跟随器后，ue3是一个与远波形相同的锯齿波电压。Ue3、up、uct三个信号通过电阻R6、R7、R8的综合作用成为ub4，它控制V4的导通与关断。这里采用电工学课程中的叠加原理，在考虑一个信号在b4点的作用时，可以将另外两个信号接地，而三个信号在b4点作用综合电压ub4才是控制V4的真正信号。当uct=0时，V4的基极电压的ub4的波形有ue3+up决定，控制偏移电压up的大小。使锯齿波向下移动。当uct从0增加时，V4的基极电位ub4的波形就由ue3+uct+up决定，即当ub40.7V时的时刻，即V4由截止转为导通的时刻，也就是该时刻电路输出脉冲。如果把偏移电压up调整到某特定值而固定时，调节控制电压uct就能改变ub4波形上升到0.7V的时间，也就是说，改变控制电压uct就可以改变移动脉冲电压的相位，从而达到脉冲移相的目的。电路中设置负偏移电压up的目的是为了确定初始脉冲相位。通过三相桥式整流及逆变电路的分析可知：当负载大电感连续时，三相桥式整流电路的脉冲初始相位在控制角=90的位置，对于可逆系统，电路需要在整流与逆变两种工作状态，这时需要脉冲的移相范围约为180，考虑锯齿波电压波形两端的非线性，因此要求锯齿波底宽为240，此时使脉冲初始位置调整到锯齿波的中点位置，对应主电路=90位置。 3.6 同步信号与主回路的相位关系 同步问题是指触发脉冲与主回路电源同步。同步变压器BT和主回路整流变压器接在同一交流电源上，具有相同频率。主回路整流变压器为Yo/Y-12联接组，同步变压器为Y/Y-6，Y/Y-12联接组。选择T1的同步电压为-uTa，其余T2T6的同步电压见图5-2。被触发的晶闸管T1T2T3T4主回路电压+Ua-Ub+Ub-Ua同步信号电压-uTa+uTb-uTb+uTa 图5-2晶闸管单相全控桥中晶闸管的同步信号电压同步变压器二次正弦波电压uBT经D1间接地加在T2的基极上。在uBT负半周的下降段，D1导通，同步电压uBT对C1迅速充电，C1的端电压uA跟随uBT变化，T2截止。在uBT负半周的上升段，电源通过R1给C1反向充电，由于充电时间常数较大，致使电容端电压uA波形上升比uBT缓慢，D1截止。随着C1反向充电，A点电位按指数规律逐渐上升，当A点电位大于1V后，D2、T2开始导通，uA稳定在1.4V左右。因此可使T2截止时间大于180，达到240左右。由WD1、R2、R4、WR1及T1组成恒流电路。在T2截止时，+12V直流电源经WR1、R4和T1对C2进行恒流充电。在T2导通后，电容C2通过R3和T2放电，由于R3电阻很小，所以C2迅速放电，使T3基极电位迅速降到0V附近。于是在C2两端形成底宽为240左右的正锯齿波电压，此电压通过T3组成的射极跟随器输出。由于可逆系统，电路需要在整流和逆变状态下工作，这时要求脉冲移相范围约为180，考虑到锯齿波波形两端的非线性，因而要求锯齿波宽度大于180。4驱动电路与保护电路的设计4.1典型全控型器件的驱动电路GTO是电流驱动型器件。它的导通控制与普通晶闸管相似，但对触发前沿的幅值和陡度要求较高，且一般需要在整个导通期间施加正向门极电流。要使GTO关断则需施加反向门极电流，对其幅值和陡度的要求则更高，幅值需达到阳极电流的1/3左右，陡度需达50A/s，其中强负脉冲宽度约30s，负脉冲总宽度100s，关断后还需在门极-阴极间施加约5V的负偏压，以提高器件的抗干扰能力。GTO一般用于大容量电流的场合，其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直流耦合式两种类型。直流耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可以得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较为广泛，其缺点是功耗大，效率低。直流耦合式GTO驱动电路的电源由高频电源经二极管整流后得到，二极管VD1和电容C1提供+5V电压，VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路，提供+15V电压，VD4和电容C4提供-15V电压。场效应晶体管V1开通时，输出正强脉冲；V2开通时，输出正脉冲平顶部分；V2关断而V3开通时输出负脉冲；V3关断后电阻R3和R4提供门极负偏压。4.2 电力电子器件的保护在电力电子器件电路中，除了电力电子器件参数要选择合适，驱动电路设计良好外，采用合适的过电压保护，过电流保护，du/dt保护和di/dt保护也是必不可少的。4.2.1 过电压的产生及过电压保护电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压两类。(1):外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因，包括：操作过电压：由分闸，合闸等开关操作引起的过电压，电网侧的操作过电压会由供电变压器电磁感应耦合，或由变压器绕组之间的存在的分布电容静电感应耦合过来。雷击过电压：由雷击引起的过电压。(2): 内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程，包括以下几个部分。换相过电压：由于晶闸管或者与全控型器件反并联的续流二极管在换相结束后不能恢复阻断能力时，因而有较大的反向电流通过，使残存的载流子恢复，而当其恢复了阻断能力时，反向电流急剧减小，这样的电流突变会因线路电感而在晶闸管阴阳极这间或与续流二极管反并联的全控型器件两端产生过电压。关断过电压：全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而线路电感在器件两端感应出的过电压。各电压保护措施及配置位置，各电力电子装置可视具体情况只来用采用其中的几种。其中RC3和RCD为抑制内因过电压的装置，其功能属于缓冲电路的范畴。在抑制外因过电压的措施中，采用RS过电压抑制电路是最为常见的。RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（通常供电电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧）或电力电子电路的直侧流。对于大容量的电力电子装置，可采用图139所示的反向阻断式RC电路。有关保护电路的参数计算可参考相关的工程手册。采用雪崩二极管，金属氧化物压敏电阻，硒堆和转折二极管（BOD）等非线性元器件来限制或吸收过电压也是较为常用的手段。4.2.2 过电流保护电力电子电路运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流现象。过电流分载和短路两种情况。一般电力电子均同时采用几种过电压保护措施，怪提高保护的可靠性和合理性。在选择各种保护措施时应注意相互协调。通常，电子电路作为第一保护措施，快速熔断器只作为短路时的部分区断的保护，直流快速断路器在电子电力动作之后实现保护，过电流继电器在过载时动作。在选择快熔时应考虑：1、电压等级应根据快熔熔断后实际承受的电压来确定。2、电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路连接形式确定。快熔一般与电力半导体体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。3、快熔的It值应小于被保护器件的允许It值。4、为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。快熔对器件的保护方式分为全保护和短保护两种。全保护是指无论过载还是短路均由快熔进行保护，此方式只适用于小功率装置或器件使用裕量较大的场合。短路保护方式是指快熔只要短路电流较大的区域内起保护作用，此方式需与其他过电流保护措施相配合。对一些重要的且易发生短路的晶闸管设备，或者工作频率较高，很难用快熔保护的全控型器件，需要采用电子电路进行过电流保护。除了对电动机起动时的冲击电流等变化较慢的过电流可以用控制系统本身调节器进行对电流的限制之外，需设置专门的过电流保护电子电路，检测到过流之后直接调节触发，驱动电路，或者关断被保护器件。此外，常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，这种措施对器件过电流的5. 单相桥式全控整流电路原理说明5.1.阻感性负载1）工作原理:假设电路已经工作在稳定状态， 图5.1阻感性负载电路（a）工作波形（b）假设 ，负载电流连续，近似为一平直的直线。 （1）输出电压平均值Ud和输出电流平均值Id（2）晶闸管的电流平均值IdT和有效值IT （3）输出电流有效值I和变压器二次电流有效值I2（4）晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压均为6元器件和电路参数计算6.1元件选取-晶闸管（SCR）6.1.1 晶闸管的结构晶闸管是大功率的半导体器件，从总体结构上看，可区分为管芯及散热器两大部分，分别如图1-6及图1-7所示。 a） 螺栓型 b）平板型 c）符号图6.1 晶闸管管芯及电路符号表示管芯是晶闸管的本体部分，由半导体材料构成，具有三个与外电路可以连接的电极：阳极，阴极和门极（或称控制极），其电路图中符号表示如图1-6c）所示。散热器则是为了将管芯在工作时由损耗产生的热量带走而设置的冷却器。按照晶闸管管芯与散热器间的安装方式，晶闸管可分为螺栓型与平板型两种。螺栓型（图1-6a）依靠螺栓将管芯与散热器紧密连接在一起，并靠相互接触的一个面传递热量。a）自冷 b）风冷 c）水冷 图6.2 晶闸管的散热器晶闸管管芯的内部结构如图1-3所示，是一个四层（P1N1P2N2）三端（A、K、G）的功率半导体器件。它是在N型的硅基片（N1）的两边扩散型半导体杂质层（P1、P2），形成了两个PN结J1、J2。再在P2层内扩散型半导体杂质层N2又形成另一个PN结J3。然后在相应位置放置钼片作电极，引出阳极A，阴极K及门极G，形成了一个四层三端的大功率电子元件。这个四层半导体器件由于三个PN结的存在，决定了它的可控导通特性。图6.3 晶闸管管芯结构原理图 6.1.2 晶闸管的工作原理通过理论分析和实验验证表明：1） 只有当晶闸管同时承受正向阳极电压和正向门极电压时晶闸管才能导通，两者不可缺一。2） 晶闸管一旦导通后门极将失去控制作用，门极电压对管子随后的导通或关断均不起作用，故使晶闸管导通的门极电压不必是一个持续的直流电压，只要是一个具有一定宽度的正向脉冲电压即可，脉冲的宽度与晶闸管的开通特性及负载性质有关。这个脉冲常称之为触发脉冲。3） 要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫安）。这可以通过增大负载电阻，降低阳极电压至接近于零或施加反向阳极电压来实现。这个能保持晶闸管导通的最小电流称为维持电流，是晶闸管的一个重要参数。晶闸管为什么会有以上导通和关断的特性，这与晶闸管内部发生的物理过程有关。晶闸管是一个具有P1N1P2N2四层半导体的器件，内部形成有三个PN结J1、J2、J3，晶闸管承受正向阳极电压时，其中J1、J3承受反向阻断电压，J2承受正向阻断电压。这三个PN结的功能可以看作是一个PNP型三极管VT1（P1N1P2）和一个NPN型三极管VT2（N1P2N2）构成的复合作用，如图1-9所示。图6.4 晶闸管的等效复合三极管效应可以看出，两个晶体管连接的特点是一个晶体管的集电极电流就是另一个晶体管的基极电流，当有足够的门极电流Ig流入时，两个相互复合的晶体管电路就会形成强烈的正反馈，导致两个晶体管饱和导通，也即晶闸管的导通。如果晶闸管承受的是反向阳极电压，由于等效晶体管VT1、VT2均处于反压状态，无论有无门极电流Ig，晶闸管都不能导通。6.1.3 晶闸管的基本特性1静态特性静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。（1） 阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压Uak与阳极电流ia之间的关系曲线，如图1-10所示。图6.5 晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区；负阻区；正向导通低阻区；反向阻断高阻区阳极伏安特性可以划分为两个区域：第象限为正向特性区，第象限为反向特性区。第象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。（2） 门极伏安特性晶闸管的门极与阴极间存在着一个PN结J3，门极伏安特性就是指这个PN结上正向门极电压Ug与门极电流Ig间的关系。由于这个结的伏安特性很分散，无法找到一条典型的代表曲线，只能用一条极限高阻门极特性和一条极限低阻门极特性之间的一片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图1-11阴影区域所示。 图6.6 晶闸管门极伏安特性2动态特性晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时，有时也在高频电力电子电路中得到应用，如逆变器等。在高频电路应用时，需要严格地考虑晶闸管的开关特性，即开通特性和关断特性。（1）开通特性晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。图1-12给出了晶闸管的开关特性。在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流，由于晶闸管内部正反馈过程及外电路电感的影响，阳极电流的增长需要一定的时间。从突加门极电流时刻到阳极电流上升到稳定值IT的10%所需的时间称为延迟时间td，而阳极电流从10%IT上升到90%IT所需的时间称为上升时间tr，延迟时间与上升时间之和为晶闸管的开通时间tgt=td+tr，普通晶闸管的延迟时间为0.51.5s，上升时间为0.53s。延迟时间随门极电流的增大而减少，延迟时间和上升时间随阳极电压上升而下降。图6.7 晶闸管的开关特性（2）关断特性通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。反压可利用电源、负载和辅助换流电路来提供。要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。晶闸管的关断，就是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力。突加反向阳极电压后，由于外电路电感的存在，晶闸管阳极电流的下降会有一个过程，当阳极电流过零，也会出现反向恢复电流，反向电流达最大值IRM后，再朝反方向快速衰减接近于零，此时晶闸管恢复对反向电压的阻断能力。6.1.4 晶闸管的主要参数要正确使用一个晶闸管，除了了解晶闸管的静态、动态特性外，还必须定量地掌握晶闸管的一些主要参数。现对经常使用的几个晶闸管的参数作一介绍。1电压参数（1） 断态重复峰值电压UDRM 门极开路，元件额定结温时，从晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区（图1-10中的曲线）漏电流急剧增长的拐弯处所决定的电压称断态不重复峰值电压UDSM，“不重复”表明这个电压不可长期重复施加。取断态不重复峰值电压的90定义为断态重复峰值电压UDRM，“重复”表示这个电压可以以每秒50次，每次持续时间不大于10ms的重复方式施加于元件上。（2） 反向重复峰值电压URRM 门极开路，元件额定结温时，从晶闸管阳极伏安特性反向阻断高阻区（图1-10中曲线）反向漏电流急剧增长的拐弯处所决定的的电压称为反向不重复峰值电压URSM，这个电压是不能长期重复施加的。取反向不重复峰值电压的90定义为反向重复峰值电压URRM，这个电压允许重复施加。（3） 晶闸管的额定电压UR 取UDRM和URRM中较小的一个，并整化至等于或小于该值的规定电压等级上。电压等级不是任意决定的，额定电压在1000以下是每100一个电压等级，1000至3000则是每200一个电压等级。由于晶闸管工作中可能会遭受到一些意想不到的瞬时过电压，为了确保管子安全运行，在选用晶闸管时应使其额定电压为正常工作电压峰值UM的23倍，以作安全余量。UR =（23）UM （1-4）（4） 通态平均电压UT（AV）指在晶闸管通过单相工频正弦半波电流，额定结温、额定平均电流下，晶闸管阳极与阴极间电压的平均值，也称之为管压降。在晶闸管型号中，常按通态平均电压的数值进行分组，以大写英文字母AI表示。通态平均电压影响元件的损耗与发热，应该选用管压降小的元件来使用。2电流参数（1） 通态平均电流IT（AV） 在环境温度为40、规定的冷却条件下，晶闸管元件在电阻性负载的单相、工频、正弦半波、导通角不小于170的电路中，当结温稳定在额定值125时所允许的通态时的最大平均电流称为额定通态平均电流IT（AV）。选用晶闸管时应根据有效电流相等的原则来确定晶闸管的额定电流。由于晶闸管的过载能力小，为保证安全可靠工作，所选用晶闸管的额定电流IT（AV）应使其对应有效值电流为实际流过电流有效值的1.52倍。按晶闸管额定电流的定义，一个额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流有效值为157A。晶闸管额定电流的选择可按下式计算。 （1-5）（2） 维持电流IH 维持电流是指晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安。维持电流与结温有关，结温越高，维持电流越小，晶闸管越难关断。（3） 掣住电流IL 晶闸管刚从阻断状态转变为导通状态并撤除门极触发信号，此时要维持元件导通所需的最小阳极电流称为掣住电流。一般掣住电流比维持电流大（24）倍。3晶闸管的型号普通型晶闸管型号可表示如下KP电流等级电压等级/100通态平均电压组别其中其中K代表闸流特性，P为普通型。如KP50015型号的晶闸管表示其通态平均电流（额定电流）IT（AV）为500A，正反向重复峰值电压（额定电压）UR为1500V，通态平均电压组别以英文字母标出，小容量的元件可不标。6.2晶闸管的选型该电路为大电感负载，电流波形可看作连续且平直的。Ud=100V时，不计控制角余量按=0计算由Ud=0.9U2得U2=111V 取150VU =（23）U=（23）U2=（23）150V=7351102 V取U为1000V当=1时，晶闸管额定电流= =0.64A考虑2倍裕量：取1.28A7 整流变压器额定参数计算在很多情况下晶闸管整流装置所要求的交流供电电压与电网往往不能一致，同时又为了减少电网与整流装置的相互干扰，使整流主电路与电网隔离，为此需要配置整流变压器。整流变压器根据主电路的型式、负载额定电压和额定电流，算出整流变压器二次相电压U2、一次与二次额定电流以及容量。由于整流变压器二次与一次电流都不是正弦波，因而存在着一定的谐波电流，引起漏抗增大，外特性变软以及损耗增大，所以在设计或选用整流变压器时，应考虑这些因素。7.1 二次相电压U2平时我们在计算U2是在理想条件下进行的，但实际上许多影响是不可忽略的。如电网电压波动、管子本身的压降以及整流变压器等效内阻造成的压降等。所以设计时U2应按下式计算：U2=式中 U负载的额定电压； 整流元件的正向导通压