课件：武汉理工材料学课件晶体结构缺陷.ppt

第二章 晶体结构缺陷,研究缺陷的意义：由于缺陷的存在，才使晶体表现出各种各样的性质，使材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变，使材料性能的改善和复合材料的制备得以实现。因此，了解缺陷的形成及其运动规律，对材料工艺过程的控制，对材料性能的改善，对于新型材料的设计、研究与开发具有重要意义。,缺陷的含义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。,缺陷对材料性能的影响举例: 材料的强化，如钢是铁中渗碳 陶瓷材料的增韧 半导体掺杂,本章主要内容：,2.1 晶体结构缺陷的类型 2. 2 点缺陷 2.3 线缺陷 2.4 面缺陷 2.5 固溶体 2.6 非化学计量化合物,本章要求掌握的主要内容：,掌握缺陷的基本概念、分类方法； 掌握缺陷的类型、含义及其特点； 熟练书写点缺陷的缺陷反应方程式、化学平衡方法计算热缺陷的浓度； 了解缺陷在材料性能的改善、新型材料的设计、研究与开发中的意义。,2.1 晶体结构缺陷的类型,分类方式： 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等 形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等,一、按缺陷的几何形态分类,本征缺陷,杂质缺陷,点缺陷 零维缺陷,线缺陷 一维缺陷,位错,面缺陷 二维缺陷,小角度晶界、大角度晶界,挛晶界面,堆垛层错,体缺陷 三维缺陷,包藏杂质,沉淀,空洞,1. 点缺陷（零维缺陷） Point Defect 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。,包括：空位（vacancy） 间隙质点（interstitial particle） 错位原子或离子 外来原子或离子（杂质质点）（foreign particle） 双空位等复合体,点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。,Now What Do You See?,Vacancy,Interstitial, Vacancies:,-vacant atomic sites in a structure., Self-Interstitials:,-“extra“ atoms positioned between atomic sites.,Point Defects,Common,Rare,Two outcomes if impurity (B) added to host (A):, Solid solution of B in A (i.e., random dist. of point defects),OR,Substitutional alloy (e.g., Cu in Ni),Interstitial alloy (e.g., C in Fe),Impurities In Solids,8, Impurities must also satisfy charge balance, Ex: NaCl, Substitutional cation impurity, Substitutional anion impurity,Impurities in Ceramics,2. 线缺陷（一维缺陷）位错(dislocation),指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。如各种位错（dislocation），如图所示。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。,刃型位错,刃型位错示意图：(a)立体模型;(b)平面图,晶体局部滑移造成的刃型位错,螺型位错,(b),螺型位错示意图:（a）立体模型 ；（b）平面图,2019/8/20,17,可编辑,螺型位错示意图,3.面缺陷,面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。,面缺陷晶界,晶界示意图,亚晶界示意图,晶界: 晶界是两相邻晶粒间的过渡界面。由于相邻晶粒间彼此位向各不相同，故晶界处的原子排列与晶内不同，它们因同时受到相邻两侧晶粒不同位向的综合影响，而做无规则排列或近似于两者取向的折衷位置的排列，这就形成了晶体中的重要的面缺陷。 亚晶界: 实验表明，在实际金属的一个晶粒内部晶格位向也并非一致，而是存在一些位向略有差异的小晶块（位向差一般不超过2)。这些小晶块称为亚结构。亚结构之间的界面称为亚晶界。,面缺陷堆积层错 面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b),面缺陷共格晶面 面心立方晶体中111面反映孪晶,热缺陷,杂质缺陷,二 按缺陷产生的原因分类,非化学计量缺陷,晶体缺陷,电荷缺陷,辐照缺陷,1. 热缺陷,类型:弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）和肖特基缺陷（Schottky defect）,定义:热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生 的空位或间隙质点（原子或离子）。,热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度增加,T E 热起伏(涨落) E原子 E平均 原子脱离其平衡位置 在原来位置上产生一个空位,热缺陷产生示意图,（a）单质中弗仑克尔缺陷的形成（空位与间隙质点成对出现）,（b）单质中的肖特基缺陷的形成, 表面位置 (间隙小/结构紧凑), 间隙位置 (结构空隙大),Frenkel 缺陷,M X:,Schottky 缺陷,2. 杂质缺陷,特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。 杂质缺陷对材料性能的影响,定义:亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷。,基质原子,杂质原子,取代式,间隙式,能量效应,体积效应,体积效应,3. 非化学计量缺陷,特点: 其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。是一种半导体材料。,定义: 指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。如Fe1xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。,电荷缺陷：质点排列的周期性未受到破坏，但因电子或空穴 的产生，使周期性势场发生畸变而产生的缺陷； 包括：导带电子和价带空穴,4. 其它原因，如电荷缺陷，辐照缺陷等,辐照缺陷：材料在辐照下所产生的结构不完整性； 如：色心、位错环等； 辐照缺陷对金属的影响：高能辐照（如中子辐照），可把原子从正常格点位置撞击出来，产生间隙原子和空位。 降低金属的导电性并使材料由韧变硬变脆。退火可排除损失。 辐照缺陷对非金属晶体的影响：在非金属晶体中，由于