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1、一、在电子线路的分析计算中，哪些因素可以忽略，哪些因素不能忽略 答：在电子线路的分析计算中，经常根据工程观点，采用近似的计算方法。这是为了简化复杂的实际问题，突出主要矛盾，使分析计算得以比较顺利地进行。在这里，过分追求严密，既无必要，也不可能。但是，近似计算又必须是合理的，必须满足工程上对计算精度的要求。例如，在固定偏置的放大电路中，偏置电流 如Vcc=12V,VBEQ=0.7V,则相对于Vcc，在计算时完全可以略去VBEQ，而认为 这样做，计算误差小于10%，满足工程要求。但是，如果 是两个数值较大而又比较接近的电流之差： 此时第一个除式中的

2、VBEQ就不能忽略，而且两个除式的计算都要比较精确，要有较多的有效数字位数，否则会得出不合理的结果。又如，在求两个电阻并联后的总电阻时，如果一个电阻比另一个大10倍以上，则可认为总电阻近似等于较小的电阻，这样的近似计算误差也不大于10%。再如，在求放大电路的输出电阻时，管子的rec往往是和一个比它小得多的电阻（例如RC）并联。这时，因为rce>>Rc，在并联时rce就可略去 ，而认为输出电阻RORc。但是，在晶体管恒流源中，如果略去管子的rce，则恒流源的输出电阻Ro。在这里，rce是和一个无限大的电阻并联，当然就不能略去。一个电阻是否可忽略，要看它和其它电阻相比所起作用

3、的大小 二、在放大电路中，交流信号源为什么要标出正、负 答：弄清这个问题有助于真正理解放大电路的工作原理和交、直流共存的特点，也是初学者容易产生疑问的地方放大电路在静态(i=0)和动态(i0)时，各处的电压如上图所示。对Cb1：在静态时，+Vcc通过Rb对它充电，稳态时，它两端的电压必然等于VBEQ，而通过它的直流电流为零。电压极性是右正左负。所以，它的作用之一是"隔断直流"，不使它影响信号源。在动态时，如果电容量很大，而vi幅值很小，Cb1两端的电压将保持不变。这样，Cb1两端的交流电压将为零，而全部Vi都加在管子的b-e结上，使VCE=VCBQ+vi

4、所以，Cb1的另一个作用是"传送交流"，使交流信号顺利通过。对Cb2情况相似。在静态时，Vcc通过Rc对它充电。稳态时，它两端的电压必然等VBEQ，极性是左正右负，而通过它的直流电流为零，所以RL上的电压vo=0。这是Cb2的隔直作用。在动态时，如果电容量很大，Cb2两端的电压将保持不变，仍为VBEQ。这样，Cb2两端的交流电压将为零，而VCE=VCBQ+vce中的交流 分量全部出现在RL上，即vo=vce。这是Cb2的传送交流作用   四、如果用型三极管组成的共射电路，直流电源和耦合电容的极性应当如何考虑？直流负载线的方程式有何变化

5、 答：这里也有初学者容易产生混淆的问题。在采用型管时，首先电源的极性要反接，耦合电容（一般用电解电容器）的极性也要反接。电路中IB、Ic和VCE的方向也要和型管的相反。这样，直流负载线的的方程式应为 -VCE=VCC-ICRC。它的形式与采用管时略有不同。所以，建议放大电路中直流电压和电流的极性和方向以管为准，对管则全部反号。这时，直流负载线的议程式仍为 VCE=VCC-ICRC，式中VCE、VCC、IC都为负值 五、工作点是一个什么概念? 除了直流静态工作点之外，有没有交流动态工作点 答：工作点是放大电路分析中一个十分重要的概念，它

6、指的是电路中二极管或晶体管的工作状态，经常用它们极间的电压和流入电极的电流的大小来表示。例如，二极管的VD、ID，三极管的VBE,ib,VCE,ic。管子的工作状态和工作点分两类。一类是不加交流输入信号，电路中只有直流量的工作状态和工作点，叫"静态"和"静态工作点"。另一类是加了交流输入信号后，电路中直流和交流量共存的工作状态和工作点。此时，电路和管子中的电压和电流都随时间变动，所以叫"动态"和"动态工作点"。前面说过，在直流电源、元件参数和管子特性（有时还包括负载电阻）确定之后，直流静态工作点只有一个。而在交流动

7、态时，工作点随交流输入信号在时间上不断变化，它的变化轨迹就是交流负载线。在某一交流输入信号下，管子的交流动态工作点在交流负载线上的变化范围就是动态范围? 六、什么是管子的静态功耗？如果交流输入信号幅值较大，如何减小这一功耗 答：管子的静态功耗PVQ就是在静态时管子集电极上消耗的功率：PVQ=VCEQICQ。为了减少这一功耗，就要尽量降低管子的静态工作点Q。但是，在交流输入信号幅度较大时，降低Q点会使放大电路输出信号失真。此时，可以采用新的电路组成方案来解决，如乙类推挽或互补对称电路（见第"功率放大器"） 七、放大电路负载最大的情况究竟是Ro还是

8、RL=0？为什么经常说RL愈小，电路负载愈大 答：电路负载的大小是指负载上输出功率的大小。在中频时，放大电路可以等效画成交流空载输出电压与输出电阻的串联，如图所示，其中V是电路的空载输出电压，RO是内阻，RL是负载电阻。不难求出，负载上的输出功率为 利用上式可求出Po为最大值Pomax时，负载电阻RLo=Ro，而 这就是说，从RL=0到RL=PLO，电路的输出功率P0随RL的增大而增大：从RL=PLO到RL，P0则随RL的增大而减小，如图（b）所示。放大电路一般工作在RL>RLO=RO的情况，所以说负载电阻RL愈小，Po也就是电路负载愈大。如果RL（空载）或

9、RL=0（短路），则均有Po=0，是负载最小的情况。   八、交流电阻和直流电阻区别何在？线性电阻元件有没有这两种电阻？为什么rbe不能用于静态计算 答：对线性电阻元件，只要工作频率不太高，它的电阻是个常数。也就是说，它在直流工作和交流工作时电阻相同，没有直流（静态）电阻与交流（动态）电阻之分。非线性电阻元件则不然。它的伏安特性I=f(V )不是直线，是曲线。即使是在直流工作时，只要电压和电流不同，或者说静态工作点不同，它的直流（静态）电阻R= 也不同(见图)。如果直流信号上还叠加着交流小信号，则非线性电阻元件对交流小信号的交流（动态

10、）电阻就是伏安特性在静态工作点处切线斜率的倒数，即 。所以，非线性电阻无件的交流（动态）电阻随工作点的不同而不同。从几何上说，非线性电阻元件的直流电阻元件的直流电阻由伏安特性在静态工作点处的割线斜率决定，而交流电阻则由特性在静态工作点处的切线斜决定。晶体管的发射结是结，它的伏安特性是非线性的。 ，其中第二部分就是结的伏安特性在静态工作点处切线斜率的倒数折合到基极回路后的值，是发射结的交流（动态）电阻，当然不能用来求静态电流 ，也不能由静态的VBEQ和IBQ来求 。否则，就是混淆了放大电路中直流量和交流量的区别，混淆了非线性元件直流（静态）电阻和交流（动态

11、）电阻的区别   九、在的放大电路中，如果RL(空载)，调节Rb使电路在一定的vi时 产生最大不失真输出电压，问Rb应为多大？怎样才能调到最佳位置 答：在R时，放大电路的直流负载线与交流负载线重合。为了产生最大不失真输出电压，点应选在负载线中央。此时必有即 所以 。在实际工作中，通过调节Rb来调整点是比较简单可行因而也是经常使用的方法。在调节时，应使输出电压既无饱和失真（对型管是波形底部削平），又无载止失真（对型管是波形顶部削平）。同时，在充分加大Vi时,输出波形又同时在预部和底部出现失 真  

12、 十、在采用型管组成放大电路时，如何判断输出波形的失真是由于饱和还是截止？如果彩型管，判断的结果又如何 答：这也是初学时容易混淆而又不易记住的问题。实际上，由于采用管和管时，电压的极性相反，所以判断的方法也将相反。在左图，画出了两种管子工作在截止失真的情况。对于NPN 管，因为电压极性为正，截止失真发生的输出波形正半周的顶部。对于管，因为电压极性为负，截止失真发生在输出波形负半周的底部。如果是饱和失真，则判断结果上述相反 十一、对于发射极有两个电阻，且有一个并有电容的放大电路如果要用图解法求最大不失真输出电压幅值，应该怎样进行 答：这里的主要问

13、题在射极上有电阻Re和Re。在动态时，Re被短路，但Re还在。画交流负载线时应该考虑它，而且用交流负载线上的动态范围决定出来的最大不失真电压幅值不是(Vcm)M，而是(Vcem)M，两者还相差Re上的电压。作直流负载线 ，如图（b）上的虚线。用分析射极偏置电路的方法求出ICQ=2.71mA，用它和直流负载线的交点定出点。作交流负载线。这里有两种处理方法： （） 过点作斜率为 的直线（如图 (b)上的交流负载线。注意：对应于这条线，横坐标表示的将是vo而不是vCE）。由此定出(Vom)M=12.3-6.9=5.4V。（） 过点作斜率为&

14、#160;的直线作为交流负载线，此时横坐标轴仍表示 。但是，在计算(Vom)M时，应从由这条交流负载线确定的值减去ICQ*0.2K=0.54V才是(Vom)M 十二、一般认为放大电路的输入电阻Ri愈大愈好，但在某些情况下则要求Ri小些。这些是什么情况 答：一般情况下，放大电路的信号源是一个电压源，它的内阻ro很小。为了使放大电路的输入电压Vi尽可能不失真地复现信号源电压Vs，希望放大电路的输入电阻Ri尽可能大，使 。在把放大电路用在测量电压的仪器内时，这一点龙为重要。在阴极射线示波器内用放大电路驱动磁偏转线圈时，也是这样。但是，当信号源是一个内阻Ro很大

15、的电流源时，就要求放大电路的输入电阻Ri比信号源内阻Ro小得多，使流入放大电路输入端的电流Ii尽可能接近信号源电流 。例如，光电管和硅光电池都以高内阻提供电流。为了把电流变换为低内阻电压源，就使用输入电阻小的放大电路。另外，为了减小外界干扰对放大电路的影响时，也希望放大电路的输入电阻小。必须指出：输入电阻的要领是对静态工作点附近的变化信号来说的，属于交流动态电阻，不能用来计算放大电路的静态工作点   十三、“共射放大电路的交流输入量和输出量反相”，这种说法确切吗 答：这种说法不确切，因为它没有指明输入量和输出量是什么。在放大电路的分析中，经常是

16、讲电压增益。这时，输出量和输入量都是电压。在这种情况下，共射放大电路从集电极输出的交流电压是和从基极输入的交流电压反相的。如果讲座的是基极输入电压和射极输出电流（约等于集电极输出电流）的相位关系，则在共射放大电路中两者是同相的。在本书的第部分"放大电路中的反馈"中分析多级放大电路级间反馈的极性时，要分析从输入量到引出反馈的那个输出量（电压或电流）的相位关系，此时就要特别注意这一点 十四、在用微变等效电路求放大电路的输出电阻时，对受控电流源应该如何处理 答：对不同接法组态的放大电路，决定输出电阻的微变等效电路不同，对受控电流源的处理也不同。例如，对共射电路

17、决定输出电阻的等效电路如图，图中的Rs是信号源内阻，rce是三极管的输出电阻在这个电路中，由于流过rbe的 ，受控源 也是零。所以，输出电阻 又如，对上图的共基电路，决定输出电阻的等效电路如下图（a）如果不考虑rbe，则因 而Ro=Rc。如果考虑rbe，则可将有内阻rbe的受控电流源变换为有内阻rbe的受控电压源，其方向为左正右负（图 (b)）令R=Rs/Re/rbe，则得 ,所以 或 从而求得 可见Ro很大，是(1+)rce量级，而      

18、         十五、共射放大电路的电压增益 。选择电流放大系数大的管子是否可以提高放大电路的电压增益 答：从 的表达式看，似乎加大就可以提高 。实际上还应考虑到管子的参数rbe和有关，即 。如果不考虑rbb，并认为1+，则 .由此可见，加大并不能有效地提高 。提高 的有效途径是调整放大电路的静态工作点以增大IEQ，这是在实践中经常采用的方法 一、什么叫频率响应？如果放大电路的幅频特性是一条水平线，好不好 

19、;答：频率响应（或率特性）是一个电路或系统的输出量与输入量（一般都是电压）之比（传输系数或增益）和输入信号的频率之间的关系。因为这个比值一般是复量，所以频率响应又可分为幅频特性和相频特性。频率响应的画法有多种。一种是以频率为参量，把电路或系统的传输系数或增益在不同频率下的幅值和对应的相位画在极坐标平面上。这就是幅相特性，在自动控制理论中经常用到。另一种就是在本课程中使用的对数幅频特性和相频特性。只要电路或系统中有电抗元件，因为它们的电抗随频率变化，电路或系统的传输系数或增益就将随频率的变化而变化。在放大电路中，影响频率响应的是耦合电容、旁路电容（低频段）、管子结电容和电路中的寄生电容（高频段）

20、。如果放大电路的幅频特性是一条水平线，也就是说放大电路对不同频率的输入信号有相同的放大，看起来很理想，实际上是不行的。因为对放大电路有影响的外界干扰的噪声往往是高频的，如果幅频特性是水平线，干扰对电路的影响将很大，这样的放大电路是不能正常工作的。理想的频率特性应该是：下限截目频率fL低于输入信号中的最低频率，而上限截止频率fH高于输入信号中的最高频率   二、在工作频率f低时，晶体管的 。在f高时，又为什么下降 答：在晶体管手中查出的管子的电流放大系数，一般是在信号频率较低（例如1KHz）时测定的。对于共射接法，通常用 表示。如果不断

21、提高测试频率，则先是保持低频值不变，而当频率进一步提高后，它就开始下降（图5-01）。这是因为晶体管的电流是由发射结出发，经基区输送，集电结收集，再经集电区体电阻送到外电路的。（）就发射结而言，它可以等效为电阻re和电容CTe的并联。通过结电容 的电流对基区不起注入作用。当信号频率升高时，通过CTe的电流变大，发射结的发射效率就下降。另外，对CTe的充放电需要一定时间，这就使注入基区的电流的增大比发射区的电流的处升要慢。总之，由结电容的存在，不仅使发射效率下降，而且使注入电流的变化相对于发射结电流有时间延迟。（）从发射区注入基区的电子从发射结边缘移动到集电结边缘，要有一个基区渡越时间

22、b，而且不同的电子b也不同，有分散性，当频率提高时，b的分散性就不能忽略。这样，集电结收集到的信号波形会展宽，幅度也会变小。（）当信号频率较高时，基区电子穿过集电结时，也有一定的分散，所以穿过结到达集电区的电子电流减小了，这也使电流放大系数下降。（）最后，电子在进入集电区后，流过集电区的体电阻，造成电压降，引起集电结电压变化。这样，又要对集电结势垒电容充放电，再次引起信号延迟和幅度减小。上述四个因素都使晶体管的随信号频率的升高而下降   三、在画出放大电路的截止频率和高频微变等效电路后，采用时间常数法决定电路的下限和上限截目频率，其根据是什么？要注意些什么

23、0;答：以图5-02(a)的电路为例，它的低频和高频微变等效电路如图5-03和5-04 要决定电路的截止频率，应该从等效电路写出相应的传递函数，画出频率特性，然后根据截止频率的定义来求。但是，这样做比较繁琐。实际上，在放大电路中，从输入US到输出Uo有一系列的信号传递过程，每一个过程都要涉及某些电路这些电路的时间常数就决定着电路的截止频率。以低频段为例。从US到Uo有两个信号传递过程：一是从US到Ib，一是从Ib到Uo前一过程涉及两个电容C1和Ce。先单独考虑C1，同时认为Ce短路。此时， 高通电路的频率特性，它在 处有一个向下的转折，斜率为 ，这个转折

24、决定了放大电路的下限截止频率。在时间常数法中，求对应于C1的下限截止频率时，先求 ，现时求 ，和上面通过写频率特性的求法是完全一致的。再看高频段的情况。从US到Uo有两个过程：一个是从US到Ub'e，它涉及电容C'另一个过程由gmUb'e 到 ，它不涉及电容。对前一过程， 这是一个低通电路的频率特性，它在 处有一个向下斜率为-20dB/dec的转折，这个转折决定了放大电路的上限截止频率。在时间常数法中，先求对应于C'的时间常数 再求 ，两者是完全一样的 在应用时间常数法求上

25、下限截止频率时，要注意信号的传递过程，所涉及的电路，并正确地求出其时间常数。例如，在低频段，当考虑电容Ce的作用时，信号传递的第一个过程是从US到Ib，涉及的电容是Ce，此时C1被认为是短路。把图5-04上点b以左的电路化为U'S与R'S的串联电路其中 ，并令 ，则经过推导可得出 这一过程涉及两个时间常数 。通常 ，所以影响低频特性的主要是2， 而 。在时间常数法中，对应于Ce的 ，和前面算出的主要的2完全相同   四、如何用混合参数II型等效电路说明共基和共集放大电路

26、的高频响应比共射电路好 答：共基放大电路的交流通路和高频微变等效电路如图5-05。rbb' 和C数值不大，可以忽略，从图5-05(b)看出，由于输入和输出之间没有反馈电容，因而不存在因密勒疚而必须将C折算到输入回路的问题。这样，输入端的电容只有C，它比共射电路中的C'要小得多。这样， 所在C回路的时间常数要比共射电路小得多，相应的 上限截止频率也要大得多。所以共基放大电路的高频响应比共射放大电路好，共基电路常用于高频和宽频带低输入阻抗的场合。共集放大电路的简化交流通路如图5-06。由图可见，因为它的集电极交流接地，所以管子b-c极之间的结

27、电容C对输入电流的分流作用减小了。这时从基极向管内看进去C的等效电容就是C，而不是共射放大电路中的 。另一方面，由于射极接有R'e，使b-e极之间的极间电容C对输入电流的分流作用也减小了。因此，共集放大电路的高频特性也比一般的共射放大电路好得多   五、当放大电路中的管子和信号源选定之后，电路的增益一带宽积GBP也就大体上因定了。对共集电路， ，所以fH高，但在共基电路中Au在数值上和共射电路相近，也比较大，为什么还用于高频和宽带放大 答：应该指出，放大电路的增益带宽积还与电路的组态有关。在上题中已经分析过，共基电路的上限截止

28、频率fH要比共射电路大得多。因此，虽然共基电路的电压增益Au在数值上和共射电路相近，但它的要比共射电路大得多。另外，和共集电路相比，虽然高频特性都比共射电路好得多，但共基电路的电压增又要大得多。所以，共基电路广泛用于高频和宽频带放大 六、在用混合参数II型等效电路分析放大电路的频率响应时，如果在同一频段内有两价目以上的起作用，而且两者相差4-5倍以上时，就取最小的（对低频段）或最大的（对高频段）作为决定截止频率的，这是为什么 答：对低频段，如果有两个以上的起作用，它们对应着 ， ，则根据估算多级放大电路下限截目5-13，电路的 。如果 

29、;，即 则只取fL1作为下限截止频率，与按上式的估算结果只差（2-3）。这样，完全有理由取最小的来估算放大电路的下限截止频率。对高频段，情况与比相似 试卷1 班级 学号 姓名 成绩 一.填空题（1´×30=30´）1. 二极管具有_性。2. 二极管有两个极，分别是_ 极和_极。3.二极管的文字符号_，图形符号为_。 4. 三极管有三个极，分别是_极，用字母_表示；_极，用字母_表示；_极，用字母_表示。5. 根据结构的不同，半导体三极管可分为_型和_型两大类。6. 三极管的工作状态有三种，分别是_状态，_状态，_状态。在模拟电路中，三极管一般工

30、作在_状态。7. 硅二极管的死区电压为_V，锗二极管的死区电压为_V；常温下硅二极管的导通电压为_V，锗二极管的导通电压为_V。8.发光二极管简称_，图形符号为_。8. 三极管工作在饱和状态时，发射结_偏，集电结_偏。9. 二进制有两个数码，分别是_和_。10. 常见的耦合方式主要有_、_、_。二.选择题（1´×9=9´）1.以下哪一种图形符号是发光二极管的符号：（ ）A B C 2.如果测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（ ） A已被击穿 B正常 C内部断路3.如果测得二极管的正、反向电阻都很小或近似为零，则二极管（ ） A正常 B内部断路 C内部短路D.

31、已被击穿4.如果测得二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，则二极管（ ）A正常 B内部断路C已被击穿 5.以下哪种情况中，二极管会导通（ ）A 0V -1V B0.7V 0.5V C50V 50V D0V 4V6.当晶体管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于（ ）A饱和状态 B截止状态 C放大状态7.当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于（ ）A饱和状态 B截止状态 C放大状态8.当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于（ ）A饱和状态 B截止状态 C放大状态9.用万用表欧姆挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆挡拨到（ ） A挡或 挡 B挡 C三判断题(1´×1

32、1=11´ )1.普通二极管正向使用没有稳压作用。 （ ）2.二极管既能通过直流，也能通过交流。 （ ）3.电容仅能通过直流，不能通过交流。 （ ）4.三极管的发射极和集电极不能交换使用。 （ ）5.若要三极管放大电路正常工作，需给它设置一个合适的静态工作点。 （ ）6.晶体管由两个PN结组成，所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。 （ ）7.一般来说，硅二极管的死区电大于锗二极管的死区电压。（ ）8.晶体管发射结加正向偏置电压时，晶体管一定工作在饱和状态。（ ） 8.基本共射放大电路中，三极管是核心器件，具有放大电流的作用。 （ ）9.基本共射放大电路中，RB的作用是提供合

33、适的基极电流。（ ）10. 基本共射放大电路中，Rc的作用是提供合适的集电极电流。（ ）11二极管的内部其实是一个PN结。 （ ）四计算题(50´)1.电路如图所示，其中，试：1）画出直流通路2）求静态工作点Q。2电路如图所示，判断灯泡的状态。（灯泡亮不亮） （A） （B）3.简述二极管的检测方法。4.将二进制数转换成十进制数（1）2 （10）2 （11）2 （101）2 （111）2试卷2 姓名 班级 成绩 一填空题（1×20分）。1._叫数字信号。2. _叫模拟信号。3. 数字电路中，三极管工作在_和_状态。4. 二输入单输出与门的逻辑符号是_，逻辑功能是_。5. 二输

34、入或门的逻辑符号为_，逻辑功能是_。6. 非门的符号为_，逻辑功能是_。7.二进制数有_个数码，分别是_和_。8. 基本RS触发器有_个稳定状态，分别是_态和_，前者指_，_；后者_，_。二选择题（2×8分）1.二进制数转换为十六进制数后为（ ）A. B. C. D. 2. 触发器和组合逻辑门电路比较（ ）A.两者都有记忆功能 B.只有组合逻辑门电路有记忆功能C.只有触发器具有记忆功能 D.两者都不具有记忆功能3. “与非”型RS触发器的逻辑功能不包括（ ）A.置0 B.翻转 C.保持 D.置14. 主从JK触发器的逻辑功能不包括（ ）A.置0 B.置1 C.保持 D.不定5. 仅具

35、有“置1”和“置0”功能的触发器是（ ）A.JK触发器 B.同步RS触发器 C.主从RS触发器 D. D触发器6.基本RS触发器，在触发脉冲消失后，输出状态将（ ）A.随之消失 B.发生偏转 C.恢复原态 D.保持现态7. 二进制数中，从右往左数，第3位的权值是（ ）A.20 B.21 C.22 D.238.计算机和其他数字系统中用来存储代码或数据的逻辑部件称为（ ）A. 寄存器 B.译码器 C.编码器 D. 计数器三判断题（2×12分）1.用0表示高电平，用1表示低电平，是负逻辑。 （ ）2.逻辑代数里0和1不表示数值的大小，只表示状态的不同。 （ ）3.真实的世界是数字的。 （

36、）4.异或门的逻辑功能是相同出0，不同出1。 （ ）5.相对于主从型RS触发器而言，主从JK触发器的优点是可以克服输出状态不定的缺点。 （ ）6.同步RS触发器在时钟脉冲CP=1时，触发器的状态一定会发生变化。 （ ）7.D触发器输出状态只有0态和1态。 （ ）8.与非门是组合逻辑电路，而由与非门组成的基本RS触发器是时序逻辑电路。 （ ）9.主从RS触发器可以克服同步RS触发器空翻的缺陷。 （ ）10.“或非”型RS触发器的输入信号是低电平有效。 （ ）11.JK触发器的输入信号是低电平有效。 （ ）12.“与非”型基本RS触发器的输入信号是低电平有效。 （ ）四计算及作图题（4×

37、10分）1. 用公式法化简下列逻辑函数（1）(2) 2. 逻辑电路如图所示，试分析它的逻辑功能3. 主从RS触发器中CP、R和S的波形如图所示，试画出Q端的波形。（设初态Q=0）4. 边沿JK触发器中，CP、J、K的波形如图所示，试画出对应的Q端的波形。（设Q的初态为0） 参考答案一填空题（1×20分）。1.在时间上和幅值上都是离散的信号叫数字信号。2.在时间和数值上都是连续变化的信号叫模拟信号。3.饱和 截止4. 有0出0，全1出15. 有1出1，全0出06. 有0出1，有1出07. 2 0 18. 2 0 1 0， 1；1， 0二选择题（2×8分）1-5 CCBDD 6

38、-8 DCA三判断题（2×12分）1-5 X 6-10 XX 11-12 X四计算及作图题（4×10分）1. 用公式法化简下列逻辑函数（1）解：原式= ( )+( ) =+ =(2) 解：原式= = = =2. 逻辑电路如图所示，试分析它的逻辑功能解：（1）(2)原式=(3)真值表A B C BC F0 0 0 0 00 0 1 0 00 1 0 0 00 1 1 1 11 0 0 0 11 0 1 0 11 1 0 0 11 1 1 1 0（4）逻辑功能当A与BC相同的时候，输出0；当A与BC不同的时候，输出为1。3. 主从RS触发器中CP、R和S的波形如图所示，试画出Q

39、端的波形。（设初态Q=0）解：4. 边沿JK触发器中，CP、J、K的波形如图所示，试画出对应的Q端的波形。（设Q的初态为0） 试卷3三极管一、 填空题1.三极管按材料分为_ 和 两种类型，均具有两个PN结，即_和_。2. 放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是_类型管子，其中_极为集电极。3. 三极管有放大作用的外部条件是发射结_，集电结_。4. 若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于状态。5.硅三极管的饱和压降约为 V，锗三极管的饱和压降约为 V。6. 硅三极管的导通压降（门槛电压）约为

40、V，锗三极管的导通压降（门槛电压）约为 V。7.若三极管集电极电流Ic=9mA，该管的电流放大系数为=50，则其输入电流IB= mA。8.一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而 。9.三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管 ，所以热稳定性 三极管较好。10.射极跟随器的特点是 、 、 。二、 选择题1. 有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏2. 三级管开作在放大区，要求（    ）A、发射结正偏，集电结正偏&

41、#160;        B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏          D、发射结反偏，集电结反偏3. NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（ ）A饱和区 B截止区C放大区 D击穿区4. 三极管参数为PCM=800mW, ICM=100mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（ ）属于正常工作。AUCE=15V，IC=150 mA BUCE=20V，I

42、C=80 mA CUCE=35V，IC=100 mA DUCE=10V，IC=50mA5. 下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC= -4V， VE= -7.4V，VB= -6.7VC VC=6V， VE=0V， VB= -3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V6. 如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（ ）A均为正偏 B均为反偏 C发射结正偏，集电结反偏 D发射结反偏，集电结正偏7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为( ) 。 A. 83 B.

43、 91 C. 100 D.508. 工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（ ） AC > UB > UE B.C< UB < UE C.UB >C > UE D.C > UE > UB9. 有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC= -6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏10. 如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。+2.5V-8V+7.1V+5V+3.2V(A)+3.5V-3V-2.3V(B)+6.9V+4V(c)+5V0V(D)3V3.7V3.3V(d)11. 判断

44、图示三极管的工作状态。-1.7V-5V-1V(b)3V2V6V(c)1.4V5V0.7V(a)三、 判断题1.无论是哪种三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。（ ）2.三极管的电流放大系数随温度的变化而变化，温度升高，减小。（ ）3.工作在放大区的三极管，集电结正偏。（ ）4.晶体三极管的C、E可以交换使用。（ ）5三极管是电压放大元件。（ ） 6处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成。（ ）7、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。（ ）8、已知某三极管的射极电流IE=1.36mA，集电极电流Ic=1.33mA，则基极电流IB=30A。（ ）

45、9、某三极管的IB=10A时，Ic=0.44mA；当IB=20A时，Ic=0.89mA，则它的电流放大系数=45。（ ）10.对于NPN型三极管，当VBE>0时，VBE>VCE，则该管的工作状态是饱和状态。（ ）四、分析题1.已知三极管的=99，若IB=10A，则该管的Ic=？ IE=？（忽略ICEO）2.已知三极管的Ic=2 mA，=50，则IB、 IE各为多少？3. 某三极管的IB1=40A时，Ic1=4mA；当IB=20A时，Ic2=2mA，则它的电流放大系数为多少？4.图示为各三极管的每个电极对地的电位。试判断各三极管处于何种工作状态（NPN管为硅管，PNP管为锗管）12V

46、-2.2V0V-2V0V(a)-0.7V-2.3V-2V(b)+0.5V-12V(c)-2.3V-7V(d)4.8V4.5V4V(h)0.7V5V0V(g)1.7V6V1V(f)3.7V3.3V3V(e)0.7V5V0V(l)-0.3V-0.1V0V(k)-2V-5V1.6V(j)1.3V6V2V(i)试卷4三极管放大电路一、 填空题1、晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。2、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为3.5V，2.8 V，5V，试判断：a脚是 ，脚是 ，脚是 （e, b，c）；b管型是 （NPN，PNP）；c材料是 （硅，锗）。3、某三极管3个电极电位分

47、别为VE=1V,VB=1.7V,VC=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。4、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生 失真，应调RB，使其 ，则IB ，这样可克服失真。5、当半导体三极管的 正向偏置， 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即 极电流能控制 极电流。6、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生 失真，应调RB，使其 ，则IB ，这样可克服失真。7、温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致IC，静态工作点。一般情况下，晶体三极管

48、的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降VBE则随温度的增加而。8、画放大器交流通路时，和应作短路处理。9、对于一个三极管放大器来说，一般希望其输入电阻要 些，以减轻信号源的负担，输出电阻要 些，以增大带动负载的能力。二、 选择题1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是（ ）A、VBE>0,VBE<VCE时 B、VBE<0，VBE<VCE时 C、VBE>0，VBE>VCE时 D、VBE<0，VBE>VCE时2、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是（ ）A、 B、 C、 D、3、三极管的ICEO大，说明该三极管的 。A、工作电流大 B、击穿电压高 C、寿命长 D、热稳定性差4、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的 。A、iC B、uCE C、iB D、iE5、下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是 。A、共射接法 B、共基接法 C、共集接法 D、任何接法6、放大电