电子设备管理维护

电阻器电子元器件之一

教学内容1.电阻器

2.电位器重点电路中所起作用容量识别参数检测

常用元器件之一电阻器电阻器作用电阻器种类电阻器识别电阻器检测

主要教学内容分流限流分压负载滤波(与电容器配合)电阻器

电阻器的作用固定电阻R可变电阻R敏感电阻：是指对温度、光、电压、外力、气体浓度等反映敏感的电阻RTRU电阻器的种类电阻器

固定电阻的种类⑴碳膜电阻RT

⑵金属电阻器RJ特点:稳定性好,高频特性好，价廉等,但精度较低。应用比较广泛性能优于碳膜电阻。电阻器

⑷片状电阻主要用于SMT技术中，它的优点是体积小，节约空间，例如：手机、MP3等里面的用的都是片状电阻。

⑶线绕电阻RX特点：功率大，热稳定性好，耐高温，温度系数小，精度高，但高频特性差,不能用于高频电路使用场合：低频，标准电阻等。固定电阻的种类电阻器

代表4.7Ω代表7.5kΩ⑵数字法4R77k5⑴直标法用三位数字表示阻值，它主要用于片状电阻中。223代表阻值22×1000=22×103Ω=22kΩ电阻器的识别电阻器

电阻器的识别电阻器

⑶四色环法R=10×102±10%Ω棕黑红银黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银无0123456789±5％±10％±20％1234有效数字倍率允许偏差电阻器的识别电阻器

⑷五色环法

(第四、五位距离比较宽）

黄紫黑黄红有效数字12345倍率允许偏差R=470×104±2%Ω灰蓝黑橙绿？黑0棕1±1％红2±2％橙3黄4绿5±0.5%蓝6±0.25%紫7±0.1%灰8±0.05%白9金0.1银0.01注意：1）不能用手同时捏住电阻引脚。用数字万用表电阻挡进行测量数字万用表在测电阻以前需进行一次零欧姆测试检查：将红、黑表笔相互短接，表头应显示“000”；将红、黑表笔开路，表头应显示“1”（超量程指示）。电阻器的检测电阻器

2）不能在路检测电阻。3）数字万用表量程要大于被测电阻阻值。电位器电位器的作用电位器的种类电位器的检测主要教学内容

变阻器分压器

电位器13UiRUo2结构原理如图所示R132

接1、2或2、3两端电位器种类电位器

123415带开关电位器数字电位器123123123⑴机械结构判断注意：1）在量程正确情况下如出现“1”则内部开路

2）如出现“000”则内部短路

3）如读数时高时低，则内部损坏。⑵测量电位器的标称值选择合适量程，用数字万用表检测电位器两端阻值是否与标称值相符。将数字表红、黑表笔分别接中间端与电位器任何一端，然后缓慢旋转电位器旋柄，看读数是否平稳跳变。

表头读数应在0～标称值之间或标称值～0之间变化⑶检测阻值变化情况电位器

电位器检测标称值读取与电阻类似电阻器

⑴本课主要介绍了用色环法及数字表测量电阻器阻值、电阻器种类及应用⑵课后请同学们掌握用色环法判别测试板上电阻的阻值及允许的偏差。

小结⑶希望同学们通过理论课的学习，在实习产品的制作过程中，运用所学理论知识分析、排除所遇到的故障。中德实训17电容器电子元器件之二

中德实训18教学内容

电容器识别与测试重点电路中所起作用容量识别参数检测常用元器件之二

中德实训19电容器电路符号及特性电容器的种类电容器的作用电容器的识别电容器的检测主要教学内容

中德实训20加在电容两端的电压不能突变；电路符号：C电路符号及特性电解电容、钽电容等电容器

通高频，阻低频，对直流电流，相当于开路。能够充放电；主要参数：容量、额定工作电压特性：电容容量中德实训21注意：使用时，电源的正极接电解电容的正极，负极接电解电容的负极。容量大，价格低但误差大，稳定性差。一般用于直流或低频电路如电源滤波，耦合，旁路等。优点：体积小，稳定性高，寿命长。一般用于要求较高的电路定时、延时。⑴电解电容：有正、负极之分钽电解电容铝电解电容常用电容器种类电容器

不能用于高频电路。中德实训22容量比较小,适用于超高频信号的旁路，耦合，滤波等。⑶涤纶电容⑵瓷介电容器

常用电容器种类独石电容器：具有耐高温，体积小，电容容量大，稳定性好等优点，广泛用于精密仪器中高频电路作谐振，耦合，滤波，旁路用。电容器

（无极性电容）（无极性电容）用于中低频电路，如信号耦合，旁路，隔直等，不宜在高频电路中使用。中德实训23电容器作用电容器

根据电容在电路中的使用，有常见的五种功能

★滤波C1：电解电容：低频滤波C2：高频信号滤波uc中德实训24电容器作用电容器

★

旁路作用+EcR2R1R4CNPN-R3★

交流耦合（通交流隔直流）中德实训25★

RC定时作用根据电容两端的充电电压可以控制后面的电路电容器作用电容器

中德实训26具体应用电容器

低通滤波器fof0RLC二阶低通滤波器中德实训27具体应用电容器

高通滤波器中德实训28⑵数字法：适用于瓷介，涤纶电容例如：224表示电容容量为：⑴直标法：适用于电解电容把容量、耐压、精度直接标在电容体上容量识别电容器

205=？224=22×104pF=220nF=0.22uF中德实训29用数字RLC电桥可以直接测电容的容量

被测量工作方式频率

C并联电解电容100Hz

其他电容器10kHz电容容量直读RLC电桥表头左边读数,注意单位。电容器测量电容器

按RLC按钮中德实训30电容器

⑴本节课主要介绍了常见电容器的种类、应用及检测方法。⑵课后请同学们用RLC电桥测量所提供电容的容量小结⑶希望同学们通过理论课的学习，在实习产品的制作过程中，运用所学理论知识分析、排除所遇到的故障。中德实训31电容器

⑴220uF/50V电解电容可以替代200uF/16V电解电容?⑵瓷片电容器能否用于低频信号的耦合与滤波？⑶电解电容器能否用于高频信号的耦合与滤波？思考题中德实训32电感器电子元器件之三

中德实训33电感的外形及电路符号电感的特性及作用电感器的检测

电感器主要教学内容中德实训34电感器

电感器外形及种类中德实训35电路符号空心电感器磁芯电感器可调电感器

电感器电感器的电感大小与线圈的结构有关,线圈绕的匝数越多,电感愈大。在同样匝数情况下，线圈增加了磁芯后，电感量增大。中德实训36电感器特性流过电感器的电流不能突变通低频信号，阻高频信号通直流信号，阻交流信号电容两端电压不能突变

电感器通交流信号，阻直流信号通高流信号，阻低流信号电感器主要用于电源滤波电路,与电容构成LC谐振电路当流过线圈的电流大小发生变化时，线圈会产生一个感应电动势来维持原电流的大小不变。中德实训37⑴与C形成并联谐振电路Ud↑→Cd↓→f↑

电感器电感器作用中德实训38⑵高频扼流：L2、L1，阻高频，通低频L2：磁环电感，测量时L1：色环电感电感量不能太小

电感器电感器作用中德实训39⑶滤波①与C形成高通滤波器76MHzfA

电感器电感器作用中德实训40②与C形成二阶低通滤波器fo幅频特性

电感器电感器作用中德实训41用RLC直流测试电桥直接测量电感器的电感量

被测量工作方式频率

L(按LCR)串联10kHzRLC电桥调零开路清零表头显示SH(右边表)短路清零表头显示OP开路清零开始测量

电感容量直读RLC电桥左边表头读数,注意单位。电感器电感器容量检测中德实训42

电感器小结⑴本节课主要介绍了常见电感器的种类、应用及检测方法。⑵课后请同学们用RLC电桥测量所提供电感的容量(1-43)电子技术

第一章

半导体器件模拟电路部分(1-44)第一章半导体器件§1.1

半导体的基本知识§1.2

PN

结及半导体二极管§1.3

特殊二极管§1.4

半导体三极管§1.5

场效应晶体管(1-45)§1.1半导体的基本知识1.1.1导体、半导体和绝缘体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。(1-46)半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：

当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。

往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。(1-47)1.1.2

本征半导体一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。(1-48)本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的晶体结构：(1-49)硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子(1-50)共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4(1-51)二、本征半导体的导电机理在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.载流子、自由电子和空穴(1-52)+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子(1-53)2.本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。(1-54)温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：

1.自由电子移动产生的电流。

2.空穴移动产生的电流。(1-55)1.1.3

杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。(1-56)一、N型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。(1-57)+4+4+5+4多余电子磷原子N型半导体中的载流子是什么？1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。(1-58)二、P型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。+4+4+3+4空穴硼原子P型半导体中空穴是多子，电子是少子。(1-59)三、杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。(1-60)§1.2PN结及半导体二极管2.1.1PN

结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。(1-61)P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区，也称耗尽层。(1-62)漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。(1-63)－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空间电荷区N型区P型区电位VV0(1-64)1、空间电荷区中没有载流子。2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区

中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。3、P

区中的电子和N区中的空穴（都是少），数量有限，因此由它们形成的电流很小。注意:(1-65)2.1.2PN结的单向导电性

PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是：P区加正、N区加负电压。

PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是：P区加负、N区加正电压。(1-66)－－－－++++RE一、PN结正向偏置内电场外电场变薄PN+_内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。(1-67)二、PN结反向偏置－－－－++++内电场外电场变厚NP+_内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。RE(1-68)2.1.3

半导体二极管一、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管的电路符号：(1-69)

二、伏安特性UI死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR(1-70)三、主要参数1.最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。(1-71)3.反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。(1-72)4.微变电阻rDiDuDIDUDQiDuDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。(1-73)5.二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P

区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。P+-N(1-74)CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。PN结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电容的综合效应rd(1-75)二极管：死区电压=0.5V，正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0RLuiuouiuott二极管的应用举例1：二极管半波整流(1-76)二极管的应用举例2：tttuiuRuoRRLuiuRuo(1-77)§1.3特殊二极管1.3.1

稳压二极管UIIZIZmaxUZIZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。+-UZ动态电阻：rz越小，稳压性能越好。(1-78)（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。（5）最大允许功耗稳压二极管的参数:（1）稳定电压UZ（2）电压温度系数U（%/℃）

稳压值受温度变化影响的的系数。（3）动态电阻(1-79)稳压二极管的应用举例uoiZDZRiLiuiRL稳压管的技术参数:负载电阻。要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax。求：电阻R和输入电压ui的正常值。——方程1(1-80)令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin。——方程2uoiZDZRiLiuiRL联立方程1、2，可解得：(1-81)1.3.2光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加(1-82)1.3.3发光二极管有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。(1-83)§1.4半导体三极管1.4.1

基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型(1-84)BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高(1-85)BECNNP基极发射极集电极发射结集电结(1-86)1.4.2电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE

，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。(1-87)BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。(1-88)IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO

ICEIBE(1-89)ICE与IBE之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。(1-90)BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管(1-91)1.4.3

特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBECEB

实验线路(1-92)一、输入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V

死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。(1-93)二、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。(1-94)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。(1-95)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。(1-96)输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且

IC

=

IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止区：

UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO

0

(1-97)例：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

当USB

=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？当USB

=-2V时：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0，IC=0IC最大饱和电流：Q位于截止区

(1-98)例：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

当USB

=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？IC<

ICmax(=2mA)

，

Q位于放大区。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB

=2V时：(1-99)USB

=5V时:例：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

当USB

=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIC>

Icmax(=2mA)，Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB

已不是的关系）(1-100)三、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和(1-101)例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=(1-102)2.集-基极反向截止电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。(1-103)BECNNPICBOICEO=

IBE+ICBO

IBEIBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。(1-104)4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。(1-105)6.集电极最大允许功耗PCM

集电极电流IC

流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE

必定导致结温上升，所以PC

有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区(1-106)§1.5场效应晶体管场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:(1-107)N基底：N型半导体PP两边是P区G(栅极)S源极D漏极一、结构1.5.1结型场效应管:导电沟道(1-108)NPPG(栅极)S源极D漏极N沟道结型场效应管DGSDGS(1-109)PNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGSDGS(1-110)二、工作原理（以P沟道为例）UDS=0V时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。(1-111)PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时NNUGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。(1-112)PGSDUDSUGSNNUDS=0时UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS0V，漏极电流ID=0A。ID(1-113)PGSDUDSUGSUGS<Vp且UDS>0、UGD<VP时耗尽区的形状NN越靠近漏端，PN结反压越大ID(1-114)PGSDUDSUGSUGS<Vp且UDS较大时UGD<VP时耗尽区的形状NN沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。ID(1-115)GSDUDSUGSUGS<VpUGD=VP时NN漏端的沟道被夹断，称为予夹断。UDS增大则被夹断区向下延伸。ID(1-116)GSDUDSUGSUGS<VpUGD=VP时NN此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。ID(1-117)三、特性曲线UGS0IDIDSSVP饱和漏极电流夹断电压转移特性曲线一定UDS下的ID-UGS曲线(1-118)予夹断曲线IDUDS2VUGS=0V1V3V4V5V可变电阻区夹断区恒流区输出特性曲线0(1-119)N沟道结型场效应管的特性曲线转移特性曲线UGS0IDIDSSVP(1-120)输出特性曲线IDUDS0UGS=0V-1V-3V-4V-5VN沟道结型场效应管的特性曲线(1-121)

结型场效应管的缺点：1.栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。3.栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。2.在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。(