MOSFET北大微电子

MOSFET北大微电子Tag内容描述：<p>1、微电子器件与IC设计,第6章 MOSFET,主要内容 MOS结构与特性 MOSFET结构与特性 MOSFET工作原理 I-V特性 交流特性,引言,MOSFET,引言,特点 单极器件、多子器件 电压控制器件 噪声低 制作工序少，隔离容易,MOSFET,6.1 MOS结构及其特性,假设： 金属和半导体的功函数差为零 氧化层里面没有电荷而且氧化层完全不导电 氧化层和半导体界面不存在任何界面态,栅极上加负电压，空穴聚集,P型半导体,氧化绝缘层,金属,空穴,栅极上加正电压，耗尽,P型半导体,氧化绝缘层,金属,电子,栅极正电压增大，表面反型,P型半导体,氧化绝缘层,金属,电子,6.1 MOS结构及其。</p><p>2、MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors 又称绝缘栅场效应晶体管 Insulated Gate FET 一般地 MISFET Metal Insulator Semiconductor FET 特点 第一章MOSFET I 物理效应和模型 依靠多子工作 噪。</p><p>3、微电子学专业 发布时间 2011 3 20 22 14 00 浏览量 343 字体 大 中 小 一 专业简介 微电子学专业成立于1978年 它的前身是1956年由著名物理学家黄昆院士领导在北京大学物理系创建的我国第一个半导体专门化 北京大学微。</p><p>4、北大微电子考研复试题库集锦北大微电子考研复试题库集锦 1、m o s 管的 电流方程及推导，跨导 2、有个运放的反馈电路，很基础 3、m o s 电路中对速度的影响因素及改进方法 4、分析一个逻辑门电路的逻辑功能， 5、半。</p><p>5、QI1假设有MOS结构其金属功函数为半导体功函数为QUESTION假设有一N结构，其金属功函数为M，半导体功函数为S，且MS，画出其低频CV曲线，并说明如何确定平带电压。如果增大该OS结构的衬底掺杂浓度其C曲线将发生怎样的变化如果增大该M结构的衬底掺杂浓度NA，其V曲线将发生怎样的变化QUESTION2现有以下两个结构，除沟道长度外其余参数完全相同，比较这两个结构的IV特性曲线（设MOS管为长沟器件不考虑短沟效应和沟长调制效应）结构的特性曲线（设管为长沟器件，不考虑短沟效应和沟长调制效应）DDGGLL/2SL/2S结构B结构AQTI3假设有以下三个电路说。</p><p>6、8.2 集成电路中的元件结构与基本制造工艺,8.2.3 集成电路芯片的基本工艺 （一）工艺流程 （1）埋层工艺,8.2 集成电路中的元件结构与基本制造,8.2.3 集成电路芯片的基本工艺 （一）工艺流程 （2）外延（集电区）与隔离工艺,8.2 集成电路中的元件结构与基本制造,（3）基区制作,8.2 集成电路中的元件结构与基本制造,（4）发射区制作,前部工序的主要工艺,1. 图形转换：将设计在掩膜版。</p><p>7、复 习考试时间： 7月1日(周四)上午8:00-10:00 考试地点： 二教 105,微电子部分,考试题型判断题 (15分)简答题（15分）问答题（25分）请带尺子和橡皮,答疑时间 6月29日，30日 晚上6：00-9：00 答疑地点 理科二号楼2718,绪论 集成电路、集成度的概念 集成电路设计和制造的基本过程集成电路分类双极和CMOS集成电路通用和专用集成电路IC, ASIC, Foundry, chip, die,微电子部分,半导体物理基础,半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 掺杂、施主杂质、受主杂质 载流子、电子、空穴、多子、少子、平衡载流子、非平衡载流子 能。</p><p>8、北京大学 大规模集成电路基础 3 1半导体集成电路概述 集成电路 IntegratedCircuit IC 芯片 Chip Die 硅片 Wafer 集成电路的成品率 成品率的检测 决定工艺的稳定性 成品率对集成电路厂家很重要 集成电路发展的原动力。</p><p>9、1,面向不同电路应用的硅基纳米尺度新器件技术的研究与展望,黄 如 北京大学微电子学研究院 2011.12.27,2,提纲,背景介绍 面向逻辑电路应用的新器件技术 面向非挥发存储应用的新器件技术 面向射频集成应用的新器件技术 总结,3,IC Goals,Faster,Better,4,Functional diversification,Scaling,呈二维发展态势,Gorden Moore。</p><p>10、摘要 论文题目：S JM O S F E T 特性分析与设计 学科专业：微电子学与固体电子学 研究生：孙军 指导教师：王彩琳副教授 摘要 签名： 签名： S JM O S F E T 是由V D M O S 结构与超结( S J ) 相结合而发展起来的一种。</p><p>11、摘要 摘要 文章选取了M O S F E T 的温度特性作为研究方向，通过实验和模拟得到 全温区即范围在5 5 1 2 5 之间器件的特性参数的变化。对O 18 u m 工艺 线生产的M O S F E T 进行全温区实验，统计了多组结。</p><p>12、l I I ll I II IIJ l l llII l lU l Y 2 0 6 7 5 2 3 阈值电压是M O S F E T 的特别重要参数之一 阈值电压会直接影响到器件沟道 的反型和器件的工作电压 对于小尺寸的器件来说 如果沟道掺杂过重 这会导 致阈值电压升。</p><p>13、摘要 摘要 S i CM O S 器件由于受S i 0 2 S i C 界面处高浓度的界面陷进的影响使得反型层 的电子迁移率很低，最终导致器件的跨导较低，4 H S i C 材料更为明显。为了提 高场效应晶体管特性，本文介绍了一种新型。</p><p>14、上海交通人学博士学位论文 纳米M O S F E T 的数值模拟 非平衡6 r e e n 函数方法 摘要 本博士学位论文首要的工作是首次用改进的能量和空间坐标下的非 平衡G r e e n 函数方法m E S N E G F ( m o d i f i e d。</p><p>15、摘要 摘要 碳化硅( S i C ) 是近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一。与广泛 应用的半导体材料s i ，G e 以及G a A s 相比，S i C 材料具有宽禁带、高击穿电场、高 载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密。</p><p>16、东南大学硕士学位论文 摘要 多面栅M O S F E T 作为一种新型的半导体器件与传统M O S F E T 相比具有许多的优势 接 近理想的亚阈值特性 较高的载流子迁移率 较高的跨导和电流驱动能力 较强的抑制器件 短沟道效应的能。</p>