气相淀积

气相淀积Tag内容描述：<p>1、天津工业大学集成电路工艺原理，Chap.6化学气相沉积(CVD )，CVD的基本概念，特征和应用，1，CVD的基本模型和控制因素，2，3，CVD多晶硅和氮化硅的方法，4，5，CVDSiO2的特性和方法，CVD系统的组成和分类，天津工业大学集成电路工艺原理， CVD的基本概念化学气相沉积(chemicalvapordeposition ) :将含有构成薄膜的元素的气体反应剂或液体反应剂的蒸汽以。</p><p>2、第7章 化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition),微电子工艺(6)薄膜技术,第7章 化学气相淀积 (CVD),7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜,7.1 CVD概述,化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是把构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底上淀积薄膜的工艺方法。 淀积的薄膜是非晶或多晶态，衬底不要求是单晶，只要是具有一定平整度，能经受淀积温度即可。,CVD淀。</p><p>3、1 薄膜气相淀积工艺 2 3 半导体薄膜 Si GaAs介质薄膜 SiO2 BPSG Si3N4 金属薄膜 Al Cu 在集成电路制备中 许多材料由淀积工艺形成 4 Figure11 4 薄膜是指一种在衬底上生长的薄固体物质 如果一种固体物质具有三维尺寸。</p><p>4、化学气相淀积 教学目的 1 了解化学气相淀积概念 2 了解化学气相淀积系统和方法 3 了解外延的概念和生成方法 4 掌握CVD质量检测 教学重点 化学气相淀积系统和方法 外延的概念和生成方法 CVD质量检测 教学难点 外延的。</p><p>5、Chap.6化学气相沉积(CVD )、CVD的基本概念，特征和应用，1，CVD的基本模型和控制因素，2，3，CVD多晶硅和氮化硅的方法，4，5，CVD SiO2的特性和方法，CVD系统的构成和分类，1，精制内容， CVD的基本概念化学气相沉积(chemical vapor deposition ) :将含有构成薄膜元素的气体反应剂或液体反应剂的蒸汽以合理的流速导入反应室，用某种方法激活，在基。</p><p>6、天津工业大学集成电路工艺原理 Chap 6化学气相淀积 CVD CVD的基本概念 特点及应用 1 CVD的基本模型及控制因素 2 3 CVD多晶硅和氮化硅的方法 4 5 CVDSiO2的特性和方法 CVD系统的构成和分类 天津工业大学集成电路工艺原理 CVD的基本概念 化学气相淀积 ChemicalVaporDeposition 把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气 以合理的流速引入。</p><p>7、集成电路制造技术 第六章 化学气相淀积,西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2010年3月,第六章 化学气相淀积,化学气相淀积：CVD，Chemical Vapour Deposition。 通过气态物质的化学反应，在衬底上 淀积一层薄膜的工艺过程。 CVD薄膜：集成电路工艺所需的几乎所有薄膜，如 SiO2、Si3N4、PSG、BSG（绝缘介质） 多晶硅、金属（互连线/接触孔/电极） 单晶硅（外延）等。 CVD特点：淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和 重复性好、台阶覆盖好、适用范围广、设备简单等 CVD系统：常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）和 等离子增强CVD（。</p><p>8、0 15 13 12 以及总压强P为各分压强之和 13 13 我们的3个未知数和2个方程 因为A和B两个都是由入口气体的离解产生的 所以必然有相同数目的A和B 假设分压强相等是合理的 于是 13 14 设定P 760torr及解方程给出PA PB 10 5torr和PAB 739torr 至此 讨论做了一个非常重要的近似 各种 反应物质 都处于化学平衡 为了理解这个近似的限制 考虑当降低腔体压力。</p><p>9、1 薄膜气相淀积工艺 2 3 半导体薄膜 Si GaAs介质薄膜 SiO2 BPSG Si3N4 金属薄膜 Al Cu 在集成电路制备中 许多材料由淀积工艺形成 4 Figure11 4 薄膜是指一种在衬底上生长的薄固体物质 如果一种固体物质具有三维尺寸 那么薄膜是指一维尺寸远远小于两外两维上的尺寸 5 对薄膜的要求 Desiredcomposition lowcontaminates goode。</p><p>10、天津工业大学集成电路工艺原理 Chap 6化学气相淀积 CVD CVD的基本概念 特点及应用 1 CVD的基本模型及控制因素 2 3 CVD多晶硅和氮化硅的方法 4 5 CVDSiO2的特性和方法 CVD系统的构成和分类 天津工业大学集成电路工艺原理 CVD的基本概念 化学气相淀积 ChemicalVaporDeposition 把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气 以合理的流速引入。</p><p>11、化学气相淀积与薄膜工艺 Chemical Vapor Deposition Thin Film Technology 孟广耀 Tel 3603234 Fax 3607627 mgym 中国科学技术大学 材料科学与工程系 固体化学与无机膜研究所 PDF created with FinePrint pdfFactory。</p><p>12、集成电路制造工艺,东华理工大学 彭新村 13687095856,第6章 化学气相淀积 (CVD),6.1 CVD概述 6.2 CVD工艺原理 6.3 CVD工艺方法 6.4 二氧化硅薄膜的淀积 6.5 氮化硅薄膜淀积 6.6 多晶硅薄膜的淀积 6.7 CVD金属及金属化合物薄膜,6.1 CVD概述,化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是把构成薄膜元素的气态反。</p><p>13、1 薄膜气相淀积工艺 2 3 半导体薄膜 Si GaAs介质薄膜 SiO2 BPSG Si3N4 金属薄膜 Al Cu 在集成电路制备中 许多材料由淀积工艺形成 4 Figure11 4 薄膜是指一种在衬底上生长的薄固体物质 如果一种固体物质具有三维尺寸。</p><p>14、第六章 薄膜技术化学气相淀积(CVD),教师： 潘国峰 E-mail: ,河北工业大学微电子研究所,化学气相淀积：是指一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为 “Chemical Vapour Deposition”，简称为 “CVD”。 ULSI中常用“CVD” 制备各种薄膜。,CVD 制备薄膜所利用的化学反应及其在IC中的应用。</p><p>15、1 目录 第一章 一般化学原理和技术 3 一 热解反应 3 二 化合反应 5 三 化学输运反应 6 四 技术 9 1 开管气流法 9 2 封管法 11 3 近间距法 12 4 热丝法 12 五 源物质 13 1 气态源 13 2 液态源 13 3 固态源或低蒸气压。</p>