西安理工大学物理静电场
从无穷远处引入另一点电荷q至曲面外一点。从无穷远处引入另一点电荷q至曲面外一点。请把正确答案的英文字母序号填在题后的括号内)1.单...作业6静电场六1.真空中有一均匀带电球体和一均匀带电球面。球体的静电能等于球面的静电能球体的静电能大于球面的静电能球体的静电能小于面的...作业4静电场四1.如图所示。
西安理工大学物理静电场Tag内容描述:<p>1、1905年爱因斯坦建立狭义相对论 1865年麦克斯韦提出电磁场理论 1820年 奥斯特发现电流对磁针的作用 公元前600年 1831年 法拉第发现电磁感应现象 古希腊泰勒斯第一次记载电现象 电磁学发展简介 1 电磁学内容 静电场静。</p><p>2、05静电场1 1 关于电场强度定义式 下列说法中哪个是正确的 A 场强的大小与试探电荷的大小成反比 B 对场中某点 试探电荷受力与的比值不因而变 C 试探电荷受力的方向就是场强的方向 D 若场中某点不放试探电荷 则 从而 2。</p><p>3、1905年爱因斯坦建立狭义相对论,1865年麦克斯韦提出电磁场理论,1820年,奥斯特发现电流对磁针的作用,公元前600年,1831年,法拉第发现电磁感应现象,古希腊泰勒斯第一次记载电现象,电磁学发展简介,电磁学内容,静电场静电场中的导体和电介质稳恒磁场电磁感应电磁场,第七章静电场,两个定理:高斯定理、环流定理。,本章研究真空中静止电荷产生的电场-真空中静电场的性质和规律。,静电场。</p><p>4、,1,1905年爱因斯坦建立狭义相对论,1865年麦克斯韦提出电磁场理论,1820年,奥斯特发现电流对磁针的作用,公元前600年,1831年,法拉第发现电磁感应现象,古希腊泰勒斯第一次记载电现象,电磁学发展简介,-,2,电磁学内容,静电场静电场中的导体和电介质稳恒磁场电磁感应电磁场,第七章静电场,两个定理:高斯定理、环流定理。,本章研究真空中静止电荷产生的电场-真空中静电场的性质。</p><p>5、大学物理作业 质点动力学参考答案 一 选择题 1 C 2 B 3 C 4 C 5 B 6 C 7 D 8 D 9 C 10 D 二 填空题 1 2 竖直向下 3 8m 4 64J 5 6 0 003s 0 002kg 7 三 计算题 1 解 1 滑动速度为时 由牛顿定律 又因为 负号表示与速度。</p><p>6、真空中的静电场,一、选择题,1.如图所示,两个点电荷q和3q,相距为d.试问在它们的连线上电场强度等于零的点的坐标是?,2.点电荷Q被曲面S所包围,从无穷远处引入另一点电荷q至曲面外一点,如图所示,则引入前后。</p><p>7、西安理工大学物理 14 14 光的波动性 班号 学号 姓名 成绩 一、选择题 (在下列各题中,均给出了4个6个答案,其中有的只有1个是正确答案,有的则有几个是正确答案,请把正确答案的英文字母序号填在题后的括号内) 1. 单色光从空气射入水中,下列。</p><p>8、作业6 静电场六1真空中有一均匀带电球体和一均匀带电球面,如果它们的半径和所带的电量都相等,则它们的静电能之间的关系是 。球体的静电能等于球面的静电能球体的静电能大于球面的静电能球体的静电能小于面的静电能球体内的静电能大于球面内的静电能,球体外的静电能小于球面外的静电能答案:【B】 解:设带电量为、半径为,球体的电荷体密度为。由高斯定理,可以求。</p><p>9、作业4 静电场四1如图所示,两个同心金属球壳,它们离地球很远,内球壳用细导线穿过外球壳上的绝缘小孔与地连接,外球壳上带有正电荷,则内球壳上 。不带电荷 带正电 带负电荷外表面带负电荷,内表面带等量正电荷答案:【C】解:如图,由高斯定理可知,内球壳内表面不带电。否则内球壳内的静电场不为零。如果内球壳外表面不带电(已经知道。</p><p>10、作业5 静电场五1.C2一平行板电容器中充满相对介电常数为的各向同性均匀电介质。已知介质表面极化电荷面密度为,则极化电荷在电容器中产生的电场强度的大小为 。答案:【A】 解:极化电荷也是一种电荷分布,除不能自由移动和依赖于外电场而存在外,与自由电荷没有区别。在产生静电场方面,它们的性质。</p><p>11、最新资料推荐 西安理工大学物理 14 14 光的波动性 班号学号姓名成绩 一、选择题 (在下列各题中,均给出了4 个6 个答案,其中有的只有1 个是正确答案,有的则有 几个是正确答案,请把正确答案的英文字母序号填在题后的括号内) 1. 单色光从空气射入水中,下列说法中正确的是: A 波长变短,光速变慢;B 波长不变,频率变大; C频率不变,光速不变;D 波长不变,频率不变。(A )。</p><p>12、姓名 学号 大学物理 答题纸 第十章 第十章 静电场中的导体和电介质 一 选择题 B 1 基训2 一 无限大 均匀带电平面A 其附近放一与它平行的有一定厚度的 无限大 平面导体板B 如图所示 已知A上的电荷面密度为 s 则在导体。</p>