标准解读

GB/T 33236-2016《多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法》是一项国家标准，主要规定了使用辉光放电质谱（Glow Discharge Mass Spectrometry, GDMS）技术测定多晶硅材料中痕量杂质元素的方法。该标准适用于太阳能级及电子级多晶硅中多种痕量元素的定量分析，这些元素包括但不限于锂、钠、镁、铝等轻金属以及铁、镍、铬等重金属。

标准首先定义了适用范围，并概述了方法原理：通过将样品置于特定条件下激发产生辉光放电，然后利用质谱仪检测由此产生的离子流来确定样品中的元素组成及其浓度。接下来详细描述了所需仪器设备的要求，如GDMS系统的配置、工作参数设置等；还列举了实验过程中可能用到的标准物质与试剂规格，强调了选择高纯度材料的重要性以减少背景干扰。

在操作步骤部分，GB/T 33236-2016给出了从样品制备到数据分析的具体指导，包括如何正确地装载样品、设定合理的测量条件以及数据处理方法等内容。此外，对于不同类型的多晶硅产品，标准也提供了相应的推荐测试条件，确保结果准确可靠。

关于结果表示与质量控制方面，文件明确了报告格式要求，建议采用适当的单位表达检测值，并且指出应定期进行校准和比对实验，保证分析过程的有效性。同时，针对可能出现的问题或异常情况，给出了一些建议措施，帮助实验室提高测试精度。

最后，附录部分补充了一些辅助信息，比如典型元素的灵敏度曲线图例、常见基体效应校正因子表等，为实际应用提供更多参考依据。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2016-12-13 颁布
  • 2017-11-01 实施
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GB∕T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法_第1页
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文档简介

ICS7104040 G 04 . . 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T332362016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 PolycrystallinesiliconDeterminationoftraceelements Glowdischargemassspectrometrymethod2016-12-13发布 2017-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 GB/T332362016 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。本标准由全国微束分析标准化技术委员会 提出并归口 (SAC/TC38) 。本标准起草单位 中国科学院上海硅酸盐研究所 : 。本标准主要起草人 卓尚军 钱荣 董疆丽 申如香 盛成 高捷 郑文平 : 、 、 、 、 、 、 。 GB/T332362016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法1 范围 本标准规定了采用辉光放电质谱 法测量多晶硅中杂质元素的测试方法 (GD-MS) 。 本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定 测量范围是本 , 方法的检出限至 质量分数 检出限根据所用仪器及测量条件确定 通过合适的标准样品校正 0.1%( ), 。 , 也可以测量质量分数大于 的杂质元素含量 单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量 0.1% 。 。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 。 , ( ) 。 分析实验室用水规格和试验方法 GB/T6682 表 面 化 学 分 析 辉 光 放 电 质 谱 使 用 介 绍 ISO/TS15338:2009 (SurfacechemicalanalysisGlowdischargemassspectrometry(GD-MS)Introductiontouse)3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件 。31 . 离子强度 ionintensity 仪器记录到的指定元素的离子流总量 。32 . 针状试样 pinsample 横截面为圆形或方形的针状 棒状或线状试样 通常长度为 截面的直径 圆形 或对角线 、 , 20 mm、 ( ) 方形 不超过 ( ) 10mm。33 . 片状试样 flatsample 薄片状或块状试样 通常为圆形或方形 并至少有一面是光滑的 光滑面能形成直径大于 的 , , , 10mm 圆形测量面 。34 . 针状放电池
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