0020-长城哈弗H5汽车循环球式转向系统设计（两驱独立悬架）【优秀含CAD图+文献翻译+说明书】
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城市SUV汽车循环球式转向系统设计
摘 要
汽车在行驶过程中，经常需要改变行驶方向，汽车转向系是汽车转向运动的装置，该系统由操纵机构，转向器，传动机构三部分组成，作为整车的一个重要总成，是影响汽车操纵稳定性和行驶安全性的关键系统之一。本文即完成了与长城哈弗H5欧风版（两驱）独立悬架系统相配用的循环球式转向系统设计。
在城市SUV汽车循环球式转向系统设计过程中，首先确定汽车转向系统的结构型式为机械转向，明确转向系的主要设计要求，选择长城哈弗H5欧风版（两驱）作为设计的基础车型，参考该车型的主要技术参数，逐步确定了转向系的主要性能参数，例如转向系的力传动比i_p^''=203.66、作用在方向盘上的手力Ƒ_h=128.45N等。其次进行了循环球式转向器结构型式选择及其设计计算，确定了循环球式转向器的角传动比转向器的角传动比i_ω=17.15，完成了螺杆-钢球-螺母传动副及齿条-齿扇传动副的设计，并对循环球式转向器的重要零件进行了强度校核，如对钢球与滚道间的接触应力及转向摇臂轴强度的校核，结果均符合设计要求。最后设计了转向传动机构。长城哈弗H5欧风版（两驱）的前悬架系统采用了麦弗逊式独立悬架，所以本次设计相应采用分段式转向梯形机构，用图解法确定了转向横拉杆的断开点位置，并验证了内外轮转角关系，对转向系的转向梯形进行了优化设计，得到了良好的转向梯形特性，最终完成了循环球式转向系统设计，确保将该设计方案运用到车辆上时具有良好的转向性能。
关键词：城市SUV，转向系统,机械转向,循环球式转向器,断开式转向梯形
- 内容简介：
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外文资料译文 1 互连网络电力系统（ 扑结构的电气特性 L. W. S. . . 、 扑 结构 实现 扑结构用传统的 艺很容易实现，细线条光刻和批处理文件通过制造是固有的正常生产。 现相当实用，如果通孔制造是通过其他常规的机械钻孔，并且通孔尺寸足够小，不足以影响行间距。 一个两层的过程，尽管开辟了可能性，制造导体的任一侧上的一块聚合物影像，可以处理卷到卷格式 （图 5（ a），得到的结果基片可以进行填充和测试，然后申请封装以形成刚性结构（图 5（ b），廉价的丝网印刷的材料和方法可用于该模块的底部上可以形成一个球栅阵列（ 提供了一个方便的系统接口（图 5（ c）。这种模块可以非常便宜，但仍然产生高性能。 图 5 像载体 四、 析和实验 由于 扑是从根本上不同于传统的微带线或有固体电源和地平面外文资料译文 2 带状线的 输线环境，进行了一项确定电源和信号环境的特点的详细研究 。 正常 率分布是由固体金属的电源和地平面 ， 有时具有介于其间的创建的平行板的去耦电容，提供所有或部分的瞬时电流需求的薄介电 。在大多数情况下，然而，表面安装的陶瓷电容需要为充电水库，以保持这些瞬态的 di/声 低于可接受的利润率。传统的贴片电容具有相对较高的寄生电感和低共振频率，但是。特别低电感电容 初设计用于 传导模块，提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了 一个低电感分布结构。引线键合从这些 芯片的，尽管许多并联，有助于更多的电感和批判影响片上的噪音。 图 6 测试车辆功率瞬态测量设置 扑结构取代了坚实的平面网状导线。在双网平面宽 100 点，导线 320 点的间距，降低至 62，纯金属覆盖了坚实的平面。即使有大量的电源和接地的导体切割，以适应信号线，金属覆盖为 40，可以实现的。增加外文资料译文 3 电阻和电感因此，预 测 寄生效应。然而，由于贡献这些寄生到 在坚实的平面上的情况下，往往是微不足道的，这种性能下降 在几乎所有的情况下 都 是可控的。附件的正常及低以传统的方式的电感的去耦电容 在很宽的的频率范围内提供了必要的去耦电容 。 要检查有效性 电，两个测试车辆设计和建造一个与固体 在每四个 n 沟道功率 安排连接模块上的阻性负载电源和地之间，从而诱导到大的 di/电结构。如该图所示。有几个网站所提供的正常的陶瓷，以及低电感片状电容器。为清楚起见，该测试车的其他功能，用于信号传输的测量，还没有被证明 ，对 电容器和负载 的各种组合 ，以及电流上升时间，进行了 测 试。测量结果 将 在后面介绍。 图 7 中所示的的 号传输环境。每根信号线之间交流接地导体相同的金属平面上，通过正交功率，接地和信号导体上的其它金属平面。由于交流接地导体，在所述第二平面还到信号线正交，返回电流流仅在共面导体 ;正交导体适度降低线路阻抗，通过电容加载。这初步证明了建设 大型物理模型（ 寸大小的 160 倍）做 量，并已被证实 试车辆上的测量如下所述。 图 7 号的传输环境 示于图的则该测试车辆 ，在一个发达的 设计及金属制品业的，具有四种掩模过程中使用铝中导体和光可聚酰亚胺介电 5 硅衬底。 硅片上用 积，或 杜邦 2721 聚酰亚胺层 制造工艺。并通过光刻法和外文资料译文 4 湿法刻蚀定义。接着，将聚酰亚胺的层上旋转，曝光，和发展 。 金属重复沉积和图案化，以形成第二金属层和一个最终的聚酰亚胺的步骤形成了保护大衣 ，对 几个中间层和基础层厚度介质进行了比较。 33 x 26 毫米基板填充去耦电容和端接电阻器和使用的，无包装的，传输线和配电阻抗测量接收功率 片，去耦电容器，和负载电阻器，并且被安装在一个 256 引领 和 量 配电噪声。用于固体平面版本同样配置的功率分布测量。两个基板的制作中，使用相同 的四个掩模，与板占据六个八个可能的， 5 晶圆网站，和固体的平面基片的其余两个网 络 。 有几种不同的信号传输测试结构被列入在 验车辆。所有有微波探头垫 150 点间距在任一端，并提供终止该行使用 50 R 0603 尺寸（ 导电基体结合的片式电阻器环氧树脂。对于所有的传输线测量，去 图 8 试车辆 耦电容，足以容纳配电阻抗下面 从 1 1 安装。（请参阅以外文资料译文 5 下部分配电阻抗）第二水平金属线无论是 米或 米长配置为信号电源和地线之间（ 信号分割内电力导体（ 信号内部分裂的接地导体（ 这里还设有一个串扰测量线设置，下午 80 点间距，从动线躺在电源和地之间，与受害人线内相邻的分割接地导体。第一级线（躺在聚酰亚胺介电） 米长，配置 进行了测量，看是否线阻抗不同于第二金属。 扑的一个方面，提出了特别的关注。这是对阻抗的影响，特别是在传播速度，改变从，例如，一个 X 去 的 的。有一个不连续返回电流路径变化的点，其中有一些效果根据 P 和 G 频率脱钩的兴趣。这还没有出现的一个问题在许多 信号层，其中经常引用电源或接地平面没有效果。如果要判断 存在问题，五段创建路径， 米 米 米， 米 米的 分串联。 层间和大衣聚酰亚胺基板厚度为 午 2 点和初始 质厚度，建立和计量。实验采用泰克 10 互连参数分析仪。该结果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 54 75 这些测量结果表明之间的重大差异 传输线，所造成的薄介电 下，将得到的字段存在于部分导电的硅衬底。的阻抗 是高于预期，因为面具错误导致线的宽度，而不是所期望的。 传播延迟确定的值肯定是类似于其他 板 ;货币供应量 数字均高于由于在基外文资料译文 6 板的接近。没有问题，所造成的被引用到电源或接地的信号延迟 ， 五段线是从其他 没有什么不同。 掩模组进行了修改和重复实验以 8 分厚的聚酰亚胺的初始介电层，并 间 的聚酰亚胺。下面结果，得到： 2 70 2 70 2 70 2 66 2 66 2 66 52 68 即使有一个 8 点层的聚酰亚胺中，所述半导体硅仍然具有效果。由于我们目前使用的测试作为基板的晶片，晶片的电阻率是未知的。进一步制作将使用测得的电阻率硅片确定的电阻率要消除的区别 传输线。详细的模拟线上述半导体基板也正在进行中。当然，不同的实现的拓扑结构中，对一个不会有低介电常数的绝缘基板的这个问题。 串扰测量 米耦合长度。受害者线两端终止。测量是在 “近期行动计划 ”310 注入 20上升时间 冲，从动线和测量的受害者线。串扰峰值小于这一套耦合线长 这一结果表明，串扰以合理的时钟不应该是一个问题频率和线的长度。 同时使用功率分布测量阻抗 510 网络分析仪和 291A 阻抗米。可以测量 45 1 一系列 8510 。 图 9 示出了测量的阻抗为几种 外文资料译文 7 图 9 使用 510 网络分析仪测出的配电阻抗频率 特性 图 10 使用 291A 阻抗测量仪 测出的 功率分布 阻抗频率特性 底物的各种组合去耦电容。即使是低电感 效果电容只出现高于这个频率低于 300 固有电容，无论是固体（ 版本中，占主导地位的测量阻抗。阻抗的上升，从 600 到 900 于电感的外文资料译文 8 影响。 4291A，测量从 1 至 500 图所示。共振 0.1 片电容是清楚地看到大约 20些测量是在不 容放置，以便确认的 测阻抗的上升，与正常上限之间 200 和 300 兆赫。 结果表明，有什么区别 电结构和一个使用固体。任何平面效果的附件或将被屏蔽引线键合阻抗的数量和类型使用的电容器。该程序用来连接芯片电容器是极其重要的，因为在衬底的铝系迅速形成原生的三氧化二铝，甚至这大约 80 A 的氧化物能产生可测量功率电阻路径。这可能占到无法实现极其低阻抗。 图中所示的测试车。 6 始建于两个 固体平面设计。两个 0.1 个 135 容 去耦。六并联 50R 电阻被用作负载（ 每四个功率 电阻）。在基片 110 地面组装成 256 铅 80 电源连接，以保证固体配电到基板上。这些软件包被焊接到习俗，脱钩的测试板。生成的程序集直流电压的下降，大电流流经负载电阻，在基板上平面的交流噪声大的 di/起的脉冲驱动 发电机。 因为装配问题，只有三四个 载部分可以被激活，而一些负载电阻不起作用，所以这些测试车辆的有效电阻 然而，这是足够低的，充足的电流可以得出，即使采用 10 V 最大口授去耦电容。测量直流滴 底电流和 电压降封装的引线键合架的中心之间的基板，其中测试点提供。的总电压下降分别为 12 固体飞机和 21 以固态和每架飞机的 3 效地抵抗 R。基于金属的量在这两个几何形状，这是预料之中的。 声进行了测量，总基板 di/前缘处的导通脉冲。固体平面和 本具有峰 200是取决于在飞机上测量了。这样的结果，如配电阻抗的测量，是一个反射的电容和附件的方法超过它是平面配电任何固有的局限性的结构。 五 用范围 扑结构可以提供，容易制造 设计规则，变量信号线密度高达 250cm/中两个金属层（ 80 时），这是与其他 现。这些被控制可以根据阻抗的阻抗线 50围内适当的几何形状。由于对其间外文资料译文 9 交流接地导体，它们具有极低的串扰。如果需要更大的密度，选择性删除配电连接，或者，一个四层的 构可以产生。这将是一个更有效地利用金属比传统的四层堆栈。 由这些线表现出的损失的函数，自己材料和横截面。厚铜镀线将远远比铝薄线损耗少，内几个 应商的工艺能力。 功率分布特征比较与 传统的固体平面，无论是在阻抗和噪音测量。直流电阻滴如与更大比固体平面，但只会是一个模块的问题非常高的功率密度，并可以减少到较厚的电镀金属的无关紧要的水平。如果有 扑结构的限制，他们的 上述检查的频率和功率密度测试，大概以上的时钟频率，线密度和模块的权力感兴趣的 近期高点批量应用。尽管需要额外的工作细化这里提出的测量，它似乎没有采用这种有效的降低成本的 大多数用的方法。 致谢 再此对 设计和制造专业的 P. Y. 及 以诚挚谢意。 伦纳德 沙佩尔（ S65 M92） 获得 1967 在 纽瓦克工程学院 就读 ， 1968 年于 麻省理工电气工程技术研究所，博士 学位于 1973年 在新泽西技术研究所 获得 。他 在加入 美国麻省理工学院之前， 自 1978 年以来任教于 T 贝尔实验室。 自 1980 年以来 他一直活跃在电子封装。他 于1990 年 加入美铝电子封装，指导他们的活动在薄膜的 1992 年，他 在阿肯色大学的中心 被任命为 高密度电子 气工程教授主任，在那里他领导的研究活动 是 超过 30 个研究生 参与的 先进的多芯片模块技术。他 是 公司的薄膜硅 术的共同发明者。彼持有四项专利，并撰写了大量的讲座和论文。沙佩尔博士曾担任多年 序委员会，以及 算机包装委员会。他目前是 事的董事会成员。 西蒙 昂 在阿肯色大学 获得了电子工程学士学位（ 分别从佐治亚理工学院和南方卫理公会大学（ 获得 了 电子工程硕士学位博士学位。他 于 1981 年 加入了美国德州半导体组仪器，致力于设计 功率集成电路 和电压调节器和工艺开发。他 在 1983 年 被晋升为科长。1988 年他加入 阿肯色大 学 电机系，他目前 是那里拥有 超过 85 份在在微电子，外文资料译文 10 固态材料，以及开关转换器领域的简报和会议论文 期刊 或合著文件 的作者。他
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