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1 2013/2014（一一）学年）学年 模拟电子技术基础期中考试试题模拟电子技术基础期中考试试题 姓名姓名 学号学号 班级班级 任课教师任课教师 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 一一判断题（正确的在括号内画判断题（正确的在括号内画，错误的画，错误的画，共共 10分分） 1N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ ） 2稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态。 （ ） ， 3. 三极管的外部电流关系是 BC ii=， 这是一个线性方程， 所以三极管是线性器件。（ ） 4为了保证晶体管 BJT 工作在线性放大区，其发射结和集电结都应加上正向偏置电压。 （ ） 5测出某三极管的共基电流放大系数小于 1，表明该管子没有放大能力。 （ ） 6绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的大。 （） 7双极型晶体管具有 NPN 或 PNP 对称结构，发射极和集电极可以互换。 （ ） 8在共射放大电路中，当负载电阻 RL 减小，电压放大倍数下降。 （ ） 9共集放大电路电压放大倍数小于 1，所以不能实现功率放大。 （ ） 10放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 （ ） 二二、填空题：、填空题： （每（每小题小题 2分，共分，共 20分，分， ） 1. P 型半导体的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 电子 。 2. 一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则 随着输入电压的增加，输出将首先出现 截止 失真；如果静态工作点偏高，则随着 输入电压的增加，输出将首先出现 饱和 3. 已知某三极管的PCM800mW，ICM500mA,， 失真。 BR(CEO) V30V。若该管子在电路中工作 电压VCE 10V，则工作电流IC不应超过 80 mA ；若VCE1V，则IC不应超过 2 500 4. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流 mA。 小 ；绝缘栅 型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 小 5. 某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为 5V，接入 2k 负载电阻后，输出电压 有效值降为 2.5V，这说明放大电路的输出电阻 R0 = 。 k2 。 6. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望从信号源索取电流小，应选用 共 集组态 放大电路； 既能放大电压， 又能放大电流， 应选用 共射组态 7. 在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是 放大电路； 25 1 = v A、100 2 = v A、40 3 = v A，则三 级放大电路= v A 105 折合为 100 8. 放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为 dB。 C晶体管的极间电容和分布电 容 的影响；低频时放大倍数下降，主要是因为 A耦合电容和旁路电容 9. 已知某共发射极放大电路的对数幅频特性如图所示，当信号频率f1KHz时，电压增益 Au为 40dB，则当信号频率f10 6 Hz时，电压增益 Au实际约为_37 _ dB。 此时，对应相频特性上的相位约为_ 的影 响。 -225 _度。 10. 交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如图所示, 负载上获得的最大不 失真输出电压的峰峰值是 3 V 0 f Hz 10 20 102 103 104 105 40 106 20lg| u A |(dB) -20dB/dec -20dB/dec 3 0 123456 )(VuCE )(mAiC 5 . 0 0 . 1 5 . 1 0 . 2 5 . 2 0 . 3 AiB10= A20 A30 A40 A50 Q - + uI - + uO Rb Rc RL VCC C1 C2 三三、选择题： （每、选择题： （每小题小题 2分，共分，共 20分，分， ） 1本征半导体在温度升高后， C A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变；B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变； 。 C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；D、自由电子和空穴数目基本不变。 2 当PN结外加正向电压时， 扩散电流 A 漂移电流， 耗尽层 A大于， B小于， C等于， D变宽， E变窄， F 不变 E 3用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V、6V、2.7V，则三个电极 分别是 C A、 （B、C、E） B、 （C、B、E） C、 （E、C、B） 。 4测得某硅晶体三极管的电位如图所示，判断管子的工作状态 是（ C ） 。 A放大状态 B截止状态 C饱和状态 D击穿状态 5在如图所示电路中，电阻 E R的主要作用是 B A提高放大倍数 B稳定直流静态工作点 。 C稳定交流输出 D提高输入电阻 6图示电路中，稳压管 DZ1和 DZ2的 稳定电压分别为 6V 和 9V， CE RE Rs us + + vi RL + vo +VCC RC C1 C2 T RB + + 1.7V 1.3V 1 V DZ 2 + 20V 500 510 + VO1 DZ1 4 则电压 VO=（ A ） A3V B6V C9V D0V 7某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ） 。 A.P 沟道增强型 MOS 管 B.P 沟道结型场效应管 C.N 沟道增强型 MOS 管 D.N 沟道耗尽型 MOS 管 8如下图所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压 0 u波形不失真，则应 B A、 。 C R增大 B、 B R增大 C、 B R减小 D、增大 9试判断图中复合管的接法哪些是错误的 1324 管 10. 下图所示电路不能正常放大，图中错误连接有 A、电容 C 的位置 B、电源 Vcc 的极性 C、 C2 的极性 D、 Ce 的极性 A 0 iD/mA -4 uGS/V 5 5 四四 （ （10 分）分）设图所示电路中，二极管为理想器件，输入电压由 0V 变化到 140V，试画出电 路传输特性曲线。 解： （参考答案） 设 D1 与 D2 之间的交点为 A，当 D2 导通时，A 点的电位为： 12030 3010060 100200 A VV =+= + （1） 当060viV时，D1 截止，D2 导通，60 oA vVV= （2） 当60120viV时，D1 导通，D2 导通， oi vv= （3） 当120140viV时，D2 截止，D1 导通，120 o vV= 传输特性曲线图 Vo/V Vi/V 120 60 140 120 60 6 五五 （12 分）分） 一个基极偏置的三极管放大电路直流通路图如下图(a)所示,其直流负载线给出在下图(b) 中，已知RC=2k，晶体管的=120，VBEQ=0.7V，选取流过R2的电流IR2=10IBQ。 （1） 试合理选择电阻R1、R2、RE ，使电路的直流工作点Q符合下图（b）的要求。 （2） 若将电路如图（C）所示，R L=2k，rbb=200，则电压放大倍数= ov A io/v v为多 少？ （C） 解： （参考答案） （ 1 ） 由 图 可 知 ， VCEQ=6V ， ICQ=4.8mA,IBQ= ICQ/=4.8/120=0.04mA. 所 以 VE=VCC-VRC-VCEQ=18-24.8-6=2.4V Rs vs + + vi RL + vo +VCC RC C1 C2 T R1 R2 Re CE + + + 7 RE=VE/IE=2.4/(1+120) 0.04=0.496k 晶体管的基极电位 VB=VE+VBE=2.4+0.7=3.1V 选取流过 R2的电流 IR2=10IBQ=0.4mA,则 R2=VB/IR2=3.1/0.4=7.75 k R1=(VCC-VB)/(IR2+IBQ)=33.86 k （2）求电压放大倍数 +=+= 850 84 . 4 26 1201200 )( )(26 )1 (）（ mAI mV rr EQ bbbe 141 )( = be LC v r RR A 六六 （10 分）已知如图所示电路中晶体管的50，VBEQ0.7V， b b r100，各电容足够 大，对交流信号可视为短路。 （1）求静态工作点 ICQ （2）求电压放大倍数 v A、输入电阻 i R和输出电阻 o R +VCC C2 C1 Rb RL Ro 4.7k 3k (+12V) Ri 270k Re vs vi vo T 解：解： （1）A RR VV I eb BEQCC BQ 22 )1 ( + = mA1 . 1 BQCQ II （2）+= k mAI mV rr EQ bbbe 27 . 1 )( )(26 )1 ( 987 . 0 )(1 ( )(1 ( + + = Lebe Le v RRr RR A Ri rbe + (1+) (Re/ RL) / Rb70k 8 RoRe/ + 25 1 be r 七 （12 分）图示电路中场效应管的转移特性可表达为： 2 GS(th) GS DOD 1 = U U II，其 中 DO I3mA， GS(th) U2V，并已知电路静态时 DQ I1mA， DSQ U4V。 1 s R、 d R应取多大？ 2求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻（电容的容抗忽略不计） 。 C1 C2 Rg1 Rg2 Rd Rg RsCs +VDD(+16V) 100k 15k RL 300k 1M RiRo ui uo 1由 () 2 thGS GSQ DODQ 1 = U U II解出 V15 . 3 GSQ U 又 SDQ g2g1 g1 DDGSQ RI RR R VU + = k85 . 0 s R )( sdDDDDSQ RRIVU+= 解出 k 2 . 11 d R 9 2 11)/( Ldm =RRgAu +=M08 . 1 )/( g2g1gi RRRR =k 2 . 11 do RR 八八、 （、 （6分）分）在如图所示 OCL 电路中，已知输入电压 i u为正弦波，三极管 VT1、VT2的电 流放大系数均为 30，饱和管压降V2 CES =U；三极管 VT3、VT4的电流放大系数均为 50； 所有三极管 b-e 之间的动态电压均可忽略不计， 偏置电路的动态电流可以忽略不计。 试求解： 1负载电阻 RL上可能得到的最大输出功率 om P 2当负