模电课件07第一章共射BJT小信号等效模型及参数.ppt

NPN管共射组态的放大电路,us是要放大的信号电压，称为输入电压,EBEC是直流偏置电压,RC称为集电极电阻,RC能将集电极回路中的信号电流转化成为放大以后的信号电压,1.4.4 共射BJT小信号等效模型及参数,五 共射BJT小信号等效模型及参数,IB,VBE,Vbe,ib,iB,Rb,RC,vs,EB,vCE,vBE,EC,vCE,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,rce,c,c,rbb,e,=,=,rcc,ree,r,r,b,b,g mv1,基区复合电阻rbe,所以,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,rce,c,c,rbb,e,=,=,rcc,ree,r,r,b,b,g mv1,集电结电阻rbc,rbc很大，约在100k10M之间,=,=,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,rce,c,c,rbb,e,=,=,rcc,ree,r,r,b,b,g mv1,(4)集射极间电阻rce,rce的值较大，通常在几十千欧姆以上,=,=,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,rce,c,c,rbb,e,=,=,rcc,ree,r,r,b,b,g mv1,（9）BJT的跨导gm,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,（二）简化型等效电路,低频信号,小,大,rbc反偏集电结电阻，rbcrce ，其值很大,低频简化型等效电路,六 H参数等效电路,六 H参数等效电路,hie是当BJT输出端交流短路(uce=0或uCE =常量)时的输入阻抗,hie表示为：BJT的输入特性曲线在工作点上切线斜率的倒数,hre是当BJT的输入端交流开路(ib=0或iB=常量)时，输入电压ube随输出电压uce的变化之比，反映了输出回路对输入回路的影响，称为BJT的内部电压反馈系数,输出电压对输入特性曲线有基区宽调效应（early效应）。hre是一个无量纲的比例系数，其值很小，如果忽略early效应，hre=0,六 H参数等效电路,通常输出回路中的负载电阻RC (或RL)比BJT的输出电阻1hoe小得多，当负载电阻RC (或RL)较小，满足RC /RL 01hoe的条件时，可以把hoe忽略掉,六 H参数等效电路,hre0,六 H参数等效电路,混合型等效电路和H参数等效电路的关系,hfe ib=gm ube= gm i b rbe,hfe=gm rbe,其中H参数的典型值为,hie= rbe =rbb+rbe =1.4 k,hre=510-4,hfe=50100,hoe=510-5 S,rce=1/ hoe , hfe=,hie = rbe =rbb+rbe = rbb+（1+）UT /IE,rbe =rbb+（1+）UT /IE,七 共射BJT的频率参数f,fT,7PN结的伏安方程为( )。该方程反映出PN结的基本特性是( )特性。此外，PN结还有( )效应和( )特性。,单向导电,电容,反向击穿,8PN结电容包括( )电容和( )电容。PN结反偏时，只存在( )电容。反偏越大，该电容越( ),势垒,扩散,势垒,大,9普通Si二极管的导通电压的典型值约为( )伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为( )伏。,0.7,0.3,10( ) 二极管的反向饱和电流远大于( ) 二极管的反向饱和电流,Si,Ge,11PN结的反向击穿分为( )击穿和( )击穿两种机理,雪崩击穿,齐纳击穿,12稳压管是利于PN结( )特性工作的二极管。,反向击穿,13变容二极管是利于PN结( )特性工作的二极管。,电容,15当发射结正偏，集电结反偏时，BJT工作在( )区，当发射结和集电结都( )时，BJT饱和；当发射结和集电结都( )时，BJT截止,放大,正偏,16放大