固态传感器-磁敏.ppt

Chapter8 固态传感器,8-1 磁敏传感器,检测技术,Chapter 8 固态传感器,定义 以半导体、电介质、铁电体等为敏感材料，在力、磁、热、光、射线、气体、湿度等因素作用下引起材料物理特性变化，通过检测其物理特性的变化即可反映被测参数值。 物性型传感器。,Chapter 8 固态传感器,优点 由于传感器原理是基于物性变化，因而没有相对运动部件，不存在磨损问题，可以做到结构简单，小型轻量； 感受外界信息灵活，动态相应好，并且输出为电量； 采用半导体为敏感材料，容易实现传感器的集成化、一体化、多功能化、图像化、智能化； 功耗低，安全可靠。,Chapter 8 固态传感器,缺点 输出特性一般为非线性，所以线性范围较窄，在线性度要求高的场合应采用线性化电路； 输出特性易受温度影响而产生漂移，所以要采取温度补偿措施。 过载能力差，性能参数离散性大。,8.1.1 霍尔传感器,1 霍尔效应 2 霍尔系数和灵敏度 3 材料及结构特点 4 基本电路形式 5 电磁特性 6 误差分析及其补偿方法 7 霍尔器件的特点 8 应用,1. 霍尔效应,科学家爱德文霍尔 1879年发现了霍尔效应。 半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势，这种现象称为霍尔效应；该电动势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。 为什么会产生霍尔电势呢？,图1 霍尔效应原理图,1. 霍尔效应,霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的物理效应。 在与磁场垂直的半导体薄片上通以电流I， 假设载流子是电子(N型半导体材料)，它沿与电流I相反的方向运动。由于洛仑磁力的 的作用，电子将向一侧偏转，并使该侧 形成电子的积累。而另一侧形成正电荷积累，于是元件的横向便形成了电场。该电场阻止电子继续向侧面偏移，当电子所受的电场力 与洛仑兹力 相等时，电子的积累达到平衡。这是在两个端面之间建立的电场称为霍尔电场 ，相应的电势称为霍尔电势 。,1. 霍尔效应,设电子以相同的速度v按图示方向运动，在磁感应强度B的磁场作用下，并设其正电荷所受洛仑兹力方向为正，则电子受到的洛仑兹力可用下式表示： 霍尔电场作用于电子的力 可表示为： 当达到动态平衡时， fE fL=0 于是得，,(8-1),(8-3),(8-2),1. 霍尔效应,电流强度 I=jbd=-nevbd v=-I/nebd d霍尔元件的厚度。 e电子电量。 又因为 j=-nev j电流密度 n单位体积中电子数，负号表示电子运动方向与电流方向相反。 将(8-4)式代人(8-3)式，得 UH=-IBned 若霍尔元件采用P型半导体材料，则可推导出 UH=IBped p单位体积中空穴数。,(8-5),(8-4),(8-6),2. 霍尔系数和灵敏度,设RH=1/ne 则(8-5)式可写成 RH为霍尔系数，其大小反映霍尔效应的强弱。 由电阻率1/ne，得RH= 材料的电阻率 载流子迁移率，即单位电场作用下载流子运动速度。 一般电子的迁移率大于空穴的迁移率，因此制作霍尔元件时多采用N型半导体材料。 思考： 霍尔效应和电涡流的异同点？ 金属是否适合用来制作霍尔元件？为什么？,(8-7),(8-8),霍尔效应和电涡流现象异同点,1. 相同点：存在磁场 2. 不同点： 霍尔系数:K=1/ned式中,n为载流子密度,一般金属中载流子密度很大,所以金属材料的霍尔系数系数很小,霍尔效应不明显; 而半导体中的载流子的密度比金属要小得多,所以半导体的霍尔系数系数比金属大得多,能产生较大的霍尔效应,故霍尔元件不用金属材料而是用半导体!,2. 霍尔系数和灵敏度,设 将上式代入（8-7）则 KH 元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流作用下霍尔电势的大小，其单位是(mV/mAT) 。 当磁感应强度B与霍尔片平面法线成角度时， （8-11）表明，当控制电流转向时，输出电势方向也随之变化，磁场方向改变时亦是如此。,(8-9),(8-10),(8-11),2. 霍尔系数和灵敏度,如果电流I用外部所加的电压E来表示，那么： I=E/R R: 霍尔元件的电阻值,2. 霍尔系数和灵敏度,总结： RH: 霍尔系数，反应霍尔效应的强弱， KH：元件的灵敏度，表示单位B和I的作用下，霍尔电势的大小。,RH=1/ne,提高灵敏度的方法, 金属的电子浓度很高，所以它的霍尔系数或灵敏度都很小，因此不适宜制作霍尔元件。 元件的厚度d越小，灵敏度越高，因而制作霍尔片时可采取减小d的方法来增加灵敏度，但是不能认为d越小越好，因为这会导致元件的输入和输出电阻增加，锗元件更是不希望如此。一般d=0.10.2mm,薄膜型霍尔元件只有1m左右。 适当选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比(b/L)，可以改变霍尔电势UH。,3. 霍尔元件的结构和基本电路,结构 霍尔片、引线和壳体组成。 霍尔片是矩形半导体薄片，在短边的两个面上焊出两根控制电流引线，在长边中点以点焊形式焊出两根霍尔电势输出端引线。 焊点要求接触电阻小（即欧姆接触） 霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。,3. 霍尔元件的结构和基本电路,图2 霍尔元件示意图,图3 霍尔元件型号命名法,图4 霍尔元件的基本电路,3. 霍尔元件的结构和基本电路,基本电路 控制电流由电源E供给，R为调整电阻，以保证元件中 得到所需要的控制电流。 霍尔输出端接负载RL ，RL 可以是一般电阻，也可以是放大器输入电阻或表头内阻。 思考题： RL是越大越好，还是越小越好？,4.主要特性参数,从上式中看出，霍尔电压与灵敏度、控制电流Ic和磁感应强度B的乘积有关。 分两种情况分析： 1. 磁场强度B恒定 2. 控制电流I恒定(思考：如果电流是正弦信号呢或者交变信号),磁场强度B恒定， Uh-I特性,当磁场强度B恒定时，输出UH和控制电流I具有良好的线性关系。 教材P171页图8-7.,磁场强度B恒定,KI=KH*B，KI称为控制电流灵敏度。KH称为霍尔元件的灵敏度。 KH大，KI大。 思考： KH大，霍尔电势输出UH也大吗？ 在磁场恒定的情况下，选用灵敏度较低的元件时，如果允许控制电流较大的话，也可能得到足够大的霍尔电压。 比如InSn霍尔器件HT-2,它的灵敏度比N型Ge的元件HZ-1小许多，但控制电流能增加到300mA,可得到的霍尔电压UH反而可能比HZ-1大。 由于建立霍尔电势所需的时间较短， 所以它的频率响应很高。当控制电流采用交流时，它的频率可达几千兆赫。 注意： B恒定， 测量频率高。I恒定，测量频率低。,4.控制电流I恒定,当控制电流I恒定时，输出UH随着磁场强度的增加不完全呈线性关系，而有非线性偏离。 教材P171页图8-8.,4.控制电流I恒定,在控制电流恒定的情况下，UH与B的关系只能在一定范围内保持线性,一般只在B0.5T（相当于5000Gs以下）时可认为是线性关系，尤其是HZ-4型元件线性较好。 当磁场交变时，UH也是交变的，但频率只限几千赫兹以下。 元件的输入阻抗及输出阻抗并不是常数，随磁场增强而增大，这是半导体的磁阻效应。 为了减少这种效应的影响,控制电流Ic最好用恒流源提供,4. 各种效应总结,压电效应 霍尔效应 磁阻效应 压阻效应 整流效应 磁致伸缩效应 压磁效应 磁滞效应 光电效应,误差分析：(1)几何尺寸及电极焊点的影响,在霍尔电势的表达式中，是将霍尔片的长度L看作无限大来考虑的。 霍尔片具有一定的长宽L/b，存在着霍尔电场被控制电流板短路的影响；因此应在霍尔电势的表达式中增加一项与元件几何尺寸有关的系数。 L/b2时，形状系数接近于1。,(8-15),电极焊点的影响,1.控制电流与霍尔元件之间的焊点要求 理想元件 面接触 实际上 点接触 2. 霍尔电极的焊点要求 霍尔电极有一定的宽度，它对元件的灵敏度和线性度有较大的影响。 当l/L0.1时，电极宽度的影响可忽略不计。,(2)不等位电势U0及其补偿,当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，实际不为零，这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势。 (对比：零点残余电压？ 温漂？零漂？),(2)不等位电势U0及其补偿,产生原因 由于制造工艺不可能保证将两个霍尔电极对称地焊在霍尔片的两侧，致使两电极点不能完全位于同一等位面上; 霍尔片电阻率不均匀或片厚薄不均匀或控制电流极接触不良都将使等位面歪斜，致使两霍尔电极不在同一等位面上而产生不等位电动势。,(2)不等位电势U0及其补偿,补偿方法 工艺上采取措施降低U0； 采用补偿电路加以补偿。,(3)寄生直流电势,当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出除了交流不等位电势外，还有一个直流电势，称寄生直流电势。交流零点偏离零V电位。 大小与工作电流有关，随着工作电流的减小，直流电势将迅速减小。 寄生直流电势是霍尔元件零位误差的一部分。 寄生直流电势的应用： 交流采样电路的设计。,(3)寄生直流电势,产生原因 元件的两对电极不是完全欧姆接触而形成整流效应， 以及两个霍尔电极的焊点大小不等、热容量不同引起温差所产生的。 补偿方法 元件制作和安装时，应尽量使电极欧姆接触，并做到散热均匀，有良好的散热条件。 对比： 不等位电势和寄生直流电势的区别 不等位电势： 控制电流I恒定，B=0 寄生直流电势： 控制电流I交变，B=0,(4)感应电势及其补偿,霍尔元件在交变磁场中工作时，即使不加控制电流，由于霍尔电势的引线布局不合理，在输出回路中也会产生附加感应电势，其大小不仅正比于磁场的变化频率和磁感应强度的幅值，并且与霍尔电势极引线所构成的感应面积成正比。,(4)感应电势及其补偿,补偿方法 合理布线； 在磁路气隙中安置另一辅助霍尔元件。如果两个元件的特性相同,就可以起到显著的补偿效果。,(5)温度误差及其补偿,一般半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度等都随温度而变化。 霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电动势变化，产生温度误差。 输入输出电阻随着温度变化，引起控制电流I的变化。所以采用恒流源是个有效的办法。但是KH也随着温度变化，,(5)温度误差及其补偿,减少温度误差的措施： 1. 采用温度系统小的元件，如砷化铟。 2. 恒温措施。 3.恒流源。采用恒流源供电可以减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化。霍尔元件的灵敏度系数kH也是温度的函数，采用恒流源后仍有温度误差。不能完全解决霍尔电势的稳定问题。 4. 并联补偿电阻r0.,(5)温度误差及其补偿,当温度T上升时，霍尔元件的内阻增加，导致流过霍尔元件的电流减小。如果用恒流源，则可以抵消内阻变化引起的电流变化。如果采用并联补偿电路的方法，那么并联r0后，相当于等效电阻减小，那么电流增加，起到温度补偿的作用。,(5)温度误差及其补偿,5. 采用热敏电阻Rt（具有负温度系数），电阻丝（具有正温度系数）进行温度补偿。 使用时要求这些热敏元件尽量靠近霍尔元件，使它们具有相同的温度变化。,(5)温度误差及其补偿,a)输入回路中接热敏电阻 b)输入回路并接电阻丝 c)输出端串接热敏电阻 d)输入端并接热敏电阻,7. 应用,根据UH和I和B的关系，霍尔元件的用途分为： 1. I恒定，输出正比与磁场，测量恒定或者交变磁场，比如高斯计。 2. B恒定，输出正比与控制电流，测量交流或者直流电压表，电流表。 3. I和B都变化，输出正比与两者乘积，比如乘法器和功率计(U*I)。,7. 应用场合,霍尔式位移传感器 霍尔式压力传感器 加速度传感器 转速传感器 电流传感器 霍尔计数器,图 霍尔式位移传感器的工作原理图 (a) 磁场强度相同传感器；(b) 简单的位移传感器；(c) 结构相同的位移传感器,(1) 微位移和压力的测量,下图为霍尔式位移传感器的工作原理图。,(1) 微位移和压力的测量,图(a)是磁场强度相同的两块永久磁铁，同极性相对地放置，霍尔元件处在两块磁铁的中间。 由于磁铁中间的磁感应强度B=0，因此霍尔元件输出的霍尔电势UH也等于零，此时位移x=0。 若霍尔元件在两磁铁中产生相对位移，霍尔元件感受到的磁感应强度也随之改变，这时UH不为零，其量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。 这种结构的传感器，其动态范围可达5mm，分辨率为0.001mm。,(1) 微位移和压力的测量,图(b)是一种结构简单的霍尔位移传感器，是由一块永久磁铁组成磁路的传感器，在霍尔元件处于初始位置x=0时， 霍尔电势UH不等于零。 图(c)是一个由两个结构相同的磁路组成的霍尔式位移传感器，为了获得较好的线性分布，在磁极端面装有极靴，霍尔元件调整好初始位置时，可以使霍尔电势UH=0。这种传感器灵敏度很高，但它所能检测的位移量较小，适合于微位移量及振动的测量 。,(2) 压力的测量,霍尔式压力传感器结构示意图 1-弹簧管 2-磁铁 3-霍尔片,(3) 加速度的测量,加速度传感器结构原理图,(5) 转速传感器,图示各种方法设置磁体，将它们和霍尔开关电路组合起来可以构成各种旋转传感器。霍尔电路通电后，磁体每经过霍尔电路一次，便输出一个电压脉冲。,(5) 转速传感器,当齿轮位于图中(a)所示位置时，穿过霍尔元件的磁力线分散，磁场相对较弱；而当齿轮位于图中(b)所示位置时，穿过霍尔元件的磁力线集中，磁场相对较强。齿轮转动时，使得穿过霍尔元件的磁力线密度发生变化，因而引起霍尔电压的变化，霍尔元件将输出一个毫伏(mV)级的准正弦波电压。此信号还需由电子电路转换成标准的脉冲电压。 霍尔轮速传感器具有以下优点：其一是输出信号电压幅值不受转速的影响。；其二是频率响应高。其响应频率高达20kHz，相当于车速为1000km/h时所检测的信号频率；其三是抗电磁波干扰能力强。因此，霍尔传感器不仅广泛应用于ABS轮速检测，也广泛应用于其控制系统的转速检测。,霍尔计数装置的工作示意图及电路图,(6) 霍尔计数装置,(6) 霍尔计数装置,霍尔开关传感器SL3501具有较高灵敏度的集成霍尔元件，能感受到很小的磁场变化， 因而可对黑色金属零件进行计数检测。 上图是对钢球进行计数的工作示意图和电路图。 当钢球通过霍尔开关传感器时，传感器可输出峰值 20 mV的脉冲电压，该电压经运算放大器(A741) 放大后， 驱动半导体三极管V(2N5812)工作， V输出端便可接计数器进行计数，并由显示器显示检测数值。,8.2 磁敏二极管和磁敏三极管,8.2.1 磁敏二极管 8.2.2 磁敏三极管 8.2.3 磁敏管的应用,1. 磁敏二极管的结构原理,在高纯度锗半导体的两端用合金法制成高掺杂的P型和N型两个区域; 在本征区（i）区一个侧面上，设置高复合r区; 与r区相对的另一侧面，保持为光滑无复合表面。,1. 磁敏二极管的结构原理,磁敏二极管的工作原理示意图,1. 磁敏二极管的结构原理,图(a)中，当没有外界磁场作用时，由于外加正偏压，大部分空穴通过I区进入N区，大部分电子通过I区进入P区，从而产生电流。只有很少电子空穴在I区复合掉。 图(b)中，当受外界磁场H 作用时，电子和空穴受洛仑兹力作用向r区偏移，由于在 r区电子和空穴的复合速度很快，因此进入r区的电子和空穴很快就复合掉。在H的情况下，载流子的复合率显然比没有磁场作用时要大得多，因而I区的载流子密度减小，电流减小，即电阻增加。那么在PI结、NI结上的电压相应减少，结电压的减少又进而使载流子注入量减少，以致I区电阻进一步增加，直到某一稳定状态。,1. 磁敏二极管的结构原理,图(c)中，当受外界磁场H 作用时，电子和空穴向r区的对面偏移，即载流子在I区停留的时间增长，复合减少，同时载流子继续注入I区，因此I区的载流子密度增加，电流增大，电阻减小。结果正向偏压分配在I区的压降减少，而加在PI结、NI结上的电压相应增加，进而促使更多的载流子注入I区，一起使I区电阻减小，直到某一稳定状态。,1. 磁敏二极管的结构原理,如果继续增加磁场时，就不能忽略在r区对面的复合及其对电流的影响。 由于载流子运动行程的偏移程度与洛 仑兹力的大小有关，并且洛仑兹力又与电场及磁场的乘机成正比，因此外加电场越高，这些现象越明显。,1. 磁敏二极管的结构原理,随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。 若r区和其他部分复合能力之差越大，那么磁敏二极管的灵敏度就越高。 磁敏二极管反向偏置时，仅流过很微小的电流，几乎与磁场无关。因而二极管两端电压不会因受到磁场作用而有任何改变。,2. 磁敏二极管的主要特征,（1）伏安特性 （2）磁电特性 （3）温度特向 （4）频率特性 （5）磁灵敏度,（1）伏安特性,在给定磁场情况下，磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流的关系曲线。,二极管伏安特性,（1）伏安特性,在给定磁场的情况下，锗磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流关系曲线如图a所示。 硅磁敏二极管的伏安特性有两种： 一种是在较大偏压范围内，电流变化比较平坦，随外加偏压的增加电流逐渐增加，而后伏安特性曲线上升很快，表现出其动态电阻比较小 另一种是具有负阻现象，即电流急增的同时偏压突然跌落。 产生负阻现象的原因是高阻硅的热平衡载流子较少，诸如的载流子未填满复合中心之前，不会产生较大的电流。当填满复合中心之后，电流才开始急增，同时本征区的压降减小，表现为负阻特性。,（2）磁电特性,在给定条件下，磁敏二极管的输出电压变化量与外加磁场间的变化关系。,图 磁敏二极管的磁电特性曲线 （a）单个使用时（b）互补使用时,（2）磁电特性,测试电路按图示连接，在弱磁场(B=0.1T以下)时输出电压变化量与磁感应强度成线性关系，随磁场的增加曲线趋向饱和。 正向磁灵敏度大于反向磁灵敏度。,（3）温度特性,温度特性是指在标准测试条件下，输出电压变化量 U或无磁场作用时两端电压U0随温度变化的规律。,（3）温度特性,磁敏二极管受温度的影响较大。反映温度特性好坏，可用温度系数表示。 硅磁敏二极管在标准测试条件下，U0的温度系数小于20mV，U的温度系数小于0.6%/。 而锗磁敏二极管U0的温度系数小于-60mV，U的温度系数小于1.5%/。 规定硅管的使用温度为-4085，而锗管则现定为-4065。,（4）频率特性,（4）频率特性,硅磁敏二极管的响应时间，几乎等于注入载流子漂移过程中被复合并达到动态平衡的时间。所以，频率响应时间与载流子的有效寿命相当。 硅管的响应时间小于1s ，即响应频率高达1MHz。 锗磁敏二极管的响应频率小于10kHz。,（5）磁灵敏度,磁敏二极管的磁灵敏度有如下几种定义方法。,电压相对磁灵敏度（hu），,(a) 在恒流条件下，偏压随磁场而变化的电压相对磁灵敏度（hu）为，即： u 0磁场强度为零时，磁敏二极管两端的电压； u B磁场强度为B时，磁敏二极管两端的电压。,电流相对磁灵敏度（hi），,(b) 在恒压条件下，偏流随磁场变化的电流相对磁灵敏度（hi），即： I0给定偏压下，磁场强度为零时通过磁敏二极管的电流； IB给定偏压下，磁场强度为B时通过磁敏二极管的电流；,电压相对磁灵敏度和电流相对磁灵敏度,(c) 在给定电压源E和负载电阻R的条件下，电压相对磁灵敏度和电流相对磁灵敏度定义如下： U0 、I0磁场强度为零时，磁敏二极管两端的电压和电流； UB、 IB磁场强度为B时，磁敏二极管两端的电压和电流；,（5）磁灵敏度hRu 和hRi,测定hRu和hRi的电路入图所示，该方法称为标准测试方法。 应特别注意，如果使用磁敏二极管时的情况和元件出厂的测试条件不一致时，应重新测试其灵敏度。,标准测试法电路原理图,3. 温度补偿,磁敏二极管的温度特性较差，因此在使用时，一般需对它进行补偿，补偿的方法较多，常采用互补电路。 1. 互补式电路(图a) 2. 差分式电路 3. 全桥式电路(图b),3. 温度补偿,互补电路：选用一组两只（或选用两组）特性相同或相近的磁敏二极管，按相反磁极性组合，即管子的磁敏感面相对放置,构成互补电路。 互补电路原理：当磁场B=0时，输出电压取决于两管（或两组互补管）等效电阻分压比关系，当环境温度发生变化时，两只管子等效电阻都要改变，因其特性完全一致或相近，则分压比关系不变或变化很小，因此输出电压随温度变化很小，达到温度补偿的目的。 互补电路： 除了温度补偿，还可以提高磁灵敏度。原因：P181最下方,3. 温度补偿,差分式电路(类似半桥电路): 提高磁灵敏度 全桥式电路： 磁灵敏度更高。 注意： 这两种方法对于管子的选择要求较高，实际使用困难。,3. 提高磁敏二极管电路的磁灵敏度方法,除了上面三种电路外，下面两种方法也可以提高磁灵敏度： 1. 选择灵敏度高的管子。 2. 提高磁敏二极管的偏压。但管子电流大，容易发热。,8.2.2 磁敏三极管,1. 磁敏三极管的结构原理 NPN型磁敏三极管是在弱P型近本征半导体上，用合金法或扩散法形成三个结即发射结、基极结、集电结所形成的半导体元件。,1. 磁敏三极管的结构原理,在长基区的侧面制成一个复合速率很高的高复合区r。长基区分为输运基区和复合基区两部。,1. 磁敏三极管的结构原理,1. 磁敏三极管的结构原理,当不受磁场作用如图(a)时，由于磁敏三极管的基区宽度大于载流子有效扩散长度，因而注入的载流子除少部分输入到集电极c外，大部分通过eib而形成基极电流。显而易见，基极电流大于集电极电流。所以，电流放大系数 。 当受到 磁场作用如图(b)时，由于洛仑兹力作用，载流子向发射结一侧偏转，从而使集电极电流明显下降。 当受 磁场使用如图(c)时，载流子在洛仑兹力作用下，向集电结一侧偏转，使集电极电流增大。,2. 磁敏三极管的主要特征,（1）伏安特性 （2）磁电特性 （3）温度特向 （4）频率特性 （5）磁灵敏度 （6）工作电压,（1）伏安特性,磁敏三极管的基极电流Ib和电流放大系数均有磁灵敏度，并且磁敏三极管电流放大倍数小于1。,（2）磁电特性,磁电特性是磁敏三极管最重要的工作特性。 在弱磁场作用时，曲线近似于一条直线。,（3）温度特性,（3）温度特性,磁敏三极管对温度很敏感。 3ACM、3BCM磁敏三极管的温度系数为0.8%/； 3CCM磁敏三极管的温度系数为-0.6%/。 温度系数有两种： 一种是静态集电极电流Ico的温度系数； 一种是磁灵敏度 的温度系数。,（3）温度特性,在使用温度t1 t2范围， Ico随温度的改变量与常温（比如25）时的Ico之比为相对变化量。平均每度的相对变化量为Ico的温度系数CTIco，即：,（3）温度特性,在使用温度