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单项选择题单项选择题 1、半导体二极管加正向电压时,有( ) A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、PN 结正向偏置时,其内电场被( ) A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定 3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( ) A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 4、在本征半导体中掺入( )构成 P 型半导体。 A、3 价元素 B、4 价元素 C、5 价元素 D、6 价元素 5、 PN 结 VI 特性的表达示为( ) A、 ) 1( / TD Vv SD eIi B、 D v SD eIi) 1( C、 1 / TD Vv SD eIi D、 TD Vv D ei / 6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带( ) A、变宽 B、变窄 C、不变 D、与各单级放大电路无关 7、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 12k的负载电阻后,输出电压降为 3V,这说明放大电路的输出电阻为( ) A、 10k B、2k C、4k D、3k 8、三极管工作于放大状态的条件是( ) A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 9、三极管电流源电路的特点是( ) A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源 VCC应当( ) A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 11、带射极电阻 Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容 Ce后,其电压放大倍数将( ) A、减小 B、增大 C、不变 D、变为零 12、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路 A 和 B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条 件下,测得 A 放大器的输出电压小,这说明 A 的( ) A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( ) A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 14、某 NPN 型三极管的输出特性曲线如图 1 所示,当 VCE=6V,其电流放大系数为( ) A、=100 B、=50 C、=150 D、=25 15、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为 6V、2.7V、2V, (见图 2 所示)则此三极管为( ) A、PNP 型锗三极管 B、NPN 型锗三极管 C、PNP 型硅三极管 D、NPN 型硅三极管 图 2 图图 1 16、多级放大电路的级数越多,则其( ) A、放大倍数越大,而通频带越窄 B、放大倍数越大,而通频带越宽 C、放大倍数越小,而通频带越宽 D、放大倍数越小,而通频带越窄 17、当放大电路的电压增益为-20dB 时,说明它的电压放大倍数为( ) A、20 倍 B、-20 倍 C、-10 倍 D、0.1 倍 18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求( ) A、独立信号源短路,负载开路 B、独立信号源短路,负载短路 C、独立信号源开路,负载开路 D、独立信号源开路,负载短路 19、场效应管放大电路的输入电阻,主要由( )决定 A、管子类型 B、gm C、偏置电路 D、VGS 20、场效应管的工作原理是( ) A、输入电流控制输出电流 B、输入电流控制输出电压 C、输入电压控制输出电压 D、输入电压控制输出电流 21、场效应管属于( ) A、单极性电压控制型器件 B、双极性电压控制型器件 C、单极性电流控制型器件 D、双极性电压控制型器件 22、如图 3 所示电路为( ) A、甲类 OCL 功率放大电路 B、乙类 OCL 功率放大电路 C、甲乙类 OCL 功率放大电路 D、甲乙类 OTL 功率放大电路 23、与甲类功率放大方式比较,乙类 OCL 互补对称功放的主要优点是( ) A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真 24、与乙类功率放大方式比较,甲乙类 OCL 互补对称功放的主要优点是( ) A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真 25、在甲乙类功放中,一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压 CE V 与电路中所加电源 CC V 关系表示正确的是( ) A、 CCCE VV B、 CCCE VV 2 1 C、 CCCE VV2 D、以上都不正确 26、通用型集成运放适用于放大( ) A、高频信号 B、低频信号 C、任何频率信号 D、中频信号 27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是( ) A、反相输入端为虚地 B、输入电阻大 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是( ) A、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路 B、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路 C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路 D、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路 29、共模抑制比KCMR越大,表明电路( ) A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 30、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益是( ) A、增加一倍 B、为双端输入时的一半 C、不变 D、不确定 31、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定 32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的( ) A、1AF 倍 B、1/(1AF)倍 C、1/F 倍 D、1/AF 倍 33、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应当采用( ) A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 图图 3 34、为了稳定放大电路的输出电流,并增大输入电阻,应当引入( ) A、电流串联负反馈 B、电流并联负反馈 C、电压串联负反馈 D、电压并联负反馈 35、如图 4 为两级电路,接入 RF后引入了级间( ) A、电流并联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负反馈 D、电压串联负反馈 36、某仪表放大电路,要求Ri大,输出电流稳定,应选( ) A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流),经过放大后希望输出电压与信号成正比,此放大电路应选( ) A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 38、某电路有用信号频率为 2kHz,可选用( ) A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器 39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数( )才能满足起振条件 A、为 1/3 时 B、为 3 时 C、3 D、1/3 40、LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为( ) A、 LC f 1 0 B、 LC f 1 0 C、 LC f 2 1 0 D、 LC f 2 1 0 41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是( ) A、2n,n 为整数 B、(2n+1),n 为整数 C、n/2,n 为整数 D、不确定 42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为( ) A、 RC f 62 1 B、 RC f 2 1 C、 RC f 2 1 D、 RC f 4 1 43、桥式整流电路若变压器二次电压为 tusin210 2 V,则每个整流管所承受的最大反向电压为( ) A、210V B、220V C、20V D、 2 V 44、图 5 为单相桥式整流滤波电路,ui为正弦电压,其有效值为 Ui=20V,f=50Hz。若实际测得其输出电压为 28.28V,这是由于( ) 的结果 A、C 开路 B、C 的容量过小 C、C 的容量过大 D、RL开路 图 3 C 图图 5 图 4 图图 4 45、在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则( ) A、 输 出 电 压 约 为 2UD B、 输 出 电 压 约 为 UD/2 C、 整 流 管 将 因 电 流 过 大 而 烧 坏 D、 变 为 半 波 整 流 46、直流稳压电源中滤波电路的目的是( ) A、 将 交 流 变 为 直 流 B、 将 高 频 变 为 低 频 C、将交、直流混合量中的交流成分滤掉 D、保护电源 47、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为( ) A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、U0=1.4U2 单项选择题答案 1、A 2、A 3、A 4、A 5、A 6、B 7、C 8、A 9、B 10、A 11、B 12、B 13、C 14、B 15、D 16、A 17、D 18、A 19、C 20、D 21、A 22、C 23、C 24、D 25、B 26、B 27、A 28、D 29、C 30、C 31、B 32、A 33、A 34、A 35、A 36、D 37、A 38、C 39、C 40、C 41、A 42、B 43、A 44、D 45、 C 46、C 47、B 计算题计算题 1、放大电路如图 1 所示,若 VCC =12V,Rc =5.1k, Rb=400 k,Re1 =100 , Re2=2k,RL =5.1 k,=50, 300 bb r (1)、求静态工作点; (2)、画出其 h 参数小信号等效电路; (3)、求 Av、Ri 和 Ro 。 2、放大电路如图 2 所示, (1)画出电路的小信号等效电路; (2)写出计算电压放大倍数 i o V V V A 1 1 和 i o V V V A 2 2 的表达式; (3)画出当 Rc=Re时的两个输出 电压 1o V 和 2o V 的波形(与正弦波 i V 相对应) 。 3、如图 3 所示,设 100 , VVCC10 , kRb201 , kRb152 , 。 kRC2Re 。试求: (1)Q 点; (2)电压增益 i V V V A 01 1 和 i V V V A 02 2 (3)输入电阻 i R ; (4)输出电阻 0201 RR 和 4、三极管放大电路如图 4 所示。 已知:rbb=300,=49,VBEQ=0.7V RC=6.4K,RL=6.4K,RE=2.3K (1)画出其微变等效电路 (2)计算电压放大倍数 Au (3)计算输出电阻 Ro 5、电路如图 5 所示,已知 VT=2V,IDO=1mA,gm=30mS。 电容足够大,其它参数如图所示。 求: (1)电路的静态工作点; (2)画出低频小信号等效模型; (3)中频电压增益、输入电阻、输出电阻。 6、电路如图 6,已知 50 , 200 bb r ,VBEQ=0.7V, VCC=12V, 570 b R , 4 C R , 4 L R (1) 、估算电路的静态工作点:IBQ,ICQ,VCEQ; (2) 、计算交流参数 AV 、Ri、Ro值; 图图 5 VDD 12V Rs 2K vi Rg2 2M Rg1 2M Rd 2K vo RL 2K C1 C2 C3 图 16 图图 4 (3) 、如输出电压信号产生顶部失真,是截止失真 还是饱和失真,应调整那个元件值,如何调? (4) 、请简要说明环境温度变化对该电路静态工作点的影响。 7、 电 路 如 图 7 所 示 , 已 知 晶 体 管 50, 在 下 列 情 况 下 , 用 直 流 电 压 表 测 晶 体 管 的 集 电 极 电 位 , 应 分 别 为 多 少 ? 设VC C 12V, 晶 体 管 饱 和 管 压 降VC E S 0.5V。 ( 1) 、 正 常 情 况 ; (2)、Rb1短路; (3)、Rb1开路; (4)、Rb2开路; (5)、RC短路。 8、电路如图 8(a)所示,其中电容C1、C2的容量视为无限大。试回答下列问题: (1)写出直流负载线表达式,在图 8(b)上画出直流负载线,求出静态工作点(ICQ,VCEQ,IBQ) ; (2)画出放大电路的微变等效电路; (3)求出电压增益 V A 、输入电阻Ri及输出电阻Ro。 9、在图 9 中,已知 Rb1=300K,Rc1=2K,Rb2=200K,Re=2K,RL=2K,IE2=2.2mA, 1=2=60。求: (1)第一级的静态工作点; (2)放大器的输入电阻和输出电阻; (3)总的电压放大倍数。 图题 8 3K C1 C2 +VCC +6V i v o v + + _ _ 50 Rc 3K RL Rb 256K 图(a) )(VvCE 0 图(b) 10、功率放大电路如图 10 所示,设输入 vi为正弦波。 () 、静态时,输出电容 C2 上的电压应调为多少伏? () 、RL得到的最大不失真输出功率大约是多少? () 、直流电源供给的功率为多少? () 、该电路的效率是多少? 11、功率放大电路如图 11 示。设三极管的饱和压降 VCES为 1V, 为了使负载电阻获得 12W 的功率。请问: (1)正负电源至少应为多少伏? (2)三极管的 ICM,V(BR)CEO至少应为多少? 12、电路如图 12 所示,JFET 的 gm=2mS ,rDS=20K。 (1)求双端输出时的差模电压增益 id oo VD v vv A 21 的值; (2)求电路改为单端输出时,AVD1、AVC1和 KCMR的值。 图图 11 图图 10 vo + - 13、在图 13 中: 1R ,C=0.47uF, 10 1 R 问: (1)、由该集成运放组成的电路是什么电路? (2)、计算 R2的值? (3)、计算输出电压的频率 f 的值? 14、某集成运放的单元电路如图 14 所示,设 T1、T2的特性相同,且足够大,问: (1)T1和 T2组成什么电路?在电路中起什么作用? (2)写出 IREF和 IC2的表达式,设 VBE=0.7V,VCC和 R 均为已知。 15、反馈电路如图 15 所示(a) 、(b)且满足深度负反馈的条件,判断其反馈类型并用近似估算法分别估算它们的电压放大倍数。 图图 1414 16、电路如图 16 所示,A1,A2,A3均为理想运放,电源电压为15V,问: (1) 、A1、A2、A3分别组成何种基本应用电路。 (2)、A1、A2、A3输入端那些是虚地、虚短、既不虚地也不虚短。 (3)、当 Vi1=1V,Vi2 =0.5V 时,VO1,VO2各为几伏?计算 VO3的函数式? 17、在图 17 所示电路中,已知R1R R 100k,R2Rf100k,C1F。 (1)、 判 断 图 中 的 反 馈 类 型 。 (2) 、 试 求 出 0 v 与 i v 的 运 算 关 系 。 (3) 、 设t 0 时 0 v 0, 且 i v 由 零 跃 变 为 -1V, 试 求 输 出 电 压 由 零 上 升 到 6V 所 需 要 的 时 间 。 18、理想运放构成的电路如图 18 所示,要求: (1)写出 o v 与 1 i v 、 2i v 之间的表达式; (2)若R1=R3=10k,R2=2k,R4=R5=40k, R6=R7=120k,求 。 1 i v 2i v 1o v 2o v o v + + + - - - A1 A2 A3 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 图题 18 o v 1o v 图 17 i v 21ii o vf vv v A 19、图 19 所示电路,运放均为理想器件,求输出电压 o V 与输入电压 21,ii VV 的关系。 20、图 20(a)、(b)所示电路中,运放均为理想器件,求各电路输出电压 VO与输入电压 Vi或 Vi1,Vi2的关系。 21、电路如图 21 所示,已知 T1和 T2的饱和管压降 UCES2V,A 为理想运放,忽略电阻的直流功耗。回 答 下 列 问 题 : ( 1)R3、R4和 T3的 作 用 是 什 么 ? ( 2) 负 载 上 可 能 获 得 的 最 大 输 出 功 率Po m和 电 路 的 转 换 效 率各 为 多 少 ? ( 3) 设 最 大 输 入 电 压 的 有 效 值 为 1V。 为 了 使 电 路 的 最 大 不 失 真 输 出 电 压 的 峰 值 达 到 16V, 电 阻R6至 少 应 取 多 少 千 欧 ? 22、如图 22 所示,图中 A 为理想放大器,试回答 (1)该图为何电路?主要由哪几部分构成?并指出其相应的元器件。 (2)计算其输出电压范围 图图 21 23、运算电路如图 23 所示,A1、A2可视为理想运放,其中 R1=5k、R2=2 k、R3=R4=10 k、Rf1= Rf2=10 k试求:输出电压和输入电压之间的函数关系表达式及 RP1和 RP2的值。 24、图 24 所示,假设运放是理想的,其中 ,8 . 0,6 . 0 21 VvVv ss ,50 1 kR kRRf100 21 , kRf50 2 , kR33 3 ,试写出电路输出电压vo的值。 25、如图 25 所示电路是一个正弦波振荡电路,问: (1) 、为保证电路正常的工作,节点 K 、J 、L、 M 应该如何连接? (2) 、R2 应该选多大才能振荡? (3) 、振荡的频率是多少? (4) 、R2 使用热敏电阻时,应该具有何种温度系数? 26、一个输出电压为+6V、输出电流为 0.12A 的稳压电源电路如图 26 所示。如果已选定变压器次级电压有效值为 10V,试指出整流二 极管的正向平均电流和反向峰值电压为多大,滤波电容器的容量大致在什么范围内选择,其耐压值至少不应低于多少,稳压管的稳 图 25 图 22 压值应选多大。 27、 电路如图 27 所示, 已知: A 为理想运算放大器, C1、 C2足够大, 稳压管 DZ的稳压值 VZ=6V, 三极管 T 饱和时 VCES=2V, 330 1 R , 150 2 R , 300 3 R 。 (1)、试求 VO的值; (2)、试估算电压值 VI,电路输入电压有效值 V2。 计算题答案计算题答案 1、解: (1)、如图 1.1: IBQ = )(1 ( 21eeb CC RRR V = )21 . 0(50400 12 kkk v = 23.7A ICQ = IBQ=1.2mA VCEQ = VCC ICQ (RCRe1Re2)= 3.5V (2)画出简化 h 参数等效电路如图 1.2 图 1.2 + ui _ Rb RC Re1 Ib + uo _ rbe Ib Ic VCC Rb Re2 RC Re1 VT 图 1.1 (3)、rbe = 300+(1+ ) EQ I mv26 =1.4k bebei RRrR/)1 ( 1 rbe=1.4 k LR = Rc/RL=2.55 k AV = 1 )1 ( ebe L Rr R =19.6 RO = RC = 5.1 k 2、解: (1)如图 2.1 (2) ebe c V Rr R i o A V V )1 ( 1 . . 1 共射电路 ebe e V Rr R i o A V V )1 ( )1 ( 2 . . 2 共集电路 (3) ec RR 时, 1AA v2v1 , 1Av2 如图 2.2 3、解: (1)Q 点: CC bb b B V RR R V 21 2 V3 . 4 mA R VV II e BEB EC 8 . 1 VRRIVV eCCCCCE 8 . 2)( A I I C B 18 图 2.2 图 2.1 (2)电压增益 i V V V A 01 1 和 i V V V A 02 2 k I mV rr E bbbe 66. 1 26 )1 ( 98. 0 )1 ( 01 1 ebe c i V Rr R V V A 99. 0 )1 ( )1 ( 02 2 ebe e i V Rr R V V A (3)输入电阻 i R : kRrRRR ebebbi 2 . 8)1 (/ 21 (4)输出电阻 0201 RR 和 kRR c 2 01 1 )/( / 21 02 bbbe e RRr RR 96 4、解: (1)如图 4 所示 (2) V KK KV RR RV V BB BCC BQ 3 4010 1015 21 2 mA K V R VV I E BEQBQ EQ 1 3 . 2 )7 . 03( RL=RCRL = K KK KK 2 . 3 4 . 64 . 6 4 . 64 . 6 K mA mV I mV rr EQ bbbe 6 . 1 1 26 )491 (300 26 )1 ( 98 6 . 1 2 . 349 K K r R A be L u (3)RO=RC=6.4K 5、解: (1)由 解方程组得:VGS=4V,VDS=8V,ID=1mA (2)低频小信号等效模型如图 5 所示。 2 21 2 )1( )( T GS DOD sdDDDDS sDDD gg g GS V V II RRIVV RIV RR R V 1 4 412 26 2 GS GS D DDS DGS V V I IV IV (3)中频电压增益: 30130)R/R(gA Ldm VM . 输入电阻: M1R/RR 2g1gi 输出电阻: K2RR do 6、解:(1) 8 .19 7 . 0 b CC BQ R V I mAICQ11000990 VRIVV ccccce 8 (2) 5 . 1 26 )1 ( EQ bbbe I rr , 687 .66 be L V r R A KrrR bebi 5 . 1/ KRR co 4 (3)截止失真,使 IB 增加,使 b R 减小。 (4)温度变化会对 Q 点有影响,T 增大,Q 点上移。 7、解:设VB E 0.7V。 则 ( 1) 基 极 静 态 电 流 V9 . 6 mA022. 0 cBCCC b1 BE b2 BECC B RIVV R V R VV I ( 2) 由 于VB E 0V, T 截 止 ,VC 12V。 ( 3) 临 界 饱 和 基 极 电 流 mA045. 0 c CESCC BS R VV I 实 际 基 极 电 流 mA22. 0 b2 BECC B R VV I 由 于IBIB S, 故 T 饱 和 ,VCVC E S 0.5V。 ( 4) T 截 止 ,VC 12V。 ( 5) 由 于 集 电 极 直 接 接 直 流 电 源 ,VCVC C 12V 8、解: 1解:直流负载线方程为: 由图 8 所示有:ICQ1mA,VCEQ3V。 Rg1 Rg2 Rd RL vi vo Vgs gmVgs 图 5 VVVi mAiV RiVV CCCEC CCE CCCCCE 6,0 2 3 6 ,0 ,20 256 7.06 A R VV I b BEQCC BQ 放大电路的微变等效电路如图 8(b)所示。 Rirbe/Rb1.6/2561.6 k。 RoRC3 k。 9、解: (1) A K V R V I b CC BQ 40 300 12 1 1 1101 4 . 24060 EQBQCQ ImAAII VKmAVRIVV CCQCCCEQ 2 . 724 . 212 111 (2) K mA mV I mV rr EQ bbbe 86. 0 4 . 2 26 )601 (200 26 )1 ( 1 11 1 11/bbei RrR 11beb rR KrR bei 86. 0 1 K mA mV I mV rr EQ bbbe 92. 0 2 . 2 26 )601 (200 26 )1 ( 2 22 2 1 / 12obe eo Rr RR 121 / cbo RRR 12cb RR KRR co 2 11 K KK KRo047. 0 601 292. 0 /2 (3) 22222 )1 (/ Lbebi RrRR K KK KK RRR LeL 1 22 22 / 2 K KK Kk Ri3 .47 1)601 (92. 0200 1)601 (92. 0200 2 211 / icL RRR K KK KK 92. 1 3 .472 3 .472 132 16192. 0 161 86. 0 92. 160 )1 ( )1 ( 222 22 1 11 21 KK K K K Rr R r R AAA Lbe L be L VVV 10、解: (1) VVV CCC 10 2 1 (2) W R cc V P L o 25. 6 2 2 1 )( 2 max (3) 96. 7 2 2 )( 2 L V R cc V P W (4) 0 0 5 .78 0 0 100 max V o P P 11、解: (1)Pom= W R VV L CEScc 12 2 )( 1 2 VCES=1V RL=6 VCC1=12V VCC0 VCC=13V (2) A V R V I L cc CM 17. 2 6 13 V(BR)CEO 2VCC=26V 12、解: (1) 3 .13)20/10(2)/( dsdmVD rRgA K I r E be 6 . 1 1 26 )501 (300 26 )1 (300 9 .46 6 . 1 )3/3(50)/( be LC i o V r RR V V A (2) 65. 63 .13 2 1 2 1 1 VDVD AA 33. 0 10201021 1067. 6102 )2(1 )/( 33 33 1 Sm dsdm VC Rg rRg A 15.20 33. 0 65. 6 1 1 VC VD CMR A A K 13 解: 1、文氏桥式振荡器, 2、为能起振,要求 31 1 2 R R AV ,R2 2R1=20K 3、 )(8 .338 1047. 010114. 32 1 2 1 63 HZ RC fo 14、解: (1)T1 、T2组成镜像电流源,在电路中作 T3的集电极有源负载,能提高放大电路的电压增益。 (2) R V R VV II ccBEcc cREF 7 . 0 2 15、解: (a): R3:电流串联负反馈 有 vf = vi vf = IeRe /( R3+R2) 32 2 RR R = e ee RRR RRI 32 2 vo = IC c R Auf = i O v v = 2 32 )( RR RRRR e eC (b):Rf:电压并联负反馈 有 If = Ii = 1 R U i = f O R v 故:Au= i O v v = 1 R Rf 16、解: (1) A1是差分输入 A2过零比较器 A3是积分电路 (2) A1输入端虚短 A2输入端不虚地也不虚短 A3输入端虚地 (3) Vuuuu R R U iiii F 15 . 02)( 10 20 )( 2121 1 01 当 0 01 U 时 VU6 02 当 0 01 U 时 VU6 02 tdt K dt K U C dtU RC U O O 6 . 06 100 1 10100 1 100 11 6 2 203 17、解: (1)A1:电压并联负反馈;A2 :电压串联负反馈;R2:电压串联正反馈。 A1:双端输入求和电路,A2:低通滤波器。 (2)因为 A1的同相输入端和反相输入端所接电阻相等,电容上的电压 oc vv ,所以其输出电压为 Ioo f I f o vvv R R v R R v 21 1 电容的电流为 R v R vv i Ioo c 1 因此,输出电压为 dtvdtv RC dti C v IIco 10 11 (3) VVttvv Io 6)1(1010 11 ,故t10.6S。 即经 0.6 秒输出电压达到 6V。 18、解: (1) (2) 19、解:V1+=V1=0 V2+=V2=0 (虚地) 1 1 1 1 00 f oi R V R V (虚断) 111 1 1 1 10 1 50 5 iii f o VV K K V R R V 23 2 1 1 000 f oio R V R V R V (虚断) 21212 3 2 1 2 2 50 50 ) 10 1 ( 5 50 iiiii f o f o VVV K K V K K V R R V R R V 20、解: (1) 、 43 0 R VV R V o (虚断) 21 0 R V R VVi (虚断) V+=V 虚短) iii VV KK K V RR R VV 2 1 100100 100 21 2 iioooo VVVV K KK V R RR V 2 1 22 100 100100 3 43 (2) 、V1+=V1=0 V2+=V2=0 (虚地) 1 1 1 1 00 f oi R V R V (虚断) 111 1 1 1 10 1 50 5 iii f o VV K K V R R V 23 2 1 1 000 f oio R V R V R V (虚断) 21212 3 2 1 2 2 50 50 ) 10 1 ( 5 50 iiiii f o f o VVV K K V K K V R R V R R V 21、解: ( 1) R3、 R4和 T3的 作 用 是 为 T1和 T2提 供 适 当 的 直 流 偏 置 , 消 除 交 越 失 真 。 ( 2) 最 大 输 出 功 率 和 效 率 分 别 为 ( 3) 当 输 出 电 压 的 峰 值 为 16V 时 , 其 有 效 值 为 : 3 .11 2 16 UO 根 据 运 算 “ 虚 短 ” 和 “ 虚 断 ” 的 原 理 有 : 6 io 1 i R UU R U 即 : K3 .101 1 13 .11 R U UU R 1 i io 6 22、解: (1)解:串联反馈式稳压电路:基准电压 REF V (或单稳压电路R、 Z D ) 、比较放大电路A、调整管T、取样环节 1 R 、 2 R )(1( 21 2 31 4 7 iio VV R RR R R V 21 21 ii o Vf VV V A %8 .69 18 218 4V UV 4 W16 82 )218( R2 )UV( P CC CESCC 2 L 2 CESCC om (2) OOVREFVB VVFVAV)( VV V REFO FA A VV 1 深度负反馈条件下: 11 VVF A )1 ( 2 1 R R V F V V REF V REF O 如图 22 所示 在 2 11 RRR 时,有 )1 ( 3 2 1 max R RR VV REFO 在 11 RR 时,有 )1 ( 2 3 1 min RR R VV REFO 23、解: 由图可知: 3 13 1 11 R vv R vv SS = 1 11 f O R vv 4 22 4 21 R vv R vv SO = 2 02 f R vv v1-= v1+=v2-=v2+=0 解之得: vo1 = 3 3 1 1 1 1 S f S f v R R v R R vo = 2 2 2 1 4 2 S f o f v R R v R R 故:vo =2vS1 5vS2 vS3 RP1=R1 /R3 /Rf1 =2.5k RP2= R2 /R4 /Rf2 =1.4 k 24、解: A1 和 A2 为理想放大电路:则有 VV 0 i I VVv R R v s f o 2 . 1)6 . 0( 50 100 1 1 1 1 2 2 2 1 2 2 )1 ( s f o f o v R R v R R v VV8 . 0) 100 50 1 ()2 . 1( 100 50 V8 . 1 25、 解: (1)运放 A 应构成放大电路,RC串并联环节构成正反馈。 所以 L接J ,M接K。 图 22 (2)起振幅值条件是AF1,Av1R2/R1,Fv1/3 所以Av3,R240K (3)振荡频率fo1/(2RC) = Z KH1)1001. 010162( 1 63 (4)为了保证振荡频率的幅值条件,由AF1 过渡到AF1。 即:Av3 过渡到Av3 ,所以 R2应该具有负温度系数。 26、解: IZ= 06. 0 2 1 O I (A) VRM= 14.142102 2 v (V) 50 12. 0 6 L R () 取 2 )53( T CRL 1000800 50502 53 2 )53( L R T C (uF) )(14.142 2 VvVCM vZ=vo=6(V) 27、解: (1) VU R RR U Z 96 300 300150 3 32 0 (2) VVUU OI 112 )83(VUU OI 2 2 . 1 UUI V V U1 . 9 2 . 1 11 2 填空题填空题 1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通 后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入 一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术, 称为 模拟 电子技术。 6、PN 结反向偏置时,PN 结的内电场 增强 。PN 具有 具有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电压 Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P 型半导体的多子为 空穴 、N 型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子空穴对 。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 空穴(P) 半导体和 电子(N) 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ,它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电 压 。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下, 输出随频率连续变化的稳态响应 。 15、N 型半导体中的多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容,影响高频信号放大的是 结 电容。 18、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的增加,则 IBQ 增大 ,ICQ 增大 ,UCEQ 减 小 。 19、三极管的三个工作区域是 截止 , 饱和 , 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压 Va = 1.2V, Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管(材 料) , NPN 型的三极管,该管的集电极是 a、b、c 中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB,总的电压放大倍 数为 10000 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正偏、 集电结反偏 。 某放大电路中的三极管, 测得管脚电压 Va = -1V, Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 硅 管(硅、锗) , NPN 型,集电极管脚是 a 。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为: 阻容(RC)耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合_,其中 直接耦合 能够放大缓慢变 化的信号。 24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 负载 ,而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。多级放 大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。 25、 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V, 接入12k的负载电阻后, 输出电压降为3V, 这说明放大电路的输出电阻为 4 k 。 26、为了保证三极管工作在放大区,要求: 发射结 正向 偏置,集电结 反向 偏置。对于型三极管,应使 VBC 0 。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射 组态有电流放大作用, 共射和共 集 组态有倒相作用; 共集 组态带负载能力强, 共集 组态向信号源索取的电流小, 共基 组态的频率响应 好。 29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射 。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 , 阻容耦合 , 变压器耦合 。 31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察 VO和 VI的波形,则 VO和 VI的相位差为 180 0 ;当为共集电极电路 时,则 VO和 VI的相位差为 0 。 32、放大器有两种不同性质的失真,分别是 饱和 失真和 截止 失真。 33、晶体管工作在饱和区时,发射结 a ,集电结 a ;工作在放大区时,集电结 b ,发射结 a 。 (填写 a 正偏,b 反偏,c 零偏) 34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用 共射 组态;希望输入电 阻大、输出电压与输入电压同相,可选用 共集 组态。 35、场效应管同双极型三极管相

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