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文档简介
1. 金属间化合物分类:电负性决定的原子价化合物、电子浓度决定的 电子化合物、原子尺寸决定的尺寸因素化合物。 2. 材料科学与工程四要素:组成与结构、使用性能、性质、合成与加 工。 3. 晶胞:是从晶体结构中取出来的反映晶体周期性和对称性的重复单 元。 4. 七大晶系、十四种布拉菲格子:三斜(简单三斜)、单斜(简单、 底心)、斜方(简单、体心、底心、面心)、三方(简单)、四方 (简单、体心)、六方(简单)、立方(简单、体心、面心)。 5. 晶面指数:结晶学中经常用(hkl)来表示一组平行晶面,称为晶 面指数。 晶向指数:用uvw来表示。 6.1mol离子晶体中的正负离子,由相互远离的气态结合成离子晶体时所 释放的能量。 7. 球体最紧密堆积原理:晶体中各离子间的相互结合,可以看作是球 体的堆积。按照晶体中质点的结合应遵循势能最低的原则,从球体 堆积的几何角度来看,球体堆积的密度越大,系统的势能越低,晶 体越稳定。 10. 晶体结构中正、负离子的配位数的大小由结构中正、负离子半径的 比值来决定。 11. 哥希密特结晶化学定律:晶体结构取决于其组成基元(原子、离子 或离子团)的数量关系、大小关系及极化性能。 12. 多晶转变分类:根据转变时速度快慢和晶体结构变化的不同,可将 多晶转变分为两类:位移性转变和重建性转变。位移性转变: 仅仅是结构畸变,转变前后结构差异小,转变时并不打开任何键或 改变最邻近的配位数,只是原子位置发生少许位移,使次级配位有 所改变。 重建性转变:不能简单地通过原子位移来实现,转变前后结构差异 大,必须破坏原子间的键,形成一个具有新键的结构。 13. 极化:在离子紧密堆积时,带电荷的离子所产生的电场,必然要对 另一个离子的电子云产生吸引或排斥作用,使之发生变形,这种现 象称为极化。 同质多晶:化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下形成结构不 同的晶体的现象,称为同质多晶现象。 热释电性:热释电性是指某些像六方ZnS型的晶体,由于加热使整个晶 体温度变化,结果在与该晶体c轴垂直方向的一端出现正电荷,在相反 的一端出现负电荷的性质。(晶体的热释电性与晶体内部的自发极化有 关) 14. 硅酸盐晶体中SiO4四面体的五种结合方式:岛状、组群状、链 状、层状和架状。 15. 缺陷按其产生的原因分为:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、 电荷缺陷和辐照缺陷等。 热缺陷分类,各自特点:热缺陷包括弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷。 弗伦克尔缺陷是质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置,其特征是空 位和间隙质点成对出现。肖特基缺陷是质点由表面位置迁移到新表 面位置,在晶体表面形成新的一层,同时在晶体内部留下空位,其特征 是正负离子空位成比例出现。 16. 形成肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的一般规律:当晶体中剩余空隙比 较小,比如NaCl型结构,容易形成消极特缺陷;当晶体中剩余空隙 比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。 17. 根据原子的滑移方向和位错线取向的几何特征不同,位错分为:刃 位错、螺位错和混合位错。 18. 刃位错、螺位错的定义、性质(与原子滑移方向的关系):刃 位错:晶体已滑移部分和未滑移部分的交线犹如砍入晶体的一把刀 的刀刃,则成为刃位错。其几何特征是位错线与原子滑移方向(即 伯氏矢量b)相垂直;滑移面上部位错线周围原子受压应力作用, 原子间距小于正常晶格间距;滑移面下部位错线周围原子受张应力 作用,原子间距大于正常晶格间距。 螺位错:由于位错线周围的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡 面,故称为螺位错。其几何特征是位错线与原子滑移方向相平行;位错 线周围原子的配置是螺旋状的,几形成螺位错后,原来与位错线垂直的 晶面,变成以位错线i中心轴的螺旋面。 19. 位错应变能:位错使其周围点阵畸变,点阵能量增加,点阵所增加 的能量。包括两部分:位错核心能,在位错核心几个原子间距 r0=2|b|=2b以内的区域,滑移面两侧原子间的错排能即相当于 位错核心能。由于位错中心处原子位移太大,线弹性理论不适应, 不能采取连续介质模型,而需要借助于点阵模型直接考虑晶体结构 和原子间的相互作用。据估计,错排能约占位错能的1/10.弹性 应变能,在位错核心区以外,长程应力场作用范围所具有的能量, 约占位错能的9/10。 20. 位错能否发生反应,取决于两个条件:其一,必须满足伯氏矢量的 守恒性,即反应前后各位错的伯氏矢量之和相等, 其二,必须满足能量条件,即反应后各位错的总能量应低于反应前各 位错的总能量, 21. 小角度晶界:晶界的结构和性质与相邻晶粒的取向差有关,当取向 差0(10 015)时,称为小角度晶界; 0(10015)时,称为大角度晶界。 倾斜晶界:一个晶粒相对于另一个晶粒以平行于晶界的某轴线旋转一 定角度所形成的晶界称为倾斜晶界。 扭转晶界:一个晶粒相对于另一个晶粒以垂直于晶界的某轴线旋转一 定角度而形成的晶界称为扭转晶界。 小角度晶界的结构:倾斜晶界的结构 a、对称倾斜晶界 b、不对称 倾斜晶界 扭转晶界的结构 22. 固溶体分类:根据容止原子在基质晶体中所处位置分类 置换式 固溶体:亦称替代固溶体,其溶质原子位于点阵结点上,替代(置 换)了部分溶质原子。间隙式固溶体:亦称间隙型固溶体,其 溶质原子位于点阵的间隙中。 根据外来组元在基质晶体中的固溶度分类 有限固溶体(不连 续固溶体、部分互溶固溶体):有限固溶体固溶度小于100%。无限 固溶体(连续固溶体、完全互溶固溶体):由两个(或多个)晶体机构 相同的组元形成,任一组元的成分范围均为0100%。 23. 伯格斯矢量:表明晶体中有位错存在时,滑移面一侧质点相对于另 一侧质点的相对位移或畸变。 固溶体:将外来组元引入晶体结构,占据基质晶体质点位置或间隙位 置的一部分,仍保持一个晶相,这种晶体称为固溶体。 非化学计量化学物:按照化学中定比定律,化合物中的不同原子的数 量要保持固定的比例,但在实际的化合物中,有一些化合物并不符合定 比定律,其中负离子与正离子的比例并不是固定的比例关系,这些化合 物称为非化学计量化合物。 24. 熔体聚合物理论:熔体中聚合物的形成可分为三个阶段。初期:熔 体的分化;中期:缩聚并伴随着变形;后期:在一定时间和一定温 度下,缩聚-分化达到平衡。产物中有低聚物、高聚物、三维晶格 碎片以及游离碱、吸附物,最后得到的熔体是不同聚合程度的各种 聚合体的混合物,构成熔体结构。聚合物的种类、大小和数量随着 熔体的组成和温度而变化。这就是熔体结构聚合物理论。 25. 粘度:指单位接触面积、单位速度梯度下两层液体间的内摩擦力。 粘度单位是Pas 影响熔体粘度的主要因素:温度和化学组 成。 26. 硼反常现象:当数量不多的碱金属氧化物同三氧化二硼一起熔融 时,碱金属所提供的氧不像熔融二氧化硅玻璃中作为非桥氧出现在 结构中,而是使硼氧三角体转变为由桥氧组成的硼氧四面体致使三 氧化二硼玻璃从原来二度空间的层状结构部分转变为三度空间的架 状结构,从而加强了网络结构,并使玻璃的各种物理性能变好。这 与相同条件下的硅酸盐玻璃相比,其性能随碱金属或碱土金属加入 量的变化规律相反,所以称之为硼反常反应。 27. 表面张力:作用于表面单位长度上与表面相切的力,单位是N/m。 表面能:通常将在熔体与另一接触的相界面上(一般另一相指空气), 在恒温、恒压条件下增加一个单位表面积时所做的功,称为比表面能, 简称表面能,单位为J/m 。简化后其因次为N/m。 28.晶格能和表面张力的关系:结构类型相同的离子晶体,晶格能越 大,熔体表面张力越大;单位晶体边长越小熔体表面张力越大。(熔体 内部质点相互作用力越大,表面张力越大) 29.润湿是一种流体从固体表面置换另一种流体的过程。三种类型:沾 湿,浸湿,铺展。 30.=90作为润湿和不润湿的界限,小于90,可润湿;大于90,不 可。 31.相:系统中具有相同物理与化学性质的完全均匀部分的在总和。相 界面:相与相之间有界面。 32.组元:系统中每一个能单独分离出来并能独立存在的化学物质。独 立组元:足以表示形成平衡系统中各相组成中所需要的最少数目的物质 (组元)。 33.相律的数学表达式:F=C-P+n(只考虑温度和压力,n=2,即F=C- P+2)系统中组分数C越多,则自由度数F越大;相数P越多,自由度数 F越小;自由度为零时,相数最大,相数最小时,自由度最大。 34 35. SiO2重建性转变破坏原有结构,转变速度慢,体积变化大,由晶体 表面向内部进行;位移性转变转变速度快,可逆,与晶体内部发生。 36. 37.不一致熔融化合物是一种不稳定的化合物,加热到一定温度分解, 分解产物是一种液相一种晶相,二者组成与原来化合物完全不同(只能 在固态中存在)。 38. 39.熔体冷却析晶过程规律 :冷却时从液相中首先析出初晶区所对应的 那种晶体,在初晶相析出过程中,液相组成点的路线遵守背向线规则; 冷却过程中系统的总组成点在投影图上位置始终不变,系统的总组成 点,液相组成点和固相组成点始终在一条直线上,形成杠杆;三元低共 熔点一定是结晶的结束点。 40.三角形规则:原始熔体组成点所在三角形的三个顶点表示的物质即 为其结晶产物,与这三个物质对应的初晶区所包围的无变量点是其结晶 结束点。 41:判断一致和不一致熔融化合物的方法:不论二元或三元化合物,其 组成点在自己的初晶区内的,是一致熔融化合物;组成点在自己的初晶 区外的,是不一致熔融化合物。 42. 共熔界线-转熔界线:通过界线上各店作切线与俩相应晶相组成点 的连线相交,如果交点都在连线之内就是共熔界线,如果交点在连 线之外,为转熔界线。 43.低共熔点:若无变量点处于相应的副三角形内的重心位置。 单转熔点:之外,则为转熔点,而且在交叉位子的是单转熔点。 双转熔点:在共轭位置。 44.转熔点不一定是结晶结束点。低共熔点一定是结晶结束点。 45.判断过渡点的方法:如果无变量点周围三个初晶区所对应的晶相组 成点在一条直线上,无变量点没有对应的副三角形,该无变量点便是过 渡点。 47解:透闪石双链结构,链内的Si-O键要比链间的Ca-O、Mg-O键强很 多,所以很容易沿链间结合力较弱处劈裂成为纤维状;滑石复网层结 构,复网层由两个SiO4层和中间的水镁石层结构构成,复网层与复网 层之间靠教弱的分之间作用力联系,因分子间力弱,所以易沿分子间力 联系处解理成片状。 48解:(1)Al3+可与O2-形成AlO45-;Al3+与Si4+处于第二周期,性质类 似,易于进入硅酸盐晶体结构中与Si4+发生同晶取代,由于遵循鲍林规 则,所以只能部分取代;(2)Al3+置换Si4+是部分取代,Al3+取代 Si4+时,结构单元AlSiO4ASiO5,失去了电中性,有过剩的负电荷,为 了保持电中性,将有一些半径较大而电荷较低的阳离子如K+、Ca2+、 Ba2+进入结构中;(3)设Al3+置换了一半的Si4+,则O2-与一个Si4+一个 Al3+相连,阳离子静电键强度=3/41+4/41=7/4,O2-电荷数为-2,二者 相差为1/4,若取代超过一半,二者相差必然1/4,造成结构不稳定。 49说明下列符号的含义:VNa,VNa,VCl,(VNaVCl),CaK, CaCa,Cai 解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一 个单位正电荷;最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心;Ca2+占据K. 位置,带一个单位正电荷;Ca原子位于Ca原子位置上;Ca2+处于晶格间 隙位置。 50写出下列缺陷反应式:(l)NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体; (2)CaCl2溶入NaCl中形成空位型固溶体;(3)NaCl形成肖特基缺陷; (4)Agl形成弗伦克尔缺陷(Ag+进入间隙)。(5)NaF加入YF3中形成 间隙型固溶体 解:(1)NaCl NaCa+ClCl+VCl (2)CaCl2 CaNa+2ClCl+VNa (3)O VNa+VCl (4)AgAg VAg+Agi (5)3NaF YF3 NaY +3F+2Nai 51什么是肖特基缺陷、弗兰克尔缺陷?他们属于何种缺陷,发生缺陷时 位置数是否发生变化。 肖特基缺陷:晶体结构基元,从正常的位置结点位置上移到晶体表面而 正常位置出现了空位 弗兰克尔缺陷:晶体结构基元,从正常的位置结点位置上移到晶体的间 隙位置上,而正常位置出现了空位。 都属于热缺陷,肖特基缺陷:位置数增加,体积增大。弗兰克尔缺陷: 位置数不增大,体积不增大。 52非化学计量化合物FexO中,Fe3+Fe2+0.1,求FexO中的空位浓度及x 值。(答:2.25105;0.956) 解:Fe2O3 2FeFe+3OO+VFe y 2y y Fe3+2yFe2+1-3yO, X=1-y=1-0.044=0.956,Fe0.956O VFe= =2.2510-2 53.MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体1000K和1500K 的缺陷浓度。(答:6.4103,3.5102) 解:n/N=exp(-E/2RT),R=8.314,T=1000k:n/N=6.410-3; T=1500k:n/N=3.510-2。 54.在MgOAl2O3和PbTiO3PbZrO3中哪一对形成有限固溶体,哪一对形 成无限固溶体,为什么? 解:MgO-AL2O3: ,即rMg、rAl半径相差大,MgO(NaCl型)、AL2O3(刚玉)结构类型差 别大,形成有限固溶体; PbTiO3-PbZrO3形成无限固溶体,因为尽管Ti4+、Zr4+半径相差较大 (15.28),但都是(ABO3)钙钛矿型结构,Ti4+、Zr4+都填充八面体空 隙,该空隙体积较大,可填入的阳离子的半径r值可在一定范围内变 化,而不至于使结构变化。 56.一块金黄色的人造黄玉,化学分析结果认为,是在Al2O3中添加了 0.5mol%NiO和.02mol% Cr2O3。试写出缺陷反应方程(置换型)及化学 式。 解:NiO和Cr2O3固溶入Al2O3的缺陷反应为: 2NiO 2 + +2OO Cr2O3 取1mol试样为基准,则 m 0.005 ; m 0.0002 ; m 10.0050.00020.9948 2NiO 2Al2 O3 Cr2 O3 Al2 O3 取代前Al2O3所占晶格为: 0.99480.005/20.00020.9975mol (Al2O3) 取代后各组分所占晶格分别为: Al2O3: mol NiO: mol Cr2 O3: mol 取代后,固溶体的分子式为: 0.9973 Al2O30.005 NiO 0.0002 Cr2 O3 或Al1.9946Ni 0.005Cr0.0004 O2.9975 57.ZnO是六方晶系,a=0.3242nm,c=0.5195nm,每个晶胞中含2个ZnO分 子,测得晶体密度分别为5.74,5.606 g/cm3,求这两种情况下各产生什 么型式的固溶体? 解:六方晶系的晶胞体积 V= = =4.73 cm3 在两种密度下晶胞的重量分别为 W1=d1v=5.744.7310-23=2.7210-22(g) W2=d2v=5.6064.7310-23=2.6510-22(g) 理论上单位晶胞重 W= =2.69 (g) 密度是d1时为间隙型固溶体,是d2时为置换型固溶体。 58.Al2O3在MgO中形成有限固溶体,在低共熔温度 1995时约有18wtAl2O3溶入MgO中,假设MgO 单位晶胞尺寸变化可忽略不计。试预计下列情况的 密度变化。1)Al3+为填隙离子;2)Al3+为置换离 子。 解:(a)Al3+为填隙离子: 缺陷反应为: (1) 固溶式分子式: (b)Al3+为置换离子: 缺陷反应为: (2) 固溶式分子式: (3) 取100g试样为基准:(为摩尔数) (m为摩尔数) MgO中固溶18%wt的Al2O3后的分子式为: 2.035MgO0.176Al2O3或Mg2.035Al0.352O2.563(4) (4)式各项除以2.563得Mg0.794Al0.137O(5) 由(5)式得x=0.137代入(2)(3)式, 对(a)有 即 (b)有 设:固溶前后晶胞体积不变,则密度变化为: ( , 分别代表固溶前后密度) 所以,固溶后的密度小于固溶前的密度。 59.对硫铁矿进行化学分析:按分析数据的Fe/S计 算,得出两种可能的成分:Fe1-xS和FeS1-x,前者 意味着是Fe空位的缺陷结构,后者是Fe被置换。设 想用一种实验方法以确定该矿物究竟属哪一类成 分? 解:Fe1-xS中存在Fe空位, 非化学计量,存在hP型半导体;FeS1-x中金属离子过剩,存在S2-空 位,存在 N型半导体;因Fe1-xS、FeS1-x分属不同类型半导体,通过实验确定其半 导体性质即可。 60. 说明为什么只有置换型固溶体的两个组分之间才能相互完全溶解, 而填隙型固溶体则不能。 解:(1)晶体中间隙位置是有限的,容纳杂质质点能力10%;(2)间 隙式固溶体的生成,一般都使晶格常数增大,增加到一定的程度,使晶 格变得不稳定而离解;置换固溶体形成是同号离子交换位置,不会对接 产生影响,所以可形成连续固溶体。 61. 试述影响置换型固溶体的固溶度的条件 1.从晶体稳定性考虑,相互替代的离子尺寸愈相近,则固溶体愈稳定。 若以r1和r2分别代表半径大和半径小的两种离子的半径。当它们半径差 30%时,不能形成固溶体。 2、晶体的结构类型 形成连续固溶体的两个组分必须具有完全相同的 晶体结构。结构不同最多只能生成有限固溶体。 3、离子的电价因素 只有离子价相同或复合替代离子价总和相同时, 才可能形成连续置换型固溶体。 4、电负性因素 电负性相近,有利于固溶体的生成。 62.非化学计量化合物与无限固溶体的异同。 共同点:(1)都属于晶体结构中缺陷中的点缺陷。(2)相组成均为均 匀单相 不同点:(1)形成原因不同,非化学计量化合物由气氛性质和压力变 化引起,而无限无限固溶体则由参杂溶解引起。(2)形成条件不同, 前者只有价态元素氧化物在氧化和还原气氛中才能形成,而后者则需满 足离子半径和电负性差值较小,保持电中性,结构相同条件形成。 (3)组成范围不同,前者组成变化范围小而后者可以在整个范围内变 化。 63.形成间隙固溶体的条件 (1) 杂质质点大小 添加原子越小,易形成固溶体。 (2) 晶体结构 基质晶体中空隙越大,结构越疏松,易形成固溶体。 (3) 电价因素 外来杂质原子进入间隙时,引起电价的不平衡,但必 须保持电价的平衡。通过生成空位,来稳定价态。容纳杂质的能力 10%。 64.非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增 大周围氧气的分压非化学计量化合物Fe1-xO及Zn1+xO的密度将发生怎 么样的变化?增大还是减小?为什么? 解:Zn(g) Zni+e Zn(g)+1/2O2=ZnO Zni+e+1/2O2 ZnO ZnO=e PO2 Zni O2(g) OO+VFe+2h k=OOVFeh/PO21/2=4OOVFe3/PO21/2 VFePO2-1/6, PO2 VFe 65.用0.2mol YF3加入CaF2中形成固溶体,实验测得固溶体的晶胞参数 a=0.55nm,测得固溶体密度=3.64g/cm3,试计算说明固溶体的类型? (元素的相对原子质量:Y=88.90;Ca=40.08;F=19.00) 解:YF3加入CaF2的缺陷反应方程如下: YF3 Y +F +2FF (1) 2YF3 2Y +V +6FF (2) 方程(1)和(2)的固溶式:(1)Ca1-xYxF2+x (2) Ca(1-3/2x)YxF2 按题意x=0.2代入上述固溶式得:间隙型固溶体分子式为Ca0.8Y0.2F22 置换型固溶体分子式为Ca0.7Y0.2F2;它们的密度分别设为1和2。 CaF2是萤石型晶体,单位晶胞内含有4个萤石分子。 1= =3.659(g/cm3) 2= =3.346(g/cm3) 由1与2计算值与实测密度=3.64g/cm3比较,1值接近3.64g/cm3, 因此0.2mol YF3加入CaF2中形成间隙型固溶体。 66.对于MgO、Al2O3和Cr2O3,其正、负离子半径比分别为0.47、0.36和 0.40,则Al2O3和Al2O3形成连续固溶体。(1)这个结果可能吗?为什 么?(2)试预计,在MgOCr2O3系统中的固溶度是有限的还是无限 的?为什么? 解:(1)Al2O3与Cr2O3能形成连续固溶体, 原因:1)结构内型相同,同属于刚玉结构。 2) (2)MgO与Cr2O3的固溶度为有限 原因:结构类型不同MgO属于NaCl型结构,Cr2O3属刚玉结构。 虽然 也不可能形成连续固溶体。 67.解:(1)对于置换式固溶体有 x=0.15,1-x=0.85,2-x=1.85,所 以置换式固溶体化学式Ca0.15Zr0.85O1.85。有因为ZrO2属于萤 石结构,晶胞分子数Z=4,晶胞中有Ca2+、Zr4+、O2-三种质点。 晶胞质量 d置 = =5.565g/cm3 对于间隙固溶体,其化学式Ca2yZr1-yO2,与已知 组成Ca0.15Zr0.85O1.85相比,O2-不同, Ca0.15Zr0.85O1.85 Ca0.152/1.85Zr0.3/1.85O2 间隙式固溶体化学式Ca0.32/1.85Zr1.7/1.85O2 晶胞质量 d间= =6.014g/cm3,由此可判断生成的是置换型固溶 体。 68.试述微晶学说与无规则网络学说的主要观点,并比较两种学说在解 释玻璃结构上的共同点和分歧。 解:微晶学说:玻璃结构是一种不连续的原子集合体,即无数“晶 子”分散在无定形介质中;“晶子”的化学性质和数量取决于玻璃的化 学组成,可以是独立原子团或一定组成的化合物和固溶体等微晶多相 体,与该玻璃物系的相平衡有关;“晶子”不同于一般微晶,而是带有 晶格极度变形的微小有序区域,在“晶子”中心质点排列较有规律,愈 远离中心则变形程度愈大;从“晶子”部分到无定形部分的过渡是逐步 完成的,两者之间无明显界限。无规则网络学说:玻璃的结构与相应的 晶体结构相似,同样形成连续的三维空间网络结构。但玻璃的网络与晶 体的网络不同,玻璃的网络是不规则的、非周期性的,因此玻璃的内能 比晶体的内能要大。由于玻璃的强度与晶体的强度属于同一个数量级, 玻璃的内能与相应晶体的内能相差并不多,因此它们的结构单元(四面 体或三角体)应是相同的,不同之处在与排列的周期性。微晶学说强调 了玻璃结构的不均匀性、不连续性及有序性等方面特征,成功地解释了 玻璃折射率在加热过程中的突变现象。网络学说强调了玻璃中离子与多 面体相互间排列的均匀性、连续性及无序性等方面结构特征。 69.解:网络变体 Na2O CaO K2O BaO 中间体 Al2O3 网络形成体 SiO2 B2O3 P2O5 70.解释硼酸盐玻璃的硼反常现象? 解:硼反常现象:随着Na2O(R2O)含量的增加,桥氧数增大,热膨胀 系数逐渐下降。当Na2O含量达到15%16%时,桥氧又开始减少,热膨胀 系数重新上升,这种反常现象就是硼反常现象。 硼反常现象原因:当数量不多的碱金属氧化物同B2O3一起熔融时,碱金 属所提供的氧不像熔融SiO2玻璃中作为非桥氧出现在结构中,而是使硼 转变为由桥氧组成的硼氧四面体。致使B2O3玻璃从原来二度空间层状结 构部分转变为三度空间的架状结构,从而加强了网络结构,并使玻璃的 各种物理性能变好。这与相同条件下的硅酸盐玻璃性能随碱金属或碱土 金属加入量的变化规律相反。 71.一般说来,同一种物质,其固体的表面能要比液体的表面能大,试 说明原因。 解:同一种物质,其液体固体的表面结构不同,液体分子可自由移动, 总是通过形成球形表面来降低其表面能;固体则不能,固体质点不能自 由移动,只能通过表面质点的极化、变形、重排来降低系统的表面能, 固体表面处于高能量状态(由于表面力的存在)。 72.什么是吸附和粘附?当用焊锡来焊接铜丝时,用挫刀除去表面层, 可使焊接更加牢固,请解释这种现象? 解:吸附:固体表面力场与被吸附分子发生的力场相互作用的结果,发 生在固体表面上,分物理吸附和化学吸附;粘附:指两个发生接触的表 面之间的吸引,发生在固液界面上;铜丝放在空气中,其表面层被吸附 膜(氧化膜)所覆盖,焊锡焊接铜丝时,只是将吸附膜粘在一起,锡与 吸附膜粘附的粘附功小,锉刀除去表面层露出真正铜丝表面(去掉氧化 膜),锡与铜相似材料粘附很牢固。 73. 影响湿润的因素有那些? 解: 固体表面粗糙度 当真实接触角小于90时,粗糙度越大, 表面接触角越小,就越容易湿润;当大于90,则粗糙度越大,越不 利于湿润。 吸附膜 吸附膜的存在使接触角增大,起着阻碍作用。 74.说明晶界能总小于两个相邻晶粒的表面能之和的原因。 答:所需要的能量称为界面能。表面能和界面能的本质是处在表面或界 面上的质点受到不对称力场作用,与晶体内部质点相比具有较高的能 量。晶粒的表面能指晶粒与气相接触,界面能通常指两个晶粒相接触。 两个相邻晶粒的表面层上的原子间的相互作用是很强的,可以认为晶界 上的原子或离子周围形成了一个变形的配位球,降低了部分不对称力 场。显然,晶粒与气相接触时,表面质点受到力场的不对称性远远大于 两个晶粒相接触时。因此,界面能总是小于相邻二个晶粒表面能之和。 试说明晶界能总小于两个相邻晶粒的表面能之和的原因。 75.固体硫有两种晶型,即单斜硫、斜方硫,因此,硫系统可能有四个 相,如果某人实验得到这四个相平衡共存,试判断这个实验有无问题? 解:有问题,根据相律,F=C-P+2=1-P+2=3-P,系统平衡时,F=0,则 P=3,硫系统只能是三相平衡系统。 76、 纯物质在任意指定温度下,固液气三相可以平衡共存,请用相率 说明这个结论是否正确?举例说明。 不正确。应为g l s 三相平衡时相率为F=C-P+2其中C=1 P=3 F=0,温度 压力均不能变化。这时不能指定温度 例如:水在0度时三相共存,温度 一变固液气三相就不平衡了。所以温度不能任意指定。 77.图6-2是具有多晶转变的某物质的相图,其中DEF线是熔体的蒸发曲 线。KE是晶型I的升华曲线;GF是晶型II的升华曲线;JG是晶型III的升 华曲线,回答下列问题:(1)在图中标明各相的相区,并写出图中各 无变量点的相平衡关系;(2)系统中哪种晶型为稳定相?哪种晶型为 介稳相?(3)各晶型之间的转变是可逆转变还是不可逆转变? 解:(1)KEC为晶型的相区,EFBC过冷液体的介稳区,AGFB晶型的 介稳区,JGA晶型的介稳区,CED是液相区,KED是气相区;(2)晶型 为稳定相,晶型、为介稳相;因为晶型、的蒸汽压高于晶型 的,即它们的自由能较高,有自发转变为自由能较低的晶型的趋 势;(3)晶型转变为晶型、是单向的,不可逆的,多晶转变点 的温度高于两种晶型的熔点;晶型、之间的转变是可逆的,双向 的,多晶转变点温度低于、的熔点。 78.根据图回答下列问题:(1)说明化合物S的熔融性质,并分析相图 中各界线上温度变化的方向以及界线和无变量点的性质;(2)写出组 成点为1、2、3及4各熔体的冷却结晶过程;(3)分别将组成为5和组成 为6的物系,在平衡的条件下加热到完全熔融,说明其固液相组成的变 化途径。 解:(1)化合物S为不一致熔融三元化合物; P1E 低共熔界线 L C+S 界限 P2E 低共熔界线 L B+S P1P2 转熔界线 L+A S 无变量点E为低共熔点 L C+S+B P1 单转熔点 L+A C+S P2单转 熔点L+A B+S (2)1点 冷却结晶过程 1在 ASC中 生成A S C ,在P1点结束. 液相:1 L A a L
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