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半导体器件物理施敏课后答案【篇一:半导体物理物理教案(03级)】学院、部:材料与能源学院 系、所;微电子工程系 授课教师:魏爱香,张海燕 课程名称;半导体物理 课程学时:64 实验学时:8 教材名称:半导体物理学 2005年9-12 月 授课类型:理论课 授课时间:2节 授课题目(教学章节或主题): 第一章半导体的电子状态 1.1半导体中的晶格结构和结合性质 1.2半导体中的电子状态和能带 本授课单元教学目标或要求: 了解半导体材料的三种典型的晶格结构和结合性质;理解半导体中的电子态, 定性分析说明能带形成的物理原因,掌握导体、半导体、绝缘体的能带结构的特点 本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等): 1半导体的晶格结构:金刚石型结构;闪锌矿型结构;纤锌矿型结构 2原子的能级和晶体的能带 3半导体中电子的状态和能带 (重点,难点) 4导体、半导体和绝缘体的能带 (重点) 研究晶体中电子状态的理论称为能带论,在前一学期的固体物理课程中已经比较完整地介绍了,本节把重要的内容和思想做简要的回顾。 本授课单元教学手段与方法: 采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授 本授课单元思考题、讨论题、作业: 作业题:44页1题 本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出) 1.刘恩科,朱秉升等半导体物理学,电子工业出版社2005? 2.田敬民,张声良半导体物理学学习辅导与典型题解?电子工业出版社2005 3. 施敏著,赵鹤鸣等译,半导体器件物理与工艺,苏州大学出版社,2002 4. 方俊鑫,陆栋,固体物理学上海科学技术出版社 5曾谨言,量子力学科学出版社 注:1.每单元页面大小可自行添减;2.一个授课单元为一个教案;3. “重点”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体;4.授课类型指:理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。 授课类型:理论课 授课时间:2节 授课题目(教学章节或主题): 第一章半导体的电子状态 1.3半导体中的电子运动有效质量 1.4本征半导体的导电机构空穴 本授课单元教学目标或要求: 理解有效质量和空穴的物理意义,已知e(k)表达式,能求电子和空穴的有效质量,速度和加速度 本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生解决重点难点的方法、例题等): 1半导体中e(k)与k的关系 (重点,难点) 2半导体中电子的平均速度 3半导体中电子的加速度 4有效质量的物理意义 (重点,难点)【篇二:半导体器件物理理论课程教学大纲】=txt课程编码:01222316 课程模块:专业方向课 修读方式:限选 开课学期:5 课程学分:2.5课程总学时:51 理论学时:36实践学时:15 一、课程性质、内容与目标 本课程是高等学校本科集成电路设计与集成系统、微电子技术专业必修的一门专业主干课,是研究集成电路设计和微电子技术的基础课程。本课程是本专业微电子技术方向限选课。 本课程的任务是:通过本课程的学习,掌握半导体物理基础、半导体器件基本原理和基本设计技能,为学习后续的集成电路原理、cmos模拟集成电路设计等课程以及为从事与本专业有关的集成电路设计、制造等工作打下一定的基础。 二、教学内容及基本要求、学时分配第一章、半导体器件简介 1.掌握半导体的四种基础结构; 2.了解主要的半导体器件; 3.了解微电子学历史、现状和发展趋势。 第二章、热平衡时的能带和载流子浓度 1.了解主要半导体材料,掌握硅、锗、砷化镓晶体结构; 2.了解基本晶体生长技术; 3.掌握半导体、绝缘体、金属的能带理论;4.掌握本征载流子、施主、受主的概念。 第三章、载流子输运现象 1.了解半导体中两个散射机制;掌握迁移率与浓度、温度的关系; 2.了解霍耳效应; 3.掌握电流密度方程式、爱因斯坦关系式; 4.掌握非平衡状态概念;了解直接复合、间接复合过程; 5.掌握连续性方程式; 6.了解热电子发射过程、隧穿过程和强电场效应。 第四章、p-n结 1.了解基本工艺步骤:了解氧化、图形曝光、扩散和离子注入和金属化等概念; 2.掌握热平衡态、空间电荷区的概念;掌握突变结和线性缓变结的耗尽区的电场和电势分布、势垒电容计算; 3.了解理想p-n结的电流-电压方程的推导过程; 4.掌握电荷储存与暂态响应、扩散电容的概念; 5.掌握p-n结的三种击穿机制。 6.了解异质结的能带图。 第五章、双极型晶体管及相关器件 1.晶体管的工作原理:掌握四种工作模式、电流增益、发射效率、基区输运系数; 2.双极型晶体管的静态特性:掌握各区域的载流子分布;了解放大模式下的理想晶体管的电流-电压方程;掌握基区宽度调制效应; 3.双极型晶体管的频率响应与开关特性:掌握跨导、截止频率、特征频率、最高振荡频率的概念; 4.了解异质结双极型晶体管hbt的结构及电流增益; 5.了解可控硅器件基本特性及相关器件。 第六章、mosfet及相关器件 1.掌握mos二极管基本结构、三种表面状态、c-v特性、平带电压;了解ccd器件;2.掌握mosfet基本原理,掌握阈值电压的计算及影响因素; 3.了解电流-电压方程推导过程,掌握mosfet的种类及亚阈值区的概念; 4.短沟道效应、cv及ce理论; 5.mos反相器的原理与闩锁效应; 6.t和soicmos结构。 第七章、mesfet及相关器件 金属-半导体接触的能带图及肖特基势垒理论; 1.mesfet基本器件结构及工作原理; 2.mesfet电流-电压方程推导及截止频率的概念; 3.了解modfet的基本原理。 第八章、微波二极管、量子效应和热电子器件 1.熟悉两端口微波半导体器件的种类; 2.了解隧道二极管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、转移电子器件、量子效应器件和热电子器件的工作原理。 第九章、光电器件 1.掌握辐射跃迁和光的吸收的概念; 2.了解发光二极管、半导体激光器、光探测器和太阳能电池的工作原理。 三、作业布置情况 习题也是本课程的重要教学环节,学生通过一定量的习题巩固和加深对课程内容的理解,同时也培养运算能力和分析问题的能力,根据教学需要布置作业。 四、考核方式及成绩评定 (1)平时作业、测验 30% ; 期末考试 70% (2)笔试 五、教材及主要参考书 教材:半导体器件物理,(美)施敏,(美)伍国珏(著,西安交通大学出版社,2008年 主要参考书: (1)半导体物理与器件基本原理(第三版),美donald a.neamen ,清华大学出版社,2004年。 (2)微电子技术基础双极、场效应晶体管原理,曹培栋 ,电子工业出版社,2004年。 (3)半导体物理学(第六版),刘恩科等,电子工业出版社。2003年 六、其他说明 1先修课程:电子工程物理基础。 2教学方法建议:采用多媒体和板书相结合的方式进行课堂理论教学。 执笔人:洪云 教研室审核: 二级学院审批:【篇三:2013-2014(1)-微电子器件基础-教案】 案 20132014学年第一学期 院系名称: 电子信息工程学院 课程名称:微电子器件基础 教学时数: 48授课班级: 111092a,111092b主讲教师: 徐荣辉 三江学院教案编写规范 教案是教师在钻研教材、了解学生、设计教学法等前期工作的基础上,经过周密策划而编制的关于课程教学活动的具体实施方案。编写教案是教师备课工作中最为全面系统、深入具体的一步。教案可反映出教师的自身素质、教学水平、教学思路和教学经验。有了具体的教案,教师上课有备而来,就能应对课堂教学过程中出现的各种具体情况,提高教学效果,确保课堂教学的顺利实施。 一、教案的基本内容 1章节之间或每次课之间的内容衔接; 2本章节或每次授课的内容: (1)教学目的; (3)重点、难点; (4)采用的教学方法及实施步骤; (5)各教学步骤的时间分配; (6)板书设计及教具、图表、幻灯和录像、计算机、投影仪等教学手段的使用。 任课教师应遵循专业教学计划制订的培养目标,以课程教学大纲为依据,在熟悉教材、了解学生的基础上,结合教学实践经验,提前设计编写好所承担课程每个章节或主题的全部教学活动方案。 二、教案编写的基本步骤 1熟悉并研究使用的教材和教学参考书; 2确定本章节或本次课的教学目的,可包含应掌握的知识和对学生能力培养的要求等; 3确定本章节或本次课的重点和难点; 4根据授课内容,设计授课类型(理论课、讨论课、实验课或习题课等形式)及采用的教学方法;5设计本章节或本次课教学过程的程序及作业布置等。 三、教案和讲稿的关系 教案承载的是课堂教学的组织管理信息,其思路的形成受教学过程的管理逻辑所支配。要求精洁明了,篇幅较短。 讲稿是教师的讲课稿,所承载的是知识信息,其思路形成受教学过程的知识逻辑支配,是对讲授内容的具体组织和表达,要求尽可能详细、全面,篇幅较长。 任课教师在编写教案的同时应有完整的讲稿,并根据学科发展和课程教学需要不断补充和更新。 四、关于电子教案、多媒体课件和网络课件 1电子教案是利用powerpoint制作的幻灯片,供教师授课和学生复

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