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文档简介

EL测试分类（分析）1、正常片2、滴源片3、单晶黑心片和多晶缺陷片4、原硅片问题（黑圆弧边） 5、 扩散后刻蚀放反片6、履带印（网状和支点型）7、扩散方阻偏大8、断线9、边缘过刻10、隐裂11、 边缘玷污漏电12、穿孔13、未扩散片EL图14、主栅漏电（反向测试）15、副栅漏电（反向测试）16、多晶晶界漏电17、丝网印刷二道返工擦拭片18、氮化硅膜摩擦痕漏电19、未刻蚀干净或边缘浆料造成的边缘PN结导通20、印刷断栅后补断栅效果，补断栅后发黑情况会减轻。（电流得到有效的导通 ）21、正面断栅上图为小断栅片及其EL照片，发黑位置1-8均为小断栅，照片上不是很清楚。4、5为一根细栅线上的两个小断栅。由图可知，两根主栅之外的小断栅致使断栅至边缘位置全黑。两根主栅之间的细栅线上的小断栅导致部分发黑，且颜色较浅，一根细栅线上同时有两个小断栅，且均在两根主栅线之间，导致两点之间全黑。各种异常解决方法
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