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a b s t r a c t a b s tr a c t t h es y n t h e s i sp r o c e s so fd i a m o n df i l m sa n dt h et h e o r e t i c a lm o d e l h a v e b e e ns t u d i e di nt h i s p a p e r g l o w p l a s m aa s s i s t e dh o tf i l a m e n t c h e m i c a lv a p o rd e p o s i s t i o na r ea d o p t e di n e x p e r i m e n t s t h ep e r p o s ei s t or e d u c es u b s t r a t e t e m p e r a t u r e i no r d e rt or e a l i z el o w t e m p e r a t u r e s y n t h e s i s o f h i g hq u a l i t y d i a m o n df i l m sa n de s t a b l is h p r i m a r y t h e o r e t i c a lm o d e lo fl o w t e m p e r a t u r es y n t h e s i s e x p e r i m e n t a ls y s t e m i n c l u d e s t y p i c a l g p c v d a p p a r a t u st h e c o m p o n e n ta n ds t r u c t u r a l c h a r a c t e r is t i c so ff i l ms a m p l e sa r ed e t e c t e d a n d a n a l y s e db yu s i n gs a n n i n g e l e c t r o n m i c r o s c o p y( s e m ) m i c r o - r a m a ns p e c t r o s c o p ya n d x r a yd i f f r a c t i o n ( x r d ) t h es u b s t r a c t i s ( 1o o ) s i n g l ec r y s t a l s i l i c o n a n d o p e r a t i n gg a s e s a r em i x t u r eo f c h 4a n dh 2i na l le x p e r i m e n t s s y n t h e s i sp r o c e s s o fd i a m o n df i l m sa r es t u d i e d s y s t e m a t i c a l l y i n e x p e r i m e n t s f i n a l l yh i g hq u a l i t y d i a m o n df i l m sa r e d e p o s i t e d a t s u b s t r a t e t e m p e r a t u r e ( 3 3 0 。c 一3 5 0 。c 】a s e to f g r o w t h c o n d i t i o n s s h o u l d b e o p t i m i z e d a n dn o n e q u i l i b r i u m t h e r m o d y n a m i cc o u p l i n g m o d e li su s e dt oi n t e r p r e ts y n t h e s i sp r o c e s so fd i a m o n df i l m s k e y w o r d sd i a m o n df i l m s ,g p c v d n o n e q u i l i b r i u mt h e r m o d y n a m i cc o u p l i n g m o d e l i i 河北人学硕十学位论文 第一章绪论 本工作进行了采用辉光等离子体辅助热丝c v d 方法实现高品质余剐石薄 膜的低温合成的研究。研究了反应条件对薄膜生长的影响,得到了低温合成金 刚石薄膜的优化工艺条件,初步探索了金刚石薄膜低温合成的理论模型。 本文的第二章对所采用的实验装置和实验方法进行了介绍。第三章研究了 低温条件下生长的金刚石薄膜的结构与特性,金刚石薄膜的生长条件等。本文 的第四章结合对合成过程的实时原位诊断( l a n g m u i r 探针和o e s 诊断) 初步 探讨了低温下会刚石生长的理论模型。 本工作为低温金刚石薄膜的合成与研究提供了重要的实验数据和初步的理 论依据,对开拓金刚石薄膜作为功能材料的应用范围并且进入实用化阶段具有 重要的意义。 自八十年代以来,金刚石薄膜以其优异的物理,化学性质及其广阔的应用 前景激起了人们的极大兴趣和广泛重视。全球范围的金刚石薄膜研究热潮方兴 未艾。合成大面积大颗粒的金刚石厚膜及纳米颗粒,表面光滑的会刚石薄膜已 成为当前的两个主要方向而最引人注目的低温合成金刚石薄膜则一直是人们 探索并希望获得成功的重要研究方向。本章主要介绍金刚石薄膜的特性应用 研究现状和前景。 1 1金刚石的物理特性 金刚石具有优异独特的物理性质和化学惰性,已成为举世瞩目的特种材料。 河北人学硕十学位论文 第一章绪论 本工作进行了采用辉光等离子体辅助热丝c v d 方法实现高品质余剐石薄 膜的低温合成的研究。研究了反应条件对薄膜生长的影响,得到了低温合成金 刚石薄膜的优化工艺条件,初步探索了金刚石薄膜低温合成的理论模型。 本文的第二章对所采用的实验装置和实验方法进行了介绍。第三章研究了 低温条件下生长的金刚石薄膜的结构与特性,金刚石薄膜的生长条件等。本文 的第四章结合对合成过程的实时原位诊断( l a n g m u i r 探针和o e s 诊断) 初步 探讨了低温下会刚石生长的理论模型。 本工作为低温金刚石薄膜的合成与研究提供了重要的实验数据和初步的理 论依据,对开拓金刚石薄膜作为功能材料的应用范围并且进入实用化阶段具有 重要的意义。 自八十年代以来,金刚石薄膜以其优异的物理,化学性质及其广阔的应用 前景激起了人们的极大兴趣和广泛重视。全球范围的金刚石薄膜研究热潮方兴 未艾。合成大面积大颗粒的金刚石厚膜及纳米颗粒,表面光滑的会刚石薄膜已 成为当前的两个主要方向而最引人注目的低温合成金刚石薄膜则一直是人们 探索并希望获得成功的重要研究方向。本章主要介绍金刚石薄膜的特性应用 研究现状和前景。 1 1金刚石的物理特性 金刚石具有优异独特的物理性质和化学惰性,已成为举世瞩目的特种材料。 金刚4i 薄膜低温台成的岍宄 在国际上,人造金刚石应用到高密度高速度集成电路封装多芯片模块,半导 体激光器以及微波大功率半导体器件上已成为一种方向,并且是最有前途的电 子基板材料光学材料和超硬耐磨材料。因此会刚石的合成与研究具有非常重 要的实际意义。迄今为止,金刚石是自然界最硬的材料,是最好的切削工具和 耐磨材料。另一方面金剐石具有的高弹性模量和纵波声速可用于声学领域,制 造出高性能的声学器件。 会刚石作为已知的无机非金属材料具有最高的热导率,是最理想的热沉材 料。研究表明,会刚石热沉在大功率激光器,半导体激光器,微波器件和集成 电路上的应用可使激光器的输出及器件的工作稳定性得到明显改善。 金刚石同时具有优异的电学性质。会刚石具有宽禁带,高载流子迁移率 低介电常数,高导热,高击穿电压以及其他极好的性质,因此用它制作的半导 体器件可在6 0 0 。c 的高温下正常工作。作为甜强辐射器件可在宇宙飞船和原子 能反应堆等强辐射环境中f 常工作。 在光学方面,金刚石也具有优异的性质。除大约在8um 附近存在微小的 吸收峰外( 由声子引起) ,从紫外直到远红外,毫米波段都具有很好的透明性 这在所有己知光学利料中是绝无仅有的。与它极好的热导特性、机械性质和化 学惰性结合起来,使其成为某些光学应用的晟佳选择。如光学窗口材料、光学 涂层、导弹拦截和战术飞行中的红外窗口材料等。 综上,盒刚石无与伦比的物理特性和化学稳定性使世人注目,尤其在光学 和电子学等领域中的应用,更是充满广阔的前景。可是出于金刚石成本的昂贵 和成离散的单晶粒状态,特别是人造金剐石含有杂质。使其应用的领域受到了 河北人学硕士学位论文 极大的# t $ r j ,金刚石的多种功能特性无法得到全方位的利用。但使人欣慰和振 奋的是七十年代末金刚石气相沉积取得成功利用化学气相沉积薄膜状金刚石 的技术以及金刚石薄膜的低温合成技术将使我们能够有效廉价的应用金刚石 的优异性能,开发金刚石作为功能材料的应用。无疑随着高质量金刚石薄膜的 制备技术的研究和发展及金刚石生产的产业化,金刚石材料的应用必将在科技 进步和社会发展中产生巨大的经济效应和社会效应。 1 2 金刚石薄膜的研究 金刚石膜经过近二十年的研究,其制备的方法和技术发展迅速,而且日趋 成熟。目前,随着c v d 金刚石薄膜制备技术水平的不断提高,金刚石膜的性 质已接近和达到天然金刚石。1 9 7 6 年d e r j a g u i n 等通过化学输运法在非金刚石 衬底上首次合成金刚石薄蒯。, 2 1 随后s m a t s u m o t o 等利用热丝c v d ,m k a n l o 等利用微波等离子体c v d 技术也分别合成了金刚石薄膜口一。到目前为止,已 经发展了许多种低压气相合成金刚石薄膜的方法。其中最具代表性也较为成熟 的有:热丝c v d ( h o tf i l a m e n tc v d ) 、微波等离子体c v d ( m i c r o w a v ep l a s m a c v d ) 、直流电弧等离子体喷射法( d cp l a s m aj e tc v d ) 和激光法合成金刚石 薄膜等。 在热丝c v d 基础上发展起来的g p c v d 技术,以其设备简单,成本低 易操作,并能大面积沉积均匀的高质量金刚石薄膜而备受人们的青睐。目前采 用该技术可以实现金刚石薄膜的异质外延的单晶生长,以及多晶金刚石薄膜的 大面积生长。 直流电弧等离子体喷射法合成金刚石薄膜的速率很高,但所合成的金刚石 3 河北人学硕士学位论文 极大的# t $ r j ,金刚石的多种功能特性无法得到全方位的利用。但使人欣慰和振 奋的是七十年代末金刚石气相沉积取得成功利用化学气相沉积薄膜状金刚石 的技术以及金刚石薄膜的低温合成技术将使我们能够有效廉价的应用金刚石 的优异性能,开发金刚石作为功能材料的应用。无疑随着高质量金刚石薄膜的 制备技术的研究和发展及金刚石生产的产业化,金刚石材料的应用必将在科技 进步和社会发展中产生巨大的经济效应和社会效应。 1 2 金刚石薄膜的研究 金刚石膜经过近二十年的研究,其制备的方法和技术发展迅速,而且日趋 成熟。目前,随着c v d 金刚石薄膜制备技术水平的不断提高,金刚石膜的性 质已接近和达到天然金刚石。1 9 7 6 年d e r j a g u i n 等通过化学输运法在非金刚石 衬底上首次合成金刚石薄蒯。, 2 1 随后s m a t s u m o t o 等利用热丝c v d ,m k a n l o 等利用微波等离子体c v d 技术也分别合成了金刚石薄膜口一。到目前为止,已 经发展了许多种低压气相合成金刚石薄膜的方法。其中最具代表性也较为成熟 的有:热丝c v d ( h o tf i l a m e n tc v d ) 、微波等离子体c v d ( m i c r o w a v ep l a s m a c v d ) 、直流电弧等离子体喷射法( d cp l a s m aj e tc v d ) 和激光法合成金刚石 薄膜等。 在热丝c v d 基础上发展起来的g p c v d 技术,以其设备简单,成本低 易操作,并能大面积沉积均匀的高质量金刚石薄膜而备受人们的青睐。目前采 用该技术可以实现金刚石薄膜的异质外延的单晶生长,以及多晶金刚石薄膜的 大面积生长。 直流电弧等离子体喷射法合成金刚石薄膜的速率很高,但所合成的金刚石 3 金刚小薄膜低 品台成的研究 膜的品质较g p c v d 要低。困其合成速度快,人们普遍看好它的工业应用前景。 该方法所固有的缺点是:大的温度梯度和化学物质浓度梯度造成沉淀物的空删 分布极不均匀,纯度和结晶质量沿径向自中心向边缘逐渐变差,薄膜中残余应 力较大。这无疑会影响高质量,大面积均匀的金刚石薄膜的制备。 微波等离子体c v d 要求的衬底温度较低,其作为低温合成金刚石的有效 途径之一,而受到人们的重视。该方法的缺点是设备成本高系统较复杂,以 及低温合成时沉积速率降低。在低温合成方面i n ! ; t - 的研究表明1 5 】:在反应气 体中加入c f 4 可使合成会剐石薄膜的温度明显降低。但由于合成过程中会产生 对器壁材料有强烈腐蚀作用的h f ,从而不利于合成高纯度的会刚石薄膜。 在理论研究方面,有关会刚石膜合成的热力学过程研究,目前还没有一个 公认的合适理论。其原因在于气相合成盒刚石的过程是一个复杂的非平衡热力 学过程。就金刚石合成机理的理论研究成果可归纳出以下几点结论 l 会刚石薄膜的合成分为成核和生长两个阶段。合成过程中,原子或分子 基团撞击到基体表面,被吸附或反射回气相,与表面作用进行成核生长。在成 核阶段,c v d 会刚石生长表面的怂挂键是赖以成核和生长的表面活性格点【6 ”。 对于c h 4 + h 2 系统,反应气体中的c h 3 、c h 、c r 、c 、c 2 及活性h 原子是成 核过程的主要荷能粒子。由于非平衡热力学涨落产生金刚石生长的初级晶核。 2 金刚石薄膜的生长是亚稳相金刚石的稳定生长与稳相石墨的消蚀同时进 行的过程 8 1 。在足够的超平衡活性原子氢存在时,通过非平衡热力学耦合可以 使金刚石成为稳相并在碳相图转化上出现一个金刚石稳定区,此时金刚石的自 由能比石墨的自由能要低。 4 河北人学硕十学位论文 3 在金刚石的生长过程中,由于衬底晶格与金刚石的失配现象,在衬底与薄 膜之间会出现过渡层【9 , 1 0 。生长表面的重构及金刚石各表面的竞争生长,在 定条件下可实现金刚石薄膜的定向生长。 分析目前金刚石薄膜的研究现状,发现尚未有在低温衬底( 小于5 0 0 0 c ) 上 制备出高品质盒刚石薄膜,而只有实现低温沉积,才会使金刚石薄膜作为功能 材料真正进入实用化阶段。因此低温沉积金刚石薄膜将成为金刚石薄膜的重要 研究方向。本文的工作正是基于以上背景。 金刚l ;酶膜低温台成的”究 第二章实验装置及方法 实验装置简介 我们所用的c v d 实验装置如图( 1 ) 所示。实验装置由三大部分组成。 高真空系统配气系统配电及测量系统 1 一电炉加热 2 一直壤i l 匠3 一生1 壑却妻! 蛹 4 一熟灯丝,一幸哇痣酣 6 一石荚窗口 图( i ) 高真空系统包括:高真空反应室、扩散泵、机械泵。圆柱状反应室的大小为 巾3 1 0 x 4 0 0 m m ,高真空反应室的撒限真空度为1 1 0 一p a 。 配气系统采用双路进气装胃。氧气和甲烷先经过流量计,再经过预混室混 和,然后通过高真空阀充入反应室。 配电系统包括:热丝电源( o 2 5 5 v ) 、偏压电源( o _ _ 6 2 0 v ) 测量系统包括:电学模拟量的测量、真空测量( 热偶规,电离规) 、温度测 量、其中热钨丝的温度测量使用光学高温测温仪标定。 6 金刚l ;酶膜低温台成的”究 第二章实验装置及方法 实验装置简介 我们所用的c v d 实验装置如图( 1 ) 所示。实验装置由三大部分组成。 高真空系统配气系统配电及测量系统 1 一电炉加热 2 一直壤i l 匠3 一生1 壑却妻! 蛹 4 一熟灯丝,一幸哇痣酣 6 一石荚窗口 图( i ) 高真空系统包括:高真空反应室、扩散泵、机械泵。圆柱状反应室的大小为 巾3 1 0 x 4 0 0 m m ,高真空反应室的撒限真空度为1 1 0 一p a 。 配气系统采用双路进气装胃。氧气和甲烷先经过流量计,再经过预混室混 和,然后通过高真空阀充入反应室。 配电系统包括:热丝电源( o 2 5 5 v ) 、偏压电源( o _ _ 6 2 0 v ) 测量系统包括:电学模拟量的测量、真空测量( 热偶规,电离规) 、温度测 量、其中热钨丝的温度测量使用光学高温测温仪标定。 6 河北人学硕十学位沧文 实验装置为典型的g p c v d 装置 g p c v d 技术是指:以热丝法为基础,在灯丝与衬底之间加正偏压,这样 可产生大量的高能电子射向衬底,在此过程中,高能电子与甲烷和氢气发生非 弹性碰撞,产生直流辉光放电,并使它们分解,产生金刚石生长所需的大量活 性基团,从而对金刚石的生长起促进作用。实验中我们所用衬底材料为p 型硅 片( 1 0 0 ) 。反应前基片先用酒精和丙酮清洗,再用0 5 一l u m 的金刚石微粉研 磨基片以除去表面的天然氧化层和提高成核密度,然后将基片置于1 5 的h f 溶液中,浸泡2 3 分钟,进行基片表面处理,最后用丙酮和酒精清洗后置于高 真空反应室中。 7 金月0 f t 薄膜低温合成的切究 第三章金刚石薄膜的低温合成 合成超细颗粒构成的厚度均匀,表面光滑的会刚石薄膜的研究己在国内外 丌始兴起,但目前低温下所合成的会刚石晶粒晶型很不清晰,而表征会刚石品 质的r a m a n 光谱和x 射线衍射谱也不尽人意。因此研究各种c v d 技术合成大 面积,高品质金刚石薄膜成为目静重要的研究方向之一。本章的内容主要介绍 我们在这方面利用等离子体辅助热丝c v d 技术低温合成金刚石薄膜的研究。 本工作采用辉光等离子体辅助热丝c v d 技术合成的金刚石薄膜的表面光 滑。实验通过扫描电子显微镜( s c a n n i a ge l e c t r o nm i c r o s c o p ys - - 4 2 0 0 ) 观察其形 貌,显微喇曼光谱( 1 0 0 型一r e n i s h a wr 矗m a nm i c r o s c o p e ,采用的激光波长为 6 3 2 8 r u l a ,光斑直径约为2 u m ) 分析其成分,x 射线衍射( d m a x - 2 4 0 0 ,c ua n o d e ) 确定其晶面间距和结晶状惫。对合成的会刚石薄膜的品质进行了分析和研究。 本工作典型的实验条件如表l 所示 表lg p c v d 合成会刚石薄膜的实验条件 反应气体c 出+ h 2 碳源浓度 o 6 气体流量 反应室气压 热丝温度 衬底温度 偏压 衬底材料 5 k p a 2 0 0 0 0 c 一2 2 0 0 0 c 3 3 0 0 c 一3 s 0 0 c 1 5 0 v 一3 4 0 v p 型s i ( 1 0 0 ) 河北人学硕士学位论文 1 表面形貌观测 图( 2 ) 是在典型的实验条件下得到的金刚石薄膜的扫描电子显微镜照片。 从图( 2 ) 上可以看出金刚石颗粒良好,颗粒大小约为4 0 - - 1 2 0 r i m 。成膜的基 本单元是一些晶粒( 团) 。每个晶粒团由许多纳米的金刚石晶粒团聚而成,但能 明显的分清各晶粒的界面,这是纳米晶粒所特有的团聚现象。在膜中,诸晶粒 近于同等大小,晶粒间连接的非常紧密,晶粒主要沿( 1 1 1 ) 方向生长。 e d x 的测试结果表明薄膜除碳成分外不含有任何杂质。 图( 2 ) 2 显微喇曼光谱 喇曼散射光谱得到的谱线是相对于激发光频率的移动,反映的是晶格振动 的特征频率。由于晶格中相同的原子和不同的原子间所成的不同键的频率取决 于原子的键长键角等多种因素。因此每一种具有自己特定结构的物质都具有一 个或多个本征频掣“】。这样就可用来判断是哪一种物质( 结构) 。 由碳原子单独生成的晶态物质是会刚石和石墨。由于它们晶格结构不同, 9 金刚石薄膜低温合成的研究 各有一特征振动频率。对于金刚石和石墨,金刚石中的碳原子是4 配位的为s 一 键,其频率为1 3 3 2 e m 。( i l , i2 】,而石墨中的碳原子是3 配位的为s p 2 键,其频率 为1 5 8 0 c m l 。但是石墨很难以大块单晶存在,往往是多晶微粒,在这种情况下, 晶格的平移对称性受到破坏,喇曼光谱在1 3 5 5 c m “附近出现一谱带。另外无定 形碳的碳原子之间的键长与键角有一定的无序分布。因此它的振动频率也不是 单一的,形成较宽的带,而不象以上两种晶态碳那样给出较窄的谱峰。在光谱 晌应灵敏度上,对于波长为5 1 4 r i m 的激光,金刚石声子谱的响应灵敏度是石墨 的1 5 0 。当激光波长增加,金刚石粒度减小,该灵敏度会进一步降低。因此, 根据多种形态的碳的物质振动谱的特点可以用喇曼谱散射光谱很方便的分辨 它们,并可估计含量的多少。 图( 3 ) 为所制各薄膜样品的典型显微喇曼光谱。图中谱线只在1 3 3 1 5 c m 处出现光谱的会剐石特征峰。说明薄膜样品为会刚石薄膜,薄膜中金刚石纯度 非常高。 3 薄膜的x 射线衍射谱 x 射线衍射可必断定晶态金刚石相的存在,图( 4 ) 为在典型实验条件下所 合成的金刚石薄膜的x 射线衍射谱。可以看出,谱线在2e = 4 4 0 0 有较强的金 刚石衍射峰。因为所用衬底材料为硅,故在2o = 6 9 1 0 存在很强的硅衍射峰。 此外在2o = 3 2 9 0 有较强的s i c 衍射峰。这表明在衬底硅片与沉积的金刚石薄 膜之间存在着s i c 过渡层。此外,图中未发现其他的衍射峰。由x 射线衍射图 可知所合成的金刚石薄膜为结晶完善的金刚石薄膜。 综上,我们利用g p c v d 方法合成了高品质表面光滑的金刚石薄膜。 】0 塑! ! 厶堂堡堂焦堡塞 1 0 0 0 9 0 0 8 0 0 7 0 0 量6 0 0 言5 0 0 n ) 羔4 0 0 3 0 0 r a m a ns h i f t c r n 。1 闰3 样品薄膜的r a m a n 光谱 2 0 i d e g 图4 样品薄膜的x 射线衍射光谱 0怎仁3ci-i仍、总o_c一 河北人学硕十学位论文 结论 本文的工作利用辉光等离子体辅助热丝c v d 技术,对基片温度在 3 3 0 。c 一3 5 0 。c 温度范围高品质金刚石薄膜的合成进行了研究。根据实验结果和 理论分析初步建立了金刚石薄膜低温合成的非热力学耦合理论,得到了如下结 论: ( 1 ) 采用辉光等离子体辅助热丝c v d 技术在3 3 0 0 c - 3 5 0 。( 2 温度范围的条件下 合成了高质量,结晶完善的金刚石薄膜。s e m 形貌表明薄膜中晶粒的粒度为 4 0 n m 一1 2 0 n m 。r a m a d 光谱在1 3 3 1 5 c m l 处出现了金刚石的( 1 1 1 ) 特征声子峰。 x r d 谱在2o = 4 4 0 0 出现了金刚石的( 111 ) 特征衍射峰 ( 2 ) 根据实验的研究,建立了金刚石薄膜低温生长的初步模型。结论指出:会刚 石薄膜低温合成中是离子分子起主要作用的过程。在基片附近存在等离子体边 界振荡偶极层,该偶极层提供的能量补偿了由于衬底温度降低而使分子热运动 能量减少的部分,通过非平衡热力学耦合实现了金刚石的稳定生长。 本工作的目的是低温条件下合成由超细晶粒构成的金刚石薄膜以甲烷和 氢气为源工作气体,国外在不低于5 0 0 0 c ,采用微波等离子体c v d ,射频等离子 体c v d ,激光辅助c v d 可合成出较高品质的金刚石薄膜,但采用热丝法比本 工作在更低温度下合成高品质金刚石薄膜的研究结果目前尚未见报道。 低温合成金刚石薄膜一直是人们探索并希望获得成功的重要研究方向,该 重要方向也是其实际应用中急待解决的关键性技术课题。金刚石薄膜经过近二 2 1 金刚“薄膜低温合成的研究 十年的研究,其制备的方法和技术发展迅速。目前,国外的研究采用在气体中 加入c f 4 的方法可以实现金刚石薄膜的低温合成。据文献报道,以 c 2 h s o h + c f 4 + h 2 为工作气体可以在3 5 0 。c 合成出几微米量级的金刚石薄膜,但 该种方法不仅设备复杂,而且最大的缺点是反应过程中产生i - i f i - i f 对器壁的 强烈腐蚀作用使反应室中含有大量的器壁材料的粒子,从而不利于高纯度金刚 石薄膜的合成。本工作发展起来的辉光等离子体辅助c v d 技术,不仅设备简 单,成本低,易操作,并能大面积沉积均匀的高质量金刚石薄膜而具有广泛的 实用推广价值。而且反应气体( c h 4 + h 2 ) 不产生对反应器壁有腐蚀作用的中间产 物,同时可以在同一温度区域实现会刚石薄膜的低温合成。因此本工作更具优 越性。可以说为热丝c v d 低温合成金刚石薄膜探索了一条新途径。 -”i r 河北人学硕士学位论文 参考文献 1 】b v d e r j a g u i r t , b v s p i t s y n ,l l b u i l o v , a a k t o c h k o v , a e g o r o d e t s k i i ,a n d a vs m o l y o n i n o r , s o v p h y s d o k l 2 1 ( 1 9 7 6 ) 6 7 6 【2 b v d e r j a g u i na n dd v f e d e s e e v , s c i a m 2 3 3 ,( 19 7 6 ) 1 0 2 【3 s m a t s u m o t o ,y s a t o ,m k a m oa n dn s e t a k a ,j p n j a p p l p h y s 2 1 ( 4 ) ,( 1 9 8 2 ) l 1 8 3 【4 】s m a t s u m o t o ,y s a t o ,n l t s u t s u m ia n dn s e t a k a ,j m a t e r s c i 17 ,( 1 9 8 2 ) 3 1 0 6 【5 i w a t a n a b l e ,k y o s h i e ,j p n j a p p l p h y s ( 1 ) 3 6 ( 2 ) ,( 1 9 9 7 ) 7 9 2 7 9 7 6 e m a h a l i n g a m e ta l ja p p l p h y s 8 l ( 4 ) ( 1 9 9 7 ) 1 9 6 6 1 9 7 7 7 】r p o l i n i e ta 1 s u r f s c i 3 7 3 ( 2 - 3 ) ,( 19 9 7 ) 2 3 0 2 3 6 【8 】吴锦雷吴全德主编几种新型薄膜材料北京大学出版社( 1 9 9 9 ) 3 0 3 4 9 】b e w i l l i a m sa n dj j g l a s s ,j m a t e r r e s 4 ( 2 ) ,( 1 9 8 9 ) 3 7 3 3 8 4 【1 0 】j p h i l l i pe ta 1 c h e m i c a lv a p o rd e s p o s i t i o n3 ( 1 ) ( 1 9 9 7 ) 3 0 【1 1 】蒋翔六主编金刚石薄膜研究进展化学工业出版社出版( 1 9 9 1 ) 1 - 6 7 12 】m y o s h i k a w a ,g k a t a g i n ,h i s h i c h , a i s h i t a n im o n o
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