EMI控制技术概要1.doc

EMI控制技术概要表10.2 EMI控制中，元件、印刷电路板、互连设备的使用准则1. 确保电容器的自卸频率大于电路中通过的最高频率。2. 确保电感的自卸频率大于使用的最高频率。3. 若不能保证以上两条，则可以增加射频或微波设备以达到比较高的频率。4. 带有电容或者电源保护器的旁路EMI（电磁干扰）噪音穿过电动机或者发电机的电刷，或者经过每个电刷与接地框架相连。5. 带有电容或者电源保护的旁路电磁噪音穿过继电器和电磁阀的连接处。6. 选择一组与所要求并相吻合的最低速度逻辑树进行数字计算。7. 选择噪音免疫水平最高的器件作为逻辑设备。8. 尽可能满足第六和第七条的规定。9. 接地皮带或者箔带的长宽之比不能超过5。10. 防止有源器件受到射频解调。11. 多余的电缆应绕成蛇纹石型或带状，不要绕成螺旋状或线型。12. 用箔带来保护电缆。13. 有源器件应配有电涌防护器，可以利用混合气体管和固态电源保护器。14. 大型电容滤波器，如屏蔽外罩，应该使用内嵌电感和电源保护器来防护。17印刷板的指导说明1. 电路板的印刷轨迹高度应极可能低。2. 位于电路板边缘的走线离电路板边缘的距离不小于走线的映像平面高度的3倍。（或者板厚度的3倍）3. 把时钟线补到甲板的下面，解释为把两个图像平面连接在一起。4.在噪声时钟管上安装报警跟踪。图像平面的这些走线至少每10个波长停顿一次，适中频率fmHZ/d300mV噪声免疫水平3. 讨论不同的电磁干扰的修正 Average Height：平均高度； above Ground地面以上 Wire Seperation：线距图A.3 母板连线之间的耦合范例索引A 复合吸收122 导体电感162吸附损失116 连接器后盖243黏附材料，导电材料165 同轴251相邻信号频率36电磁干扰控制总结254天线辐射特性48 针式过滤器251天线特性 90 特性总结252功率密度51 铁芯饱和度影响189传播效果51 腐蚀控制169雪崩二极管225 腐蚀保护172硅226电缆与电缆耦合267 电缆与场71B 计算268 电容74,268母板连线271 接地电阻69均衡电路102 场与电缆71电位均衡导体168 接地回路69粘合复合材料和导电塑料166 感应72,268方向163 耦合模式5,66不良效果161 压接（卷边）环端子248覆盖层（表面粗糙度）170 交叉调制42指南266 串扰74,199无方向167 设备224锁垫圈 164 串行连接247电阻和阻抗162分贝23软焊接164定义13钎焊165脱敏，减敏现象42宽带辐射21E宽带噪音4C电场113 电解腐蚀170电缆 电磁兼容估计52 重要参数230 垫圈155 屏蔽229 电磁兼容设计交流系统28 端子230,237频率与极化50绞合线229互连设备79放热焊接接头165 系统之间的8电容耦合7 系统定义8同道干扰41 系统设计与开发9接地电阻91 系统操作10共模感应器189 电动势109共模抑制215 相邻信号的电磁干扰27基本元素61 电场强度73相关特性76 场理论111公共信息26 远场条件113共模68 近场条件113传导6,14,67 滤波器共模和差模188控制技术总结257 共模等效电路191耦合5,66 寄生电容控制192差模68 截止频率184效果3 电磁干扰和射频干扰210基本输出64 供电开关195超频57 高频率操作192 超频28 最大化衰减值184辐射14 通频带181辐射路径6 电源线186资源4,5,63 选择194系统品质控制76 信号196发射、接受器26 阻带181发射器4 类型182接受机5 傅里叶级数15电磁干扰控制258 傅里叶变换16共地阻抗263 自由空间传播51传导路径263 相邻信号频率36耦合路径261 基本4地回路耦合264 未设计频率50互连260 分开31印刷电路板259 G辐射264导线与电缆串扰265 电化腐蚀169宽带辐射21 垫圈使用要求和约束条件151相干宽带21 类型和材料比较150频率波长22 压缩设置146基础35 导电塑料和弹性体148谐波含量39 联合受力143不相干宽带22 针织金属丝网147窄带20 安装152假的,错误的，寄生的34 定向侵入式导线148发射器34 选择150静电释放20，109,221 压缩压力要求144F 选择150法拉第屏蔽206 弹簧垫圈149含装有铁氧体的导体201 理论142铁氧体磁心199 地回路69,93,94,220光纤102 放大106接地定义82 噪声共模和差模204混合98 发射器52子系统中95 未设计频率50对电磁干扰控制的影响109 O多点97 光学隔离器102,211方案选择98 法拉第屏蔽220单点96 P系统配置103 寄生88,185,191 高频接地系统模式88 控制192阻抗85 平面波114阻抗特性83 极化依赖50电感85 电源密度51电阻性能84 传播方向51H 效果51日冕环247 全方位51谐振幅度小结40 无意的（外来接触）29谐振辐射水平39 R混合瞬态抑制器227 辐射场强度73I 辐射天线29,48,50中频选择42 附带64共地阻抗65,91 路径5共源65 印刷电路板71输入/输出电容214 不经意，随意34插入损耗194 辐射场113同频干扰41 辐射电阻91相邻信号接收器42 接收机互调44边缘干扰30 选择31,43互调37,42,54 错误响应29,47接收器44 抗扰度40隔离器201 反射114泄漏电抗190,209 反射损耗117,122闪电20,81,109,168,22 电磁场119损失材料199 相对带宽31磁场113 S磁导率199 导电密封剂156插入损耗的测量方法251 导电环氧树脂155控制电磁干扰的发射与敏感度要求29,39,46 导电油脂157旁带调频35 屏蔽音频线端子250多管脚连接器245 妥协126N 效果123窄带辐射20 材料123中性点接地208 金属特性124 端子230,241,245 超隔离207导线端子249 变压器、隔离器204导电玻璃139 瞬时抑制器221孔控制轴139 混合227电磁干扰垫圈142 瞬时18,65间隙尺寸129 资源19蜂房式线圈131 传输114指示按钮和灯140 发射机，发射特性34筛网133 互调4,37间隙和节点128 调制包络31通风开口131 噪声36,52观察孔135 非线性4冲击及火灾危害81 杂散发射29分流电容209 发射机4信号傅里叶变换16 双绞线239光谱表示16 V时域和频域14 波226单点接地96 电压限制装置225光谱振幅16 电压驻波比252杂散频率4 W寄生电容162 焊接165抗扰设备6,74 Z接收器40 齐纳二极管系统生命周期6T变压器中的电容耦合205作者简介威廉达夫总裁SEMTAS公司教育：乔治华盛顿大学电气工程系 1959年6月锡拉丘兹大学电气工程系 1969年1月Clayton大学电气工程系 1977年8月经历：达夫是电气技术发展领域上国际公认的领衔人物。在通信与电子系统电磁兼容方面有很高的造诣。尤其电磁干扰、电磁脆弱性（易损性分析）、监测设计和故障处理等广泛的领域具有42年丰富的经验。他在严格的电磁环境下应用EMI/EMC监测，分析建模和仿真技术来评估通信和电子系统操作之间的电磁兼容。达夫研制和应用分析和监测的方法论来估量通信电路和设备的电磁抗扰度和易损性。而这些是由有意电子计量（如干扰）和随意电磁干扰引起的。此评估包括应用分析与监测相结合的方法对整个电子设备的EMI和EW进行估量。确定EMI/EW相制和研究确定问题的修正方法。达夫对潜在的抗扰设备全部或部分地使用了方法论，包括：不同遗产军事接收器；带有自适应的电子反干扰无线的微博中继系统视线角电子反对抗对流层散射通信系统电子导弹和智能炸弹黑鹰直升机的控制M1坦克控制和电子导航船上用的电子控制设备