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文档简介

WAT测量项目以及测试方法,TD/DTD/DD:SutterDai,2008/03/07,WATIntroduction,WAT是什么WAT系统介绍3.WAT测试项目及方法,WaferAcceptanceTest（晶片允收测试）半导体硅片在完成所有制程工艺后，针对硅片上的各种测试结构所进行的电性测试。通过对WAT数据的分析，我们可以发现半导体制程工艺中的问题，帮助制程工艺进行调整。,WAT是什么?,WAT系统介绍,ManualProber,Agilent4284ACVMeter,Agilent4156AIVMeter,CascadeManualProber,WAT系统介绍,Agilent4070system,TELP8XL,Agilent4070,WAT系统介绍,HP4070Server,Agilent81110APulseGenerator,Agilent4284ACVMeter,AgilentE4411BSpectrumAnalyzer,Agilent4070内部结构,Agilent3458ADigitMultimeter,WAT流程图,WAT测试项目,MOSdeviceFieldDeviceJunctionGateOxideResistorBipolarDeviceLayoutRuleCheck,常见的几种器件结构,MOSDevice,以NMOS为例：,2.FieldDevice,WATItemName(以PolyNfield为例):VtNfpS(fieldVt)IleakNfpSVptNfpS(punchthroughVt),2019/12/14,14,可编辑,3.Junction,WATItemName(以N+/PWjunction为例):CNjIleakNjBvNj,4.GateOxide,WATItemName(以PWgateoxide为例):CgpwToxpwBvCgpw,NOTE:Iftherehasadummycapacitor,Cdummyshouldbesubtracted.(Cox=Cox-Cdummy),5.Resistor,Sheetresistance(RsN+/P+/NW/Poly/Metal),ContactResistance(RcN+/P+/Via),Note:Rcneedtosubtractactive&Metalresistor,RsMetalcanbeignoredduetometalresistorisverysmall.,6.BipolarDevice,WATItemName(以NPN为例):HfeNpnBvNpn,7.LayoutRuleCheck,NW/N+Poly/N+active/Metalbridg
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