LCD12832使用说明.doc

C12832-19B中文液晶显示器介绍1、 产品简介C12832-19B 中文液晶显示模块的液晶屏幕为12832，可显示两行，每行可显示8 个汉字。三种操作模式：并行8 位方式、并行4 位方式，串行方式。中文液晶显示模块可实现汉字、ASCII 码、点阵图形的显示。控制芯片为中文字型矩阵LCD控制/驱动器 ST7920芯片。应该注意：LCD控制/驱动器 ST7920芯片实际可控制25664液晶屏(即四行显示)，而C12832-19B 中文液晶显示模块只是用到了“一半”。2、 外形尺寸3、引脚及信号定义LED+、LED-：背光源正负极VDD、VSS：LCD电源及地DB0DB7：8位数据线XRES：复位信号，0有效PSB：控制界面选择，0：串行；1：并行4位/8位RS(CS)：并行时为寄存器选择，0：指令寄存器；1：数据寄存器 串行时为片选，0：禁止；1：允许R/W（SID）：并行时为读写控制，0：写；1读 串行时为输入串行数据E（SCLK）：并行时为读写数据起始 串行时为串行时钟输入。RSRW功能说明LLMPU写指令到指令寄存器（IR）LH读出忙碌标志（BF）及位置计数器（AC）的状态HLMPU写入数据到数据寄存器（DR）HHMPU从数据寄存器（DR）读出数据4、操作模式l 并行数据传输方式：当PSB 脚接高电时，模块将进入并行传输模式；在并行传输模式下，可由指令位(DL FLAG)来选择8-BIT 或4-BIT 接口，主控制系统将配合（RS，RW，E，DB0.DB7）来完成传输动作。在4-BIT 传输模式中，每一个八位的指令或资料都将被分为二组：较高4 位(DB7DB4)的资料将会被放在第一组的(DB7DB4)部分，而较低4 位(DB3DB0)的资料则会被放在第二组的(DB7DB4)部分，至于相关的另四位则在4-位传输模式中DB3DB0 介面未使用。相关介面传输时序请参考下图说明：l 串行数据传输方式：当PSB 脚接低电位，模块将进入串行模式；在串行模式下将使用二条传输线作串行资料的传送，主控制系统将配合传输同步时钟（SCLK）与接收串行数据线（SID），来完成串行传输的动作。在片选CS 设为高电位时，同步时钟线（SCLK）输入的讯号才会被接收，另一方面，当片选（CS）设为低电位时，模块的内部串行传输计数与串行资料将会被重置，也就是说在此状态下，传输中的资料将被终止清除，并且将待传输的串列资料计数重设回第一位；模块选择脚（CS）可被固定接到高电位。模块的同步时钟线（SCLK）具有独立的操作，但是当有连续多个指令需要被传输，必须确实等到一个指令完全执行完成才能传送下一笔资料，因为模块内部并没有传送/接收缓冲区。从一个完整的串行传输流程来看，一开始先传输起始位，它需先接收到五个连续的“1”（同步位串）在起始位元组，此时传输计数将被重置并且串行传输将被同步，再跟随的二个BIT 分别指定传输方向位(RW)及暂存器选择位（RS），最后第八位则在接收到起始位元组后，每个指令/数据将分为二组接收到：较高4 位元(DB7DB4)的指令资料将会被放在第一组的LSB 部分，而较低4 位元（DB3DB0）的指令资料则会被放在第二组的LSB 部分，至于相关的另四位则都为0。5、上电初始化过程l 8位/4位并行方式：l 串行方式发送的命令数值与并行8位方式相同。6、用户指令（基本指令和扩充指令）以下为ST7920标准指令集。l 指令表1：（RE=0，基本指令集）指令指令码说明执行时间(530KHz)RSRWD7D6D5D4D3D2D1D0清除显示0000000001清DDRAM 添满“20H”，并设定DDRAM 的位址AC1.6ms位址清零000000001X设定DDRAM 的位址AC=0，将光标移到原点，不清DDRAM72us进入点设定00000001I/DS指定在资料的读取与写入时，设定光标的移动方向及指定显示的移位。72us显示状态开/关0000001DCBD=1：整体显示ON C=1：游标ONB=1：游标位置ON72us光标或显示移位控制000001S/CR/LXX设定光标的移动与显示的移位控制位元；不改变DDRAM72us功能设定00001DLX0REXXDL=1 8-bit 控制界面DL=0 4-bit 控制界面RE=1: 扩充指令集动作RE=0：基本指令集动作72us设定CGRAM0001AC5AC4AC3AC2AC1AC0设定CGRAM 位址到位址记数器AC72us设定DDRAM0010AC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0设定DDRAM 位址到位址记数器ACAC6 固定=00读取忙标志01BFAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0读取忙标志(BF)，可以确认内部动作是否完成，同时可以读出位址记数器AC72us写数据到RAM10D7D6D5D4D3D2D1D0写入数据到内部RAM(DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM)72us读出RAM的值11D7D6D5D4D3D2D1D0从内部RAM 读取资料(DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM)72usl 指令表2：（RE=1，扩充指令集）指令指令码说明执行时间(530KHz)RSRWD7D6D5D4D3D2D1D0待命模式0000000001进入待命模式，执行任何其他指令都可终止待命模式72us卷动位址或RAM位址选择000000001SRSR=1： 允许输入垂直卷动位址SR=0：允许输入IRAM 位址(扩充指令)SR=0：允许输入CGRAM 位址(基本指令)72us反白选择00000001R1R0选择4 行中的任一行作反白显示，并可决定反白与否。R1,R0 初值为00 当第一次设定时为反白显示，在一次设定时为正常显示72us睡眠模式0000001SLXXSL=1：脱离睡眠模式SL=0：进入睡眠模式72us扩充功能设定00001DLX1REGXDL=1 8-bit 控制界面DL=0 4-bit 控制界面RE=1: 扩充指令集动作RE=0：基本指令集动作G=1： 绘图显示ONG=0： 绘图显示OFF72us设定IRAM位址或卷动位址0001AC5AC4AC3AC2AC1AC0SR=1：AC5AC0 为垂直卷动位址SR=0：AC3AC0 为ICON RAM 地址72us设定绘图RAM地址0010AC60AC50AC4AC3AC2AC1AC0设定GDRAM 位址先设垂直地址，再设水平地址垂直地址 AC6AC0 （063）水平地址 AC3AC0 （015）72us备注：1、任何一条指令输入ST7920控制器后，其内部都需要时间来处理，在处理完成前并不接受下一条指令，而每一条指令的处理时间不禁相同，要确定ST7920内部是否已处理完成，是否可以接受下一条指令，可以通过读取忙碌标识位“BF”来确认。或在一条指令输入后，延时足够长时间（大于此指令的执行周期），这样就可以保证能够接受下一条指令。具体指令的执行周期请参照ST7920数据手册查询。2、“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制单元，当变更“RE”位元后，往后的指令集将维持在最后的状态，除非再次变更“RE”位元。使用相同的指令集时，不需再次重设“RE”位元。7、常用指令简单说明7.1、功能设定：RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB000DLXREXXDL : 4/8 BIT 界面控制位元当DL = “1”, 为 8 BIT MPU 控制界面当DL = “0”, 为 4 BIT MPU 控制界面RE : 指令集選擇控制位元当RE = “1”, 为扩充指令集动作当RE = “0”, 为基本指令集动作同一指令之动作不可同时改变RE及DL，需先改变DL后在改变RE，才可确保FLAG正确设定WriteCommand(0x34); /8Bit扩充指令集,即使是36H也要写两次WriteCommand(0x36); /绘图ON,基本指令集里面36H不能开绘图要写36H命令，则先需保证切换到扩充指令集，所以第一次写入34H后，即进入扩充指令集，第二次写36H，则可确保写入成功；如没有第一次写34H，而是直接写一次36H，则指令集不一定是扩充指令集，具体是基本指令集还是扩充指令集取决于上次操作的指令集。7.2、设定DDRAM(Display Data RAM)位址：RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0001AC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0设定DDRAM 地址到位址记数器AC本液晶模块第一行AC 范围为：80H87H第二行AC 范围为：90H97H7.3、设定CGRAM(Character Generator RAM)地址RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB000AC5AC4AC3AC2AC1AC0设定CGRAM 地址到位址记数器AC7.4、进入点设定(Entey Mode Set)：RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB000000001I/DS指定在数据的读取与写入时设定光标的移动方向及指定显示的移位I/D 位址记数器递增递减选择当I/D=1 光标右移DDRAM 的位址记数器+1当I/D=0 光标左移DDRAM 的位址记数器-1S: 显示画面整体位移SI/DDESCRIPTIONHH 画面整体左移HL画面整体右移7.5、显示状态开/关：RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB00000001DCB控制整体显示光标光标位置反白ON/OFFD 整体显示ON/OFF 控制位D=1 整体显示OND=0 整体显示OFFC 光标显示ON/OFF 控制位C=1 光标显示ONC=0 光标显示OFFB 光标位置反白ON/OFF 控制位B=1 光标位置显示反白ON-将光标所在处的资料反白显示B=0 光标位置显示反白OFF7.6、光标或显示移位控制：RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0000001S/CR/LXX设定光标的移动与显示的移位控制这个指令并不改变DDRAM 的内容S/CR/LDescriptionAC ValueLL光标向左移动AC=AC-1LH光标向右移动AC=AC+1HL显示向左移动且光标跟着移动AC=ACHH显示向右移动且光标跟着移动AC=AC7.7、写入资料到RAM：RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB010D7D6D5D4D3D2D1D0写入资料到内部的RAM 当写入后会使AC 改变每个RAM 位址CGRAM DDRAM 都可连续写入两个BYTE,数据当写入第二个BYTE 时位址计数器AC 的值就会自动+17.8、读取RAM 的值：RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB011D7D6D5D4D3D2D1D0从内部的RAM 读取数据当读取后会使AC 改变当设定位址指令后CGRAM DDRAM 若要读取资料时需先DUMMY READ 一次,才会读取到正确资料。第二次读取时,则不需要DUMMY READ, 除非重新又设定了位址指令,才需再次DUMMY READ7.9、软指令睡眠关断显示（省电模式）：RSRWDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB00000001SLXXSL=0 进入睡眠方式SL=1 唤醒8、内部RAM 使用说明8.1、显示RAM DDRAM 操作说明模块可显示三种字型，分别是HCGROM 字型，CGRAM 字型和中文CGROM 字型，三种字型的选择，由在DDRAM 中写入的编码选择，0000H0006H （0000 0002 0004 0006）的四组编码对应CGRAM 字型中的四个自定义字符；02H7FH的编码中将选择半宽英文、数字的字型；A1H 以上的编码将自动结合下一字节，组成两字节的中文字型编码（A1A0HF7FEH）。1） 显示半宽字型（168）：将8位编码02H7FH 写入DDRAM 中如要在第一行显示：ABCDEFGHIJKLMNOP，则需先用设定DDRAM指令设定地址“80H”，然后连续写入“41H，42H”两个数据（A、B对应的ASCII码分别为41H，42H）；DDRAM地址增为“81H”，写入下两个数据“41H，42H”； DDRAM地址增为“87H”，连续写入“4FH，50H”两个数据（O、P对应的ASCII码分别为4FH，50H），则完成了显示。用C语言可以写为：WriteCommand(0x80);WriteData(A);WriteData(B);WriteCommand(0x81);WriteData(C);WriteData(D);2） 显示CGRAM字型（1616）：将16位编码写入DDRAM 中共有四种编码0000H，0002H，0004H， 0006H3） 显示中文字型（1616）：将16位编码写入DDRAM中，编码（A1A0HF7FEH）。如在第一行显示“北京”两字“北”、“京”的编码分别为“B1B1H”、“BEA9H”则相应的程序应写为：WriteCommand(0x80);WriteData(0xb1);WriteData(0xb1);WriteCommand(