我国电子工艺现状.doc

电子工艺中国电子元件产业经历了从无到有、从小到大的发展历程。从五、六十年代的初创到七十年代的成长，从八十年代的改革开放到九十年代以后的全面发展。中国加入WTO，更为我国电子元件产业带来了新的发展契机，也使全行业面临参与国际竞争的严峻挑战。五十年代，中国电子元件产业引进前苏联和民主德国的生产技术。六十年代初，适应半导体化的要求发展了85 、1 25系列小型电子元件、低功率产品，为地面和航空电子设备试制服务。七十年代，推广“七专”产品，提高了产品的质量，并为军事装备、航天电子设备配套。开展声表面波技术、微波铁氧体和混合集成电路的研究。八十年代，实行改革开放，引进大生产技术，为彩色电视机和录音机的生产提供多种配套产品，我国电子元件产量持续上升。九十年代以来，随着国际生产的大转移，我国制造业基地地位的显现，跨国公司的大举进入，品种规格齐全、品质提高、出口增加 。新企业不断涌现、老企业滚动发展。历经50年的发展，我国电子元件的完整产业体系已全面形成。电子元件产业得到全面、快速的发展，无论产品种类、规格、产能和产量，技术水平都得到很大提高。 我国电子元件行业的问题现状 1.低价取胜的营销策略，将势必导致持续竞争力的降低，甚致丧失。低价营销是我国企业目前的杀手戟，但这是在产品的技术含金量不如国外产品情况下的一种不得已行为。但确是一种近乎“自杀式”行为！我国元器件比日本产品的价格便宜5成极为普遍！电阻器、加热器、连接器等通用零部件价格， 有的甚至不足日本厂商的110！原因：目前绝大部分我国元器件企业还是把自己的生存之本寄托在设备和营销上但却忽略了 工艺的进步、 工艺的进步、人才的培养和技术开发的投入。2. 自主创新不足，产品质量水平在世界上属中低挡。中国是电子元件的生产大国，但决非生产强国。最早开发镍电极多层陶瓷电容器(MLCC)的太阳诱电，目前MLCC的最高容量已达lOOF，出货量为170亿个月 亿个。太阳诱电下城忠通表示，生产一颗高品质的高容值电容需要600多个制造工序，目前具备这种多个制造工序，技术实力的厂家还很少，如在型号为0805的产品规格上太阳诱电可以做到22F电容值，这是绝大部分竞争对手目前还做不到的。由于手机、PC、数码相机、 由于手机、PC、数码相机、LCD Tv等产量持续增长，加上部分终端产品对电容单位需求量在迅速上升(如基于 如基于Intel 单核平台约需26.4F外部电容，而到双核平台就需77 2 F，翻了将近 三倍)。目前高容值陶瓷电容全球市场供应紧缺。3.元件质量水平参差不齐，产品的一致性、供货稳定性不够。与当前国际上倡导并实施的技术创新、提升产品质量和服务水平差距甚远。 4.新功能新结构和高性能（高温、高频、大容量、低ESR和ESL等）的电子元件仍需大量进口，整机国产化率仍然较低。一方面我国元件产量大量增加，不少产品产量已居世界首位，但同时元件进出口贸易逆差越来越大。 5.元件企业和整机企业缺乏深层次合作，导致元件企业信息不灵，与整机配套十分被动、滞后。现象：通用元件生产过剩。新型整机研发所需新型元件，国内企业又难以满足。不难看出，我国电子元件行业所存在的问题是： 1.大而不强产业企业规模偏小 2.廉而不贵产品技术开发能力弱、 核心和关键技术依赖进口 3.低价竞争营销削弱了行业整体竞争力 4.片式化、复合化的技术发展缓慢，与世 界强国差距很大 我国电子元件的发展趋势1. 片式化、小型化电子产品的多功能化和便携式同时要求电子元件产品不断缩小元件的尺寸。 以多层陶瓷电容器(MLCC)为例， 目前的主流产品尺寸正在从0603型向0402型过渡，而更受市场欢迎的高端产品是0201型。 尺寸的缩小涉及一系列材料和工艺题， 已成为目前无源元件的研究热点， 已成为目前无源元件的研究热点，一些新材料和前沿技术(如纳米技术等)已开始用于超小型片式元件的工艺之中。 2多功能化随着电子新型产品功能的不断增加，对片式元件功能的要求也越来越多样化。 尽管从数量上看，电子元件的片式化率已高达70以上，但发展很不均衡，一些元件由于工艺、结构及材料等原因，片式化的难度较大。如具有电感结构的磁珠元件，其功能不在于作为一个电感器，而是用来抗电磁干扰。目前，片式化的磁珠元件已成为用量最大的一类片式电感类元件。这些新元件的设计和材料都是电子元件所面临的新问题我国片式电感无论在品种、使用频段和性能方面与日本TDK均存在很大差距。目前，为了实现微波陶瓷元件、过流保 护元件、敏感陶瓷元件、磁性变压器等元件的片式化，世界各国都在开发具有低温 烧结特性的微波陶瓷介质和敏感陶瓷材料 及相应材料的多层共烧技术。以及开发具 有电磁兼容特性的低温共烧陶瓷与铁氧体复合材料，低介低温共烧（LTCC）陶瓷材料，高频低损耗铁氧体材料，微波片式滤波器材料及工艺等。 3.集成模块化无源电子元件在制造工艺，材料，结构上差异性， 在元件的小型化方面与半导体器件的高度集成化相比，发展相对缓慢。近年来，由于低温共烧陶瓷(LTCC)等技术的突破，才使无源集成技术进入了实用化和产业化阶段，并成为备受关注的技术制高点。基于LTCC技术的片式元件及其集成化产品的产值一直以每两年翻一番的速度发展。到2010年，仅中国内地的LTCC产品市场就将达到3O亿美元。 4.微波、高频化、宽带化目前电子整机向微波、毫米波、高频宽带方向发展的趋势十分强劲，如无线移动通信已发展到 2 GHz，蓝牙技术是2 4 GHz，短距离的无线数据交换系统已可达到58 GHz。相控阵雷达用T/R组件的工作频率已在波x段和ku波段。此外，高速数字电路产品越来越多，光通信的传输速度已从25Gbps发展到发展到10 Gbps。这些进展都对电子元器件的高频和宽频化提出了更高的要求。此外，降低寄生电感和寄生电容、提高自谐振频率、降低高频ESR、提高高频Q值 等要求也不断被提出。 5.绿 色 化 在电子