电子技术基础.doc

第一篇电子技术基础提要模拟部分第一章 电阻器常用电子元器件的基本知识与基本应用电路一、 电阻器电阻器是电子设备中应用最广泛的元件之一,在电路中起限流、分流、降压、分压、负载、与电容配合作滤波器及阻抗匹配等作用。1.电阻器的分类电阻器的种类繁多，若根据电阻器的电阻值在电路中的特性来分，可分为固定电阻器，可变电阻器（电位器）和敏感电阻器三大类。它们的符号如下：RRTRVRPtoU(a) (b) (c) (d)2. 电阻器的性能指标2.1额定功率指在规定的环境温度和湿度下，假设周围空气不流通，在长期连续工作而不损害或基本不改变电阻器性能的情况下，电阻器允许消耗的最大功率。功率的单位为瓦（用W表示）1/8W1/4W1/2W1W如:2.2 标称阻值（简称标称值）及允许误差，标志在电阻器上的电阻值称为标称值。电阻器的实际阻值对于标称阻值的最大允许偏差范围称为电阻器的允许误差。它表示产品的精度。标称值是产品标志的“名义”阻值，其单位为欧姆（）、千欧（K）兆欧(M),它们之间的关系是1 M=103 K=106. 任何电阻器的标称阻值都应符合下表所列数值乘以10n ,其中n为整数.精密电阻的误差等级有+0.05%,+0.02%,+0.5%,+1%, +2%等.通用电阻的标称系列系列允许误差电阻标称值系列E24I级+5%1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.33.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 E12II级+10%1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 E6III级+20%1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 电阻器的阻值和误差的标注方法有三种.1) 直标法是将电阻器的主要参数和技术性能用数字或字母直接标注在电阻体上. 2) 文字符号法是将需要标志出的主要参数与技术性能用文字,数字符号两者有规律地组合起来标注在电阻器上.如0.1标志为1, 3.3标志为33,3.3 K标志为3K3,10 M标志为10M等. 3)色标法(又称色环表示法)是用不同颜色的色环来表示电阻器的阻值及误差等级.各色环颜色所僃表的含义如下表.颜色所代表的有效数字乘数允许识误差误差的英文代码颜色所代表的有效数字乘数允许识误差误差的英文代码银-10-2+10%K绿5105+0.5%D金-10-1+5%J蓝6106+0.2%C黑0100-紫7107+0.1%B棕1101+1%F灰8108红2102+2%G白9109橙3103-无色-+20%M黄4104-金色（允许偏差）橙色（乘数）紫色（第二位）红色（第一位）棕色（允许偏差）银色（乘数）绿色（第三位）紫色（第二位）紫色（第一位）(a) 四环道电阻 (b) 五环道电阻2.3最高工作电压:指电阻器长期工作不发生过热或电击穿损坏的工作电压限度.R1R2UB+VCC3.电阻器的串并联计算3.1 在串联电路中，R总=R1+R2+R3+3.2 在并联电路中，1/R总=1/R1 + 1/R2 + 1/R3 + 3.3电阻的分压计算 UB=VCC.R2/(R1+R2)二、电容器电容器是由两个金属电极，中间夹一层电介质构成。在两个电极之间加上电压时，电极上就储存电荷，所以说电容器是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、隔直、交流旁路和能量转换等。1.电容器的分类电容器的种类很多，按介质不同，可以分为空气介质电容器。纸质电容器，有机薄膜电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容器、云母电容器、电解电容器等。按结构不同，分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器等。它们的图形符号如下图；+(b) 半可变电容器(a) 固定电容器 (c) 可变电容器 2.电容器的性能指标2.1 标称容量允许误差电容器的容量表示电容储存电荷的能力，单位是法 拉 ( F ) 微 法 ( mF ) 納 法 ( nF ) 皮 法 ( pF )，它们之间的关系是1F=106 mF =109nF=1012 pF标称容量是标志在电容器上的名义电容量，常用电容器容量的标称值系列如下表，任何电容器的标称容量都满足下表中的数据乘以10n (n为整数)(常用电容器量的标称值系列)电容器类别标称值系列高频纸介质、云母介质玻璃釉膜介质高频（无极性）有机薄膜介质1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.03.3 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1纸介质、金属化纸介质复合介质低频（有极性）有机薄膜介质1.0 1.5 2.0 2.2 3.3 4.0 4.7 5.0 6.0 6.8 8.0电解电容器1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8实际电容器的容量与标称值之间的最大允许偏差范围，称为电容量的允许误差。固定电容器的允许误差分为8级，如下表。允许误差等级级别0102IIIIIIIVVVI允许误差/（%）+1+2+5+10+20+20+30+50+20+100+10一般电容器的容量及误差都标志在电容器上。体积较小的电容器常用数字和文字标志。采用数字标志容量时用三位整数，第一、二位为有效数字，第三位表示有效数字后面加零的个数，单位为皮法(pF).如“223”表示该电容器的容量为22000pF（或0.22mF）.需要注意的是当第三个数为9时是个特例。如“339”表示的容量不是33*109pF，而是33*10-1pF（即为3.3pF）。采用文字符号标志电容量时，将容量的整数部分写在容量单位标志符号的前面，小数部分放在容量单位符号的后面。例如：0.68pF标志为P68，3.3pF 标志为3P3，1000PF标志为1n,6800pF标志为6n8，2.2mF可标志为2m2等。误差的标志方法一般有三种： 1）将容量的允许误差直接标在电容器上。2）用罗马数字“I”、“II”、“III”分别表示+5%、+10%、+20%+100%-0%+50%-20%+80%-20%3）用英文字母表示误差等级，用J.K.M.N分别表示+5%、+10%、+20%、+30%，用D.F.G.分别表示+0.5%、+1%、+2%;用P.S.Z分别表示: ， ，电容器的容量及误差除按上述方法标志外，也有采用色标法来标志，电容器的色标法原则与电阻器色标法相同，单位为皮法（pF）2.2 额定工作电压额定工作电压是指电容器在规定的工作温度范围内，长期、可靠地工作所能承受的最高电压(又称耐压值）。常用固定式电容器的耐压值有：1.6V、4V、6.3V、10V、16V、25V、32V（*）、40V、50V（*）、63V、100V、125V、160V、250V、300V（*）、400V、450V（*）、500V、630V、1000V等，其中有（*）符号的只限于电解电容用。2.3 绝缘电阻（又称漏阻）理想电容器的绝缘电阻应为无穷大，但实际电容器的绝缘电阻往往达不到无穷大，可用公式表示R=V/IL式中，R为绝缘电阻，单位为M；V为加在电容器两端的直流电压,单位为V；IL为漏电流，单位为mA。一般电容器的绝缘电阻应在5000 M以上。绝缘电阻大，电容器的漏电小，性能好。优质电容器的绝缘电阻可达T（1012，称太欧）级。2.4 介质损耗Tan =损耗功率无功功率理想电容器应没有能量损耗，但实际上电容在工作时总有一部分电能转换成热能而损耗能量。包括漏电流损耗和介质损耗两部分。小功率电容器主要是介质损耗。介质损耗是指介质反复极化和介质导电所引起的损耗。电容器损耗的大小通常用损耗数即损耗角的正切值来表示，即：在容量、工作条件相同的情况下，损耗越大，电容器传递能量的效率越低，损耗较大的电容不宜用在高频电路中。3. 电容器的串并联和容量计算公式C=12cC总=C1+C2C总=C1+C2C1*C23.1 两个电容串联，3.2 两个电容并联， 3.3 容抗计算公式， （f表示交流信号的频率， c表示电容的容量）三、电感器电感器又称电感线圈，是用漆包线在绝缘骨架上绕制在而成的一种能存储磁场能的电子元器件，它在电路中具有阻交流通直流、阻高频通低频的特性。1. 电感器的分类电感器种类很多，根据电感量是否可调分为固定电感器、可变电感器和微调电感器；按导磁体性质来分，有带磁心和不带磁心的电感器;按绕线结构来分，有单层线圈、多层线圈和蜂房式线圈，常用电感器的符号如下图所示：（a） (b) (c) (d) (e) (f) (g)(a)电感器线圈； （b）带磁心电感器线圈；(c) 磁心有间隙电感器；(d)带磁心连续可调电感器；(e)有抽头电感器；(f) 步进移动触点的可变电感器； (g) 可变电感器；2. 电感器的主要性能指标2.1 电感（L）电感包括自感和互感，反映电感线圈存储磁场的能力，也反映电感器通过变化电流时产生感应电动势的能力，其大小与磁导率m，线圈单位长度中的匝数n以及体积V有关。当线圈的长度远大于直径时，电感是为L= m n 2V.电感量的常用单位是亨利（H），毫亨（mH），微亨（mH），它们之间的关系是 1H=1000mH=1000000mHQ=LR2.2 品质因数（Q）电感器线圈无功伏安值与消耗能量值的比值称为品质因素，用Q值来表示: 式中，为工作角频率；L为线圈电感，R为线圈的等效串联损耗电阻。Q值高表示电感的损耗功率小，效率高。但Q值的提高受到导线的直流电阻、线圈架的介层损耗等多种因素的限制，通常为50300。2.3 分布电容分布电容是指电感线圈的匝与匝之间线圈与地之间、线圈与屏蔽盒之间存在的寄生电容。分布电容使线圈的Q值减小，稳定性变差。减小分布电容的方法有：减小线圈骨架的直径；用细导线绕制线圈；采用间绕法、蜂房式绕法绕制线圈。2.4 额定电流额定电流是指电感器长期工作不损坏所允许通过的最大电流。L=2L3. 感抗的计算公式： (表示交流信号的频率，L表示电感器的电感量)四、半导体二极管1. 基本要求1.1 了解半导体材料的基本结构及PN结的形成。1.2 掌握PN结的单向导电工作原理1.3了解二极管（包括稳压管）的伏安特性及主要性能指标。半导体二极管及其基本电路1. 基本知识2. PN结PN结的形成单向导电性伏安特性电容效应3. 半导体二极管分类伏安特性主要参数二极管等效电路4. 二极管应用电路5. 特殊二极管2. 知识点网络图3. 内容提要3.1半导体基本知识（略）3.2 PN结a) PN结的形成（略）b) 单向导电性为了对二极管有一直观的了解，可做下述实验；先把二极管的P区引出线接直流电源的正极，N区引线接电源的负极如图（a）所示，此时灯泡发亮，这种接线方式称为正向连接，流过二极管的电流称为正向电流。再把二极管的P区引线接直流电源的负极，N区引线接电源的正极，如图（b），此时灯泡不亮。这种方式称为反向连接，电流中的电流称为反向电流。晶体二极管加一定的正向电压时导通，加反向电压时截止这一导电特性，称为晶体二极管的单向导电性。+V-RVH+V-RVHi0uU(BR)（a） (b) (c)(c) 伏安特性由c 图可知，PN结外加正向电压，且uUT（死区电压）时，i 随u按指数规律变化；当PN结外加反向电压,且反向电压超过一定值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。 （d）电容效应根据产生原因不同，分为势垒电容和扩散电容。1）当PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将随之变化，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化等效的电容称为势垒电容。2）扩散电容在扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，称为扩散电容Cdi0uU(BR)Uon0Is80C20C二极管伏安特性曲线4. 半导体二极管4.1 分类 半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面接触型4.2 伏安特性曲线如右图所示：可划分为三个部分A、正向特性（外加正向电压）当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压，用Uth表示。在室温下，硅管的Uth约为0.5V，锗管的Uth约为0.1V。当流过二极管的电流I比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.60.8V(通常取0.7V),锗管约为0.20.3V(通常的0.2V)。B、反向特性（外加反向电压）在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。由二极管的正向与反向特性可直观的看出：I）二极管是非线性器件；II）二极管且有单向导电性。C、当反向电压增加到某一数值，当反向电压超过一定数值U（BR）时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。D温度对半导体二极管伏安特性的影响如图伏安特性中虚线下移。在室温附近，温度每升高1摄氏度，正向压降减小2-2.5mV；温度每升高10摄氏度，反向电流约增大一倍。C）主要参数1）正向最大整流电流IF：指管子运行时，允许通过的最大平均电流2）反向击穿电压UBR：指管子反向击穿时的电压值。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。3）反向电IR指管子未击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。4） 最高工作频率M时，由于二极管的结电容大小决定参数，当工作濊率超过M时，由于二极管的容抗减小到可以和反向电阻相比拟时，管子将失去它的单向导电性，所以使用时应使频率小于M。5. 二极管的应用电路5.1 限幅电路-利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成，将信号限定在某一范围中变化，分为单限幅和双限幅电路5.2 钳位电路- 将输出电压钳位在一定数值上。5.3 开关电路-利用二极管单向导电性以接通和断开电路，广泛用于数字电路中。5.4 整流电路-利用二极管单向导电性，将交流信号变为直流信号，广泛用于直流稳压电源中。5.5 低压稳压电路-利用二极管导通后两端电压基本不变的特点，采用几个二极管串联，获得3V以下输出电压。6. 特殊二极管6.1 稳压二极管imUzIz 0IzMui（a）伏安特性a) 工作原理D2阴极阳极（b）电路符号稳压管是一种特殊的二极管，它利用PN结反向击穿后特性陡直的特点，在电路中起稳压作用。稳压管工作在反向击穿状态。b) 主要参数：稳定电压Uz、稳定电流Iz，最大工作电IzM和最大耗散功率PzM2）发光二极管：发光二极管是一种将电能转化光能的特殊二极管。它简写成LED，其基本结构是一个PN结，它的特性曲线与普通二极管相类似，但正向导通电压一般为12V，正向工作电流一般为几毫安几十毫安。发光二极管3） 光电二极管：它又叫光敏二极管，是一种将光信号转换为电信号的特殊二极管。光电二极管变容二极管4） 变容二极管：利用二极管结电容随反向电压的增加而减少的特性制成的电容效应显着的二极管，多用于高频技术中五、半导体三极管及放大电路基础1. 基本要求1.1 了解半导体三极管的工作原理，特性曲线及主要参数。1.2了解半导体三极管放大电路。1.3 理解放大电路的工作点稳定问题。1.4 掌握放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响。2. 知识点网络图2. 共射极放大电路放大的概念放大电路基本射极放大电路的工作原理及波形分析两种工作状态分析步骤半导体三极管及放大电路1. 双极型晶体管结构及类型电流放大作用共射特性曲线主要参数3. 图分析法静态分析动态分析非线性失真及最大不失真输出电压图分析法的特点4. 放大电路的工作点稳定问题5. 共射极电路共集电极电路和共基极电路特点6. 多级放大电路阻容耦合直接耦合变压器耦合7. 放大电路的频率响应基本概念RC低通电路的频率响应RC高通电路的频率响应放大电路存在频率响应的原因3. 内容提要3.1 双极型晶体管双极型晶体管又称晶体三极管，半导体三极管，以下简称晶体管。集电极c集电区基区发射区发射极eNN发射结基极b集电结cb(a) NPN型cbe集电极c基极b发射极ePP(b) PNP型晶体管的结构及符号e（1）结构及类型晶体管从结构上可分为NPN型和PNP型两大类，它们均由三个掺杂区和两个背靠背的PN结构成。1）内部结构三个电极：基极b、集电极c、发射极e，eb之间的PN结称为发射结，cb之间的PN结称为集电结2）内部结构特点发射区的杂区掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度，基区很薄且掺杂浓度最低。3）实现放大的条件NPNIcRcVccIbbRbVBBec三极管的工作电压发射结正向偏置，集电结反向偏置。（2）放大作用1）三极管的工作电压三极管与二极管的最大不同之处，就是它具有放大的作用。三极管结构特点是它具有电流放大作用的内部条件，为了实现它的电流放大作用，还必须具有一定的外部条件，即给三极管的发射结加正向电压，习惯上叫正向偏置，集电结加反向电压或叫反向偏显，对于NPN型管，如上图所示。三个电极的电们关系是UCUBUE,如果是PNP型管，三个电极的电位关系则是UEUBUC.2）晶体管的电流分配关系bceRbiVBB+-+-VCCRcu0基本共射极放大电路如果三极管的外部电压满足上述关系，则由节点电流定律可知。三极管的发射电流等于集电极电流和基极电流之和，即 IE=IC+IB 此外，由实验知，ICIB故IEIC3）晶体管的共射电流放大系数为了表示发射极电流转化为受控集电极电流IC的能力，引入参数，称为共基极电流传输系数。其定义为=IC/IE令=/（1-），称为共射极电流传输系数。也称为共射极交流电流放大系数。晶体管的输入特性曲线UCE=00.5V1ViBUBE=00（3）共射特性曲线（能NPN型管为例）1） 输入特性曲线IB=（UBE）|UCE=常数。如图所示A、定义：输入特性曲线是指当UCE为某一常数时，IB和UBE之间的关系。B、特点：UCE=0的输入特性曲线和二极管的正向伏安特性曲线类似；随着UCE增大，输入特性曲线右移；继续增大UCE，输入特性曲线右移很少。在工程上，常有UCE=1时的输入特性曲线近似代替UCE1时的输入特性曲线簇。2）输出特性曲线如右图所示UCE0IB=0IB1IB2IB3IB4IBiCIC放大区截止区饱和区晶体管的输出特性曲线输出特性曲线描述基极电流IB为一常量时，集电极电流IC与管压降UCE之间的函数关系，即IC=（UCE）|IB=常数 从输出特性曲线可以看出，晶体管有三个工作区域。A、截止区：发射结反偏，集电结反偏，发射区不能发射载流子，IB0，IC0B、放大区：发射结正偏，集电结反偏。其特点是UBE0.7V(或0.2V),IB0, IC与IB成线性关系，几乎与UCE无关。C、饱和区：发射结正偏，集电结正偏，饱和区是对应UCE较小（UCE o,即在正弦输入信号的正半周期，NPN型的管因正偏而导通，在负载上出现输出电压uo的正半周期，PNP型管因反偏而截止；在ui0.2PO(max)b. 一管导通，别一管截止，后者C.E极间的承受的最大反压近似为2VCC，所以管子的U（BR）CEO2Vc. 导通的最大电流IOM（max）=VCC/RL,所以管子的集电极允许电流IOMVCC/RLd. 为避免功率管二次击穿，管参数选择应留有余量。3.集成功率放大器它可分为通用型机专用型两大类。使用时，注意了解其内部电路组成特点及和管脚作用，以便合理使用集成功率放大器。1）集成功放的性能特点：与分立器件构成的功率放大器相比，体积小、重量轻，成本低，外接元件少、调试简单、使用方便、且温度稳定性好、功耗低，电源利用率高，失真小，具有过流保护、过垫保护、过压保护及自启动、消噪功能。2）集成功放的结构特点对于不同规格、型号的集成功率放大器，其内部组成电路千差万别。但总体上大致分为前级置放大器（输入级），中间放大器，互补或准互补输出级、过流、过压、过垫保护电路等。其内部电路为直接耦合多级放大器。第三章 反馈放大电路1. 基本要求1.1 正确理解反馈的基本概念、负反馈放大电路增益的一般表达式。四种反馈组态及其特点。1.2 能用瞬时极性法判别正、负反馈及反馈类型，正确解释负反馈对放大电路性能的影响。1.3 在深度负反馈条件下，近似计算负反馈放大电路的增益。1.4 了解负反馈放大电路产生自激的条件和原因。4. 负反馈放大电路的分析和近似计算法5. 负反馈放大电路的稳定性2.负反馈放大电路正反馈放大电路的方框图负反馈放大电路的四种组态本级反馈和级问反馈负反馈放大电路的一般表达式负反馈放大电路的基本放大电路及求解方法3. 负反馈对放大电路性能的改善提高放大倍数的稳定性扩展频带减小非线性失真抑制噪声和干扰改变输入和输出电路1. 反馈的基本概念与分类反馈放大电路的电路形态特征反馈的类型及判别正反馈和负反馈直流反馈，交流反馈与直交流反馈本级反馈和级问反馈电压反馈和电流反馈串联反馈和并联反馈反馈放大电路二、知识点网络图3. 内容提要3.1 反馈的基本概念与分类按照反馈极性的不同，反馈分为正反馈和负反馈，这两种反馈在电子电路中所起的作用是截然不同的。在放大电路中广泛引入负反馈，目的在于改善放大电路多方面的性能。而在某些振荡电路中，则要引入正反馈，以实现信号产生功能。1）反馈放大电路的电路形态特征A、什么是反馈将放大电路输出信号（电压或电流）的一部分或全部，通过一定的电路形式（反馈网络）回送到它的输入回路以调节输入信号（电压或电流）的过程，称为反馈。B、反馈放大电路的组成+基本放大电路反馈网络反馈量净输入量输入量输出量反馈放大电路的方框图反馈放大电路由基本放大电路和反馈网络两部分，方框结构如右图所示。前者主要功能是放大信号，后者主要功能是传输反馈信号。C、反馈放大电路的电路形态特征在放大电路的输出回路与输入回路之间有起信号返送作用的网络（即反馈网络）；反馈网络一般由无源的R.C元件组成，但有的也含晶体管、场效应管或运放等有源器件；反馈网络可以是一个复杂的网络，也可以只是一条连接输出和输入回路的连线。2）反馈的类型及判别方法A、正反馈和负反馈若经反馈后能传输出是增大的，引入的是正反馈；反之,使输出量减小的反馈是负反馈。常用瞬时极性法判断引入的是正反馈还是负反馈。瞬时极性法：规定电路输入信号在某一时刻对地的极性并以此为依据，逐级判断电路中各相关点电流的流向和电位的极性从而得到输出信号的极性；根据输出信号的极性判断反馈信号的极性，若反馈信号基本放大电路的净输入信号增大，则说明引入了正反馈；若反馈信号使基本放大电路的净输入信号减小，则说明引入了负反馈。uoUPUNR1R2ufUDuiA+_+_(a) 引入负反馈UNUPR1R2uoUDuiA+_(a) 引入正反馈+UNR1UNuiA+(a) 引入负反馈_+R2iNiF_+反馈极性的判断在上图（a）所示电路中，设输入电压ui的瞬时极性对地为正，因而输出电uO对地也为正；uO在R2和R1回路产生电流，方向如图中虚线所示。且该电流在R1上产生的极性为上“+”下“-”的反馈电压uf，使反向输入端电位对地为正；由此导致集成运放的净输入电压UD(UP-UN)的数据减小，说明电路引入了负反馈。在上图（b）所示电路中，设输入电压ui的瞬时极性对地为正，则输出电压uO极性对地为负。uO作用于R2和R1回路产生电流的方向如图中虚线所示，由此可行R1上的反馈电压UD（UP-UN）的数值增大，说明电路引入了正反馈。在上图（c）所示的电路中，设输入电流i的瞬时极性如图所示。集成运放反向输入端的电流iN 流入集成运放，电位UN对地为正，因而输出电uO对地为负。uO作用于Rf产生电流的方向如图虚线所示，导致集成运放的净输入电流iO的数值减小，说明电路引入负反馈B、直流反馈、交流反馈与交直流反馈a. 定义：当反馈量中只有反映放大电路静态工作点的直流分量，且能影响反馈环内各级放大电路静态工作点变化的反馈称为直流反馈。当反馈量中只有反映放大电路动态的交流量，且能影响反馈环内各级放大电路动态性能的反馈称为交流反馈。当上述两种反馈同时存在时，称为交、直流反馈。 b. 判别方法-电容观察法若反馈通路有隔直电容则为交流反馈；若反馈通路有旁路电容则为直流反馈；若反馈通路无电容，则为交、直流反馈。C、本级反馈和级间反馈根据反馈信号所联系的放大电路级数分为本级反馈和级间反馈。将同一级输出回路和输入回路联系