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文档版本：文档编号：_DCM反激变换器功率级单元电路在电流负载下的计算书（12V/6W）设 计: 日期： 校 对: 日期： 审 核: 日期： 批 准: 日期： 普高（杭州）科技开发有限公司 一：电路原理图 图1 电流型负载反激变换器的电路原理图二：电路设计输入 1：输入电压范围： (100V DC425V DC)；2：输出电压： （12V DC）；3：输出电压纹波：（开关纹波）；小于100mv；4：输出负载范围： （00.5A）；5：满载效率：低限：，高限：；（70%， 70%）；6：开关频率：。（200KHz）；7：MOSFET：（600V），（120V）；8：经验系数取值：（3500Gass），（3.5），（0.35）三：电路设计步骤 第一步：设计变压器： （1）：确定变压器的变比： （2）：选择低限满载下，激磁电感的电流工作在CCM/DCM边界（则在其它输入和负载下，均工作在DCM）；并计算该点的占空比： （3）：计算铁芯所需的最小面积积： （4）：选择铁芯：形状：EE10/11-Z，材质为PC40，其参数为： 窗口面积：截面积：面积积为：所以有：； （5）：计算原副边的匝数： 取整数： 取整数：考虑到匝比变化最小，取：，此时的 （6）：计算变压器原边的激磁电感和气隙： （7）：计算原副边绕组的线规： a）：计算原副边绕组的最大有效值电流： b）：计算该开关频率下的单根线线规： 原边绕组取AWG31#，其半径为单根线面积为：副边绕组取AWG31#，其半径为单根线面积为： c）：计算原副边所需的导线根数： 原边绕组取AWG-31一股， 副边绕组取AWG-31六股并绕。 （8）：变压器窗口系数，最大磁密，交流磁密幅度和电流密度的检验： 第二步：确定原边功率MOSFET： （1）： （2）： （3）：选择IRFBC40（600V/6.2A/1.2）作为原边的MOSFET。第三步：确定副边功率二极管： （1）：（2）： （3）：选择30DF2（200V/3A/1.05V）作为副边的二极管。 第四步：设计输出滤波电容：（1）：（2）：（
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