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文档简介

CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻相对较低。 目录 CMOS反相器工作原理 CMOS反相器主要特性 CMOS反相器特点 CMOS反相器工作原理两个MOS管的开启电压VGS(th)P0，通常为了保证正常工作，要求VDD|VGS(th)P|+V GS(th)N。若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。综上所述，当vI为低电平时vo为高电平；vI为高电平时vo为低电平，电路实现了非逻辑运算，是非门反相器。CMOS反相器主要特性 电压传输特性和电流传输特性(1)CMOS反相器的电压传输特性曲线可分为五个工作区。工作区：由于输入管截止，故vO=VDD，处于稳定关态。工作区：PMOS和NMOS均处于饱和状态，特性曲线急剧变化，vI值等于阈值电压Vth。工作区：负载管截止，输入管处于非饱和状态，所以vO0V，处于稳定的开态。(2)CMOS反相器的电流传输特性曲线，只在工作区时，由于负载管和输入管都处于饱和导通状态，会产生一个较大的电流。其余情况下，电流都极小。输入特性和输出特性电源特性CMOS反相器特点 (1) 静态功耗极低。在稳定时，CMOS反相器工作在工作区和工作区，总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。(2) 抗干扰能力较强。由于其阈值电平近似为0.5VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。(3) 电源利用率高。VOH=VDD，同时由于阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3+18V。(4) 输入阻抗高，带负载能力强。维库电子通，电子知识，一查百通！已收录词条37767个更多一周热门词条排行 1LTCC技术 2碱性燃料电池 3全钒氧化还原液流电池 4半导体材料 5液体激光器 6指纹传感器 7光子晶体光纤 8太赫兹波 招聘兼职 招聘词条录入完善人员（可兼职） 任务：完善网站分配的相关任务词条。要求：数据专业真实性，结构合理，需有一定原创组合性。酬劳：通过验证后的词条可得相应酬劳或奖品。在线联系
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