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C-V特性偏置电压U(V)电容C（pF）015.940.117.110.225.310.337.110.448.380.565.710.683.170.71040.81250.9141.31176.21.1217.61.2253.61.3291.61.4358.11.5414.21.6475.51.7517.31.85651.96292681.32.1751.42.2804.52.3864.62.4936.82.510112.610652.711152.811902.91248313143.114103.214483.315433.415923.516803.617343.718253.818493.91903419904.120564.221244.322034.422754.523604.624324.724874.825434.926025265763360740308469095399106033116773127447138116148778159403偏置电压U(V)电容C（pF）016.110.114.590.213.530.312.830.412.260.511.620.611.030.710.640.810.370.910.1119.811.19.621.29.331.39.21.49.061.58.851.68.71.78.591.88.481.98.4228.292.18.162.28.042.37.962.47.882.57.752.67.642.77.592.87.522.97.4537.373.17.283.27.213.37.183.47.093.57.053.66.993.76.943.86.873.96.8546.814.16.764.26.694.36.654.46.624.56.574.66.524.76.484.86.444.96.4156.3766.0575.7785.5595.37105.21115.07124.93134.82144.72154.62164.53174.45思考题：什么是PN结的电容效应？它有哪些应用？答：PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。耗尽层中的电荷量随外加电压变化而改变，形成电容效应，称为势垒电容。通过测量结的势垒电容的特性来测量结的击穿电压。PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结，频率越高则通过越多，这就限制了管子的最高工作频率。一般在制造高频二极管或三极管时，都是通过减小PN结面积或增加PN结厚度来减小这个电容。由于减小结面积不利于大电流通过，提高结厚度则需要时N区和P区扩散的
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