方形扁平无引线QFN封装的研究及展望.doc

“半导体技术”2007年 第32卷 第3期1技术论文“摘要”趋势与展望P185- 方形扁平无引线QFN封装的研究及展望P188- 光纤光栅传感解调系统的研究进展P193- 微晶硅NIP太阳电池P197- 毫米波CMOS集成电路的现状与趋势技术专栏(半导体先进的加工设备)P202- 利用WinSock实现半导体封装设备的通信P205- 故障树分析法在半导体设备故障诊断中的应用现代管理P208- 看板在晶圆厂清洗-炉管间的派工应用及仿真器件制造与应用P213- 钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响P217- 90 nm NMOS器件TDDB击穿特性研究P220- 新型双区阴极结构体效应二极管P223- 高稳定宽光谱掺铒光纤光源P226- AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究工艺技术与材料P230- 调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响P234- (Bi,Yb)4 Ti3O12薄膜退火研究P238- 一种新颖的光罩可制造性规则检查方法与系统集成电路设计与开发P241- 数字水印技术在软IP核保护中的应用P245- 基于March C-算法的SRAM BIST电路的设计P248- 基于FPGA的CPCI和LVDS接口技术及应用封装、测试与设备P252- 半导体器件的贮存寿命P255- 发光二极管失效分析P259- 表面贴装元件识别的一种亚像素边缘检测方法P263- 基于分水岭的分割算法在无损检测中的应用P267- 喷射布胶胶液累积体积及其平均流速数值模拟9趋势与展望方形扁平无引线QFN封装的研究及展望陈建明，翁加林，陈学峰，吾玉珍（苏州固锝电子股份有限公司，江苏苏州）摘要：方形扁平无引线（QFN）封装是方形扁平封装（QFP）和球栅阵列（BGA）封装相结合发展起来的先进封装形式，是SMT技术中产品体积进一步小型化的换代产品。讨论了QFN技术的改进及工艺自动化发展进程，指出其必将成为半导体器件高端主流封装形式之一。光纤光栅传感解调系统的研究进展王宏亮，张晶，乔学光，贾振安，王瑜，马超（西安石油大学 陕西省光电传感测井重点实验室，西安）摘要：光纤光栅传感以其强大的优越性受到了社会的广泛关注，波长编码信号解调是实现光纤光栅多参量、多点分布式传感网络的关键技术。综述了光纤光栅传感信号解调技术的研究进展，对几种较成熟的解调方法的工作机理、特点和性能作了重点分析，分别给出了典型的实验原理图，并对其应用前景作了展望。微晶硅NIP太阳电池俞远高，杨瑞霞，侯国付，薛俊明（.河北工业大学 信息工程学院，天津；.南开大学 光电子薄膜技术与器件研究所，天津）摘要：微晶硅NIP太阳电池具有许多优点，如用于制备柔性太阳电池可极大地扩展太阳电池的应用空间，保护窗口层免受等离子轰击以保持其性能，以及扩大窗口层的光学带隙提高太阳电池的开路电压和短路电流等。综合介绍了微晶硅NIP太阳电池的基本原理、研究现状、存在的问题并展望其发展前景。毫米波CMOS集成电路的现状与趋势夏立诚，王文骐，祝远渊（上海大学 通信与信息工程学院，上海）摘要：随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟，设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状，介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术，即晶体管建模和传输线建模，并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。技术专栏(半导体先进的加工设备)利用WinSock实现半导体封装设备的通信徐震，王晓初，何永基，易理告（.广东工业大学 机电工程学院，广州；.艾逖恩控股有限公司，广东深圳）摘要：Socket接口是TCP/IP的API, TCP/IP网络中的应用程序，是通过Socket实现的。WinSock是一套开放的、支持多种协议的Windows下的网络编程接口。介绍了利用WinSock进行网络编程的一般方法，并在此基础上解决了半导体封装设备使用TCP/IP协议进行网络实时通信的问题，实现了在服务器和客户机两端准确方便地实时发收文件和互相通信，并测试了发收不同大小文件所消耗的平均时间。故障树分析法在半导体设备故障诊断中的应用姚刚（中国电子科技集团公司 第十三研究所，石家庄）摘要：介绍了故障树分析法的原理。以反应离子刻蚀（RIE）设备的典型故障为例，建立故障树，通过求解最小实际故障来进行定性分析。尝试扩展故障树在故障判断和改进真空系统可靠性方面的应用，得出几个有针对性的结论。该方法能提高故障诊断的效率和准确性。现代管理看板在晶圆厂清洗-炉管间的派工应用及仿真彭佳，钱省三（上海理工大学 工业工程研究所微电子发展研究中心，上海）摘要：看板是实现拉式派工的有效工具，它可以用于晶圆制造厂清洗区和炉管区之间的动态派工。用Extend仿真建模软件建立了有“重入特性”的晶圆厂仿真模型。通过晶圆厂仿真模型进行模拟，结果显示看板可以解决晶圆生产在清洗工艺后存在违反“等待时间限制”的情况，可以显著提高炉管设备的利用率，并且明显降低产品的生产周期时间。器件制造与应用钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响杜鹏搏，蔡克理，蔡树军（.武汉大学 物理科学与技术学院，武汉；.中国电子科技集团公司 第十三研究所，石家庄）摘要：利用光刻胶形成保护侧墙，用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单，不需要额外的绝缘介质作为掩膜，也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管（SHBT），并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比，结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性，对器件的高频特性无明显影响。90 nm NMOS器件TDDB击穿特性研究周鹏举，马晓华，曹艳荣，郝跃（西安电子科技大学 微电子学院，西安）摘要：采用恒定电压应力对90 nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验，深入研究了90 nm情况下TDDB的击穿机理，并对器件寿命进行预测和分析。结果表明，随着栅厚的不断减薄，E和1/E寿命预测模型不再适用。本文提出了一个器件寿命的修正模型，并按此模型对NMOS器件寿命进行预测，结果和实际值取得了很好的一致。新型双区阴极结构体效应二极管张晓（南京电子器件研究所，南京）摘要：常规的GaAs体效应二极管的阴极结构多采用欧姆阴极，在毫米波频段（W 波段），器件的转换效率小于1%。介绍了一种新型的双区阴极结构在波段体效应二极管中的实现，并研制出了样品器件。采用此种结构，可以显著提高毫米波器件的输出功率和转换效率。高稳定宽光谱掺铒光纤光源魏爱新，李旭辉，汤炜（河北半导体所，石家庄）摘要：介绍了掺铒光纤光源的工作原理以及在小体积情况下制作EDFS时，铒纤长度的优化，提高输出光谱的平坦度，提高平均波长稳定度的方法。最后给出了实验样品的测试结果。AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究严地，罗谦，卢盛辉，靳羽中，罗大为，周伟，杨谟华（电子科技大学 微电子学与固体电子学学院，成都）摘要：通过计算沟道电场的分布，研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现，有受主陷阱的条件下，漏端出现电场峰值，栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0V, Vd=60V,受主陷阱浓度NA=11017cm-3时，栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响，当击穿电压大于某个电压时，漏端电场峰值超过栅端电场峰值，此时，击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。工艺技术与材料调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响许敏，袁凤坡，陈国鹰，李冬梅，尹甲运，冯志宏（.中国电子科技集团公司 第十三研究所宽禁带重点实验室，石家庄；.河北工业大学 信息工程学院，天津）摘要：利用范德堡Hall方法和汞探针CV方法，研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaN HEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能，二维电子气（2DEG）面密度和方块电阻（ns）可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为31018 cm-3时，得到了最低的方块电阻360/。尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响，迁移率仍可达1220 cm2/(Vs)。分析了范德堡Hall方法和汞探针CV方法的差别，同时测得材料的阈值电压也在合理范围。 (Bi,Yb)4 Ti3O12薄膜退火研究成传品，唐明华，叶志，周益春，郑学军（湘潭大学 材料与光电物理学院低维材料及其应用技术教育部重点实验室，湖南湘潭411105）摘要：采用溶胶凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4 Ti3O12 Bi3.4Yb0.6Ti3O12, BYT 铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能（剩余极化强度）的影响。揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响，给出了最佳退火温度为700 左右。一种新颖的光罩可制造性规则检查方法与系统李峥，程秀兰，黄荣瑞（.上海交通大学 微电子学院，上海；中芯国际集成电路制造有限公司光罩厂，上海）摘要：介绍了一种较为先进的光罩可制造性规则检查的方法及其系统构成。实验结果表明，通过整合各种EDA工具，在光罩检验前就可发现这些可能给光罩检验造成困难的图形，为后续光罩检验步骤提供参考，显著提高了光罩检验的效率。集成电路设计与开发数字水印技术在软IP核保护中的应用王玮，王福源（郑州大学 信息工程学院，郑州）摘要：电路软核因费用较低和使用灵活而得到越来越多的应用，但目前的大部分加密方式不适合软核。介绍了一种适用于软IP核设计开始时采用的数字水印嵌入方法，并以4-2编码器为例说明数字水印嵌入软核的方法，并对水印化后电路的性能和开销进行了分析和实验。基于March C-算法的SRAM BIST电路的设计须自明，苏彦鹏，于宗光，（.江南大学 信息工程学院，江苏无锡，；.中国电子科技集团公司 第五十八研究所，江苏无锡，）摘要：针对某SOC中嵌入的8K SRAM模块，讨论了基于March C-算法的BIST电路的设计。根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率，研究了测试算法的选择、数据背景的产生，并完成了基于March C-算法的BIST电路的设计。实验证明，该算法的BIST实现能大幅提高故障覆盖率。基于FPGA的CPCI和LVDS接口技术及应用王晓君，宇文英，罗跃东（.北京理工大学 电子工程系，北京；.中国网通（集团）有限公司石家庄市分公司，石家庄）摘要：CPCI总线为不同应用的高速数字系统提供了一个通用、开放的平台，它充分发挥了PCI总线的高性能、低成本、通用操作系统等特点，而LVDS接口技术无疑也将成为解决高速数字系统数据传输的首选方案。提出了一种基于FPGA实现CPCI总线接口与LVDS接口的新方法，CPCI总线与自定义LVDS接口相结合，在不降低系统通用性的前提下，提高了系统实时并行处理能力。由于所有接口均由FPGA来实现，因此提高了系统的可重构性。封装、测试与设备半导体器件的贮存寿命张瑞霞，徐立生，高兆丰（中国电子科技集团公司 第十三研究所，石家庄）摘要：从失效机理出发，探讨了半导体器件的贮存寿命，提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例。介绍了俄罗斯的规范，建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订。发光二极管失效分析蔡伟智（厦门三安电子有限公司，福建厦门）摘要：基于发光二极管（LED）所具有的特点，系统地总结出一套发光二极管失效分析方法，并给出了几个典型失效分析案例，简要阐述了失效分析过程中的注意事项。通过失效分析，进一步优化和改善了LED的制造技术，达到提高质量和可靠性的目的。该方法在失效分析过程中具有一定的指导意义。表面贴装元件识别的一种亚像素边缘检测方法王姗，高红霞（华南理工大学 自动化科学与工程学院，广州）摘要：亚像素算法是一种高精度的边缘检测算法。分析了亚像素边缘检测的原理及现有算法的优缺点，根据现有用亚像素对表面贴装元器件图像检测的算法，提出了三次样条插值的亚像素算法进行边缘提取。通过实验比较，认为该方法提高了边缘提取的精度，满足了贴片机视觉检测的要求。基于分水岭的分割算法在无损检测中的应用柴黎，王明泉（.中北大学 仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原；.清华大学 工程物理系，北京）摘要：通过分析焊接缺陷射线检测方法的现状和目前存在的主要问题，针对缺陷图像的模糊特点和实际应用的要求，提出了一种基于动态合并准则的分水岭分割方法。阐述了在分水岭算法的基础上做的一些改进，其内容是通过动态合并准则进行边分割边合并的方法，有效地抑制了过分割现象