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当Ib小到截止后,集基极间反偏得很历害时,集基间电子的漂移电流加剧,由于Rc分压结果导致,Vo下降,从而又反过来导致漂移运动减缓,从而Vo又上升,从而产生了震荡。如采用钳位(或自举后),因Vce锁住较高,加上负半周电压幅值过大,导致Vbc间反偏电压过大,从震荡更易产生。但如采用镜流源负载后,即可避免这现象吗?此处震荡频率约为:当信号f=1KHz时,T=100/5=20us,f=1/(20*1000000)=0.05*1000000=50*1000=50KHz另一种状态时Q点改变:如下当信号频率为f=10KHz时,当信号频率由1KHz变为10KHz, f=500KHz,如上但信号频率由10KHz变为100KHz时,信号频率由1KHz变为5000KHz,如图 如采用镜像电流源作为负载呢?如下,依然震荡在约为一个信号周期内,比信号频率多50倍,即约为:50倍的信号周期,托载在直流倍号上,峰值不变,但就震荡波交流幅值变大,f越大,能量越强(错误:可能由于三极管BC间寄生了电感效应:寄生电感与漂移运动体电阻和Cbc极间电容产生了RLC振荡,达到动态平衡,因为:加了电流耦合出时,并未改变震荡频率;只是起到了滤波效果,减小了幅值)。如在BC间加钳位二极管,进行Vbc反偏时的钳位及放电呢?是否可以减小震荡?实验如下:采用高频电阻耦合出来,再用示波器分析一下震荡波形。如下:加了电流耦合出时,并未改变震荡频率;只是起到了滤波效果,减小了幅值。当加下耦合电容时,便又寄生了原倍号频率的方波振荡等。此振荡或许为:RC震荡或RLC震荡了。如图:参见高频电子第二章(学习TL494cn目录下)有理论解答了。把Vbe反偏时,产生的失
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