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考试科目829数字电路与模拟电路考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目数字设计原理与实践(第三版) John F.Wackerly 机械工业出版社 2003年模拟电路基础 刘光祜 电子科技大学出版社一、数字电路逻辑关系的表达和基本化简方法掌握组合逻辑关系的基本表示方法:真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图已知一种表达形式,能够将其转换为其他形式逻辑关系式的化简: 掌握逻辑关系式的标准表达式(最小项和式);掌握卡诺图化简的方法,能够得出最简与或式(最简积之和表达式);掌握利用无关项进行化简的方法;组合逻辑部分组合电路分析: 对于已知电路图,写出逻辑表达式,作出卡诺图和真值表,指出各端口功能;对于已知电路图,利用卡诺图分析竞争冒险问题;简单组合电路的设计(SSI): 对于给定设计要求,能够建立真值表或函数关系式;对于给定的真值表或函数关系式,能够利用卡诺图得出最简与或式,并采用基本的门电路进行连接,画出对应的逻辑电路图; 要求掌握下列设计实例:数据判断电路(4输入)、二进制译码器、数据选择器、全加器利用集成组合电路进行设计(MSI): 掌握集成二进制译码器、集成数据选择器的基本输入输出特点和级连扩展方法; 能够采用集成二进制译码器和集成数据选择器进行一般组合电路的设计;时序逻辑部分时序电路的分析 掌握JK触发器和D触发器的特性方程;对于已知时序电路图,能够写出对应的驱动方程、输出方程;能够利用写出的驱动方程结合对应触发器的特性方程得到时序电路的状态方程;能够根据电路的状态方程作出状态/输出表,并由此画出状态转换图;能够根据状态方程或状态转换图,讨论该时序电路的基本功能和特点。 基本时序电路的设计(SSI)有限状态机设计:能够通过对设计要求的分析建立状态转换图或状态/输出表;利用状态/输出表,通过相应的卡诺图得出最简单的激励方程与输出方程;(上述化简应分别考虑采用JK触发器的情况和采用D触发器的情况,各方程均应为最简与或式)根据激励方程与输出方程画出相应的逻辑电路图。 要求掌握下列设计实例:一般计数器、序列发生器、序列信号检测器; 利用集成时序电路进行设计(MSI): 掌握集成计数器、集成移位寄存器的基本输入输出特点和级连扩展方法; 能够通过对集成计数器的端口设计实现任意指定进制的计数器; 能够根据要求,进行移位寄存器型计数器的设计:设计相应的反馈组合电路;附:需要掌握的常用集成电路74138 3-8线二进制译码器74153 双4选1数据选择器74160/2 十进制计数器74161/3 4位二进制加法计数器74194 4位多功能移位寄存器必须掌握上述电路的各端口的功能,扩展及使用方法。二、模拟电路第一章 晶体二极管及应用电路1、半导体基础知识(了解):本征半导体与杂质半导体(P型与N型),本征激发与复合,杂质电离,空穴导电原理,多子与少子,漂移电流与扩散电流的概念。PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义,PN结的单向导电特性,不对称PN结。2、二极管特性(了解):二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性,二极管导通电压与反向饱和电流,二极管的直流电阻与交流电阻(估算式),硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性;二极管的电容效应。3、二极管应用(掌握):二极管模型:理想二极管模型;恒压源模型;二极管折线模型。二极管单向导电特性应用:半波与全波整流电路;单向与双向限幅电路;二极管开关电路。二极管反向击穿特性应用:稳压电路的稳压原理,简单稳压电路的分析与计算,稳压二极管的串并联等效。第二章 双极型晶体管(BJT)1、BJT原理(了解)NPN和PNP管的放大偏置,放大偏置时内部载流子传输(一般了解),放大偏置的外电流关系,放大偏置时的vBE、vCE作用(正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应),BJT的截止与饱和状态。2、BJT静态伏安特性曲线(掌握)共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点。3、BJT参数(掌握) , , ICBO, ICEO , ICM ,PCM ,BVCEO 和 fT的含义BJT管型判别和BJT的放大、截止与饱和状态判别。4、BJT模型(掌握)BJT的小信号等效模型:简化模型(g m参数和参数模型)及其模型参数的求解式。BJT的混合等效模型:会画完整模型和了解模型参数的物理含义。第三章 晶体管放大器基础1、放大器的一些基本概念(正确理解) 信号源(内阻,源电压,源电流),负载电阻,输入输出电压(电流),耦合电容与旁路电容,直流通路与交流通路,交流地,工作点,小信号放大过程。2、BJT偏置电路(掌握)掌握工作点的估算,基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。3、BJT三种基本组态放大器(掌握)小信号放大器指标(正确理解):端增益,源增益,输入与输出电阻,管端输入与输出电阻。CE、CC、CB放大电路、指标及特点(掌握特等电路分析法,记公式)。交流负载线,放大器动态范围,截止与饱和失真(针对CE放大器)。4、多级放大器(掌握) 级间耦合方式,直流放大器的特殊问题,放大器通用模型,多级放大器指标计算。第四章 场效应管(FET)及基本放大电路1、FET原理(了解)了解FET的分类、电路符号,了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理,放大区的沟道状态及vGS和vOS此时对iD的影响2、FET特性曲线(掌握)以N沟道JFET为重点,了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区的平方律公式。3、FET偏置电路(自给偏压和混合偏置)(掌握)掌握工作点的估算方法,了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。4、FET的小信号模型(掌握)理解gm的含义及计算式,理解rds含义,完整模型和低频模型。5、FET的CS和CD组态放大器(掌握)放大器电路、指标计算及特点。第五章 模拟集成单元电路1、恒流源(理解电路原理和特点) 恒流源电路的原理和模型,基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点,有源负载放大器原理。2、差动放大器(重点掌握基本概念和分析方法) 差放的信号分解(vic、vid与任模信号关系),各种差放电路,工作点估算,差放的指标(Avd,Avc,KCMR,Rid,Ric , Ro)及用单边等放电路法求指标,差放抑制零漂的原因,差放的小信号范围及大信号限幅特性(了解)。3、OCL和OTL功率输出电路(掌握)功放的分类,乙类功放优于甲类功放的特点,乙类功放的交越失真及克服方法。OCL和OTL电路原理及满激励指标(掌握),功率管极限参数(ICM ,PCM ,BVCEO)对OCL和OTL功放的限制,实用电路分析(定性),复合管(正确复合方式)。第六章 放大器的频率响应1、放大器频率响应的概念及描述(了解) 产生频率响应的原因,放大器频率特性函数,fL 、fH 、BW的定义,幅频特性和相频特性函数,频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真的区别,对数频率特性曲线波特图的概念。放大器的增益函数,零、极点(了解)。2、放大器的低、高频截止频率的估算(掌握) 用短路时间常数法估算fL,用开路时间常数法估算fH。第七章 负反馈技术1、单环理想模型(了解) 基本概念:原输入xs、净输入xi和反馈信号xf ,A放大器、B网络, 开环增益A与Af闭环增益,反馈系数B,反馈深度F,环路传输系数T,基本反馈方程,正反馈与负反馈,深度负反馈。四种反馈类型及其双口网络模型。2、实际反馈放大器类型及极性的判断(掌握)3、负反馈对放大电路的影响(定性了解) 了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用4、在深负反馈条件下正确计算Af和Avsf(掌握)5、负反馈放大器的稳定性(掌握)产生自激振荡的原因,自激条件,用已知的T(j)和A(j)的波特图判断稳第八章 集成运算放大器及应用1、集成运放电路组成及特点(定性了解)2、了解集成运放的主要参数:Avd,KCMR,Rid, Ro ,BWG ,SR,VIO ,d VIO/dT,Iio ,d Iio/dT3、理想运放分析法(重点掌握) 虚短路与虚开路法则,理想运放分析法成立的原因,两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。4、运放的线性应用电路(重点掌握) 代数和运算电路,差动放大器,积分器与微分器,运用理想运放分析法分析各种实用的线性应用电路。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目830数字图像处理考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目数字图像处理 阮秋琦 电子工业出版社 2005年一、考试内容(1)数字图像处理基础基本概念、像素间的关系等。(2)空间域增强灰度级变换、直方图处理、空间平滑/锐化滤波器。(3)频域增强2D傅立叶变换、频域平滑/锐化滤波器。(4)图像复原噪声模型、空间域复原滤波器、Wiener滤波器、约束最小二乘滤波器、几何变换、图像配准、插值。(5)形态学处理腐蚀与膨胀、开闭运算、基本形态学算法。(6)图像分割间断检测、边界连接与边缘检测、阈值分割、基于区域的分割、形态学水分岭分割、运动在分割中的应用。(7)表示与描述边界的表示、边界的描述、区域的描述。二、考试要求(1)掌握图像处理中常见的基本概念;(2)掌握图像空间域/频域处理(增强)方法;(3)掌握图像空间复原滤波器、几何变换、基于控制点的配准方法、插值、Wiener滤波器、约束最小二乘滤波器;(4)掌握基于边界的分割方法、阈值分割;(5)掌握图像形态学处理及其基本算法;(6)掌握边界表示与描述、区域的描述。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目831通信与信息系统考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目信号与系统(第二版) A.V.Oppenheim 西安交通大学出版社 2000年SIGNALS AND SYSTEMS A.V.Oppenheim 电子工业出版社数字与模拟通信系统 Leon W.Couch,II 电子工业出版社Digital and Analog Communication Systems(第六版) Leon W.Couch,II 科学出版社现代通信原理 曹志刚 清华大学出版社大纲内容:一、通信原理部分第三章基带脉冲与数字信号32 脉冲幅度调制PAM 采样定理 自然采样 瞬时采样33 脉冲编码调制 PCM的构成与基本原理 PCM的参数选择与计算 PCM的性能指标34 数字信号35 线路码及其频谱 常用线路波形、功率谱、频谱效率、带宽等特性及其参数运算36 码间串扰 奈奎斯特第一定理及其应用 升余弦滚降滤波器特性及其应用第四章带通信号原理及电路41 带通信号的复包络表示42 已调信号的表示方法43 带通信号的频谱44 信号功率计算第五章AM、FM及数字调制系统51 幅度调制(AM)53 抑制载波双边带调制(DSB-SC)55 非对称边带信号(SSB)56 相位调制与频率调制59 二进制数字调制510 多进制数字调制511 MSK及GMSK第六章随机过程与谱分析68 匹配滤波器第七章噪声环境下通信系统的性能71 二进制信号的误码率72 二进制基带系统性能分析73 二进制带通信号的相干检测74 二进制带通信号的非相干检测75 正交相移键控及最小频移键控77 PCM系统的输出信噪比分析78 模拟系统的信噪比分析二、信号与系统部分:第一章:信号与系统 1.0引言 1.1连续时间和离散时间信号 1.2自变量的变换 1.3指数信号与正弦信号 1.4单位冲激与单位阶跃函数 1.5连续时间和离散时间系统 1.6基本系统性质 1.7小结 第二章:线性时不变系统 2.0引言 2.1离散时间LTI系统:卷积和 2.2连续时间LTI系统:卷积积分 2.3线性时不变系统的性质 2.4用微分和差分方程描述的因果LTI系统 2.5奇异函数 2.6小结 第三章:周期信号的傅立叶级数表示 3.0引言 3.1历史回顾 3.2LTI系统对复指数信号的响应 3.3连续时间周期信号的傅立叶级数表示 3.4傅立叶级数的收敛 3.5连续时间傅立叶级数性质 3.8傅立叶级数与LTI系统 3.9滤波 3.10用微分方程描述的连续时间滤波器举例 3.11用差分方程描述的离散时间滤波器举例 3.12小结 第四章:连续时间傅立叶变换 4.0引言 4.1非周期信号的表示:连续时间傅立叶变换 4.2周期信号的傅立叶变换 4.3连续时间傅立叶变换性质* 4.4卷积性质4.5相乘性质4.6傅立叶变换性质和基本傅立叶变换队列表* 4.7由线性常系数微分方程表征的系统 4.8小结 第五章:离散时间傅立叶变换 5.0引言 5.1非周期信号的表示:离散时间傅立叶变换 第六章:信号与系统的时域和频域特性 6.0引言 6.1傅立叶变换的模和相位表示6.2 LTI系统频率响应的模和相位表示 6.3理想频率选择性滤波器的时域特性 6.4非理想滤波器的时域和频域特性讨论 6.5一阶和二阶连续时间系统 6.6一阶和二阶离散时间系统 6.7系统的时域分析与频域分析举例 6.8小结 第七章:采样 7.0引言 7.1用信号样本表示连续时间信号:采样定理 7.2利用内插由样本重建信号7.3欠采样的效果:混叠现象 7.6小结 第八章:通信系统 8.0引言 8.1复指数与正弦幅度调制 8.2正弦AM的解调8.3频分多路复用 8.4单边带正弦幅度调制 8.5用脉冲串作载波的幅度调制 8.6脉冲幅度调制 8.9小结 第九章:拉普拉斯变换 9.0引言 9.1拉普拉斯变换 9.2拉普拉斯变换收敛域 9.3拉普拉斯变换反变换 9.4由零极点图对傅立叶变换进行几何求值 9.5拉普拉斯变换的性质 9.6常用拉普拉斯变换对9.7用拉普拉斯变换分析和表征LTI系统9.8系统函数的代数属性与方框图表示9.9单边拉普拉斯变换 9.10小结 第十章:Z变换 10.0引言 10.1Z变换 10.2Z变换的收敛域 10.3Z反变换 10.4由零极点图对傅立叶变换进行几何求值 10.5Z变换的性质 10.6几个常用Z变换对10.7利用Z变换分析与表征LTI系统10.8系统函数的代数属性与与方框图表示10.9单边Z变换 10.10小结 电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目832微电子器件考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目晶体管原理与设计(第二版) 陈星弼 电子工业出版社 2006年大纲内容:一维形式的半导体器件基本方程,基本方程的主要简化形式。突变结与线性缓变结的定义,PN结空间电荷区的形成,耗尽近似与中性近似,耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算,PN结在正向及反向电压下载流子的运动情况、耗尽区宽度、能带图、少子分布图与伏安特性,反向饱和电流的计算及影响因素,正向导通电压,薄基区二极管的特点,大注入效应,PN结的交流小信号参数与等效电路,势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点,PN结的开关特性与少子存储效应,PN结雪崩击穿的机理,雪崩击穿电压的计算及影响因素,齐纳击穿的机理及特点,热击穿的机理及防止热击穿的措施。双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图,基区输运系数的定义及计算、发射结注入效率的定义及计算、共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算,基区渡越时间的概念及计算,缓变基区晶体管的特点,小电流时电流放大系数的下降,发射区重掺杂效应,晶体管的直流电流电压方程,晶体管的直流输出特性曲线图,基区宽度调变效应,晶体管各种反向电流的定义与测量,各种击穿电压的定义与测量,基区穿通效应,方块电阻的概念及计算,晶体管的直流小信号参数,晶体管电流放大系数与频率的关系,组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数,高频晶体管特征频率的定义、计算与测量,高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算,影响特征频率与功率增益的因素。绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的类型、基本结构与工作原理,MOSFET阈电压的定义、计算与测量,影响阈电压的各种因素,阈电压的衬底偏置效应、MOSFET在非饱和区的简化的直流电流电压方程,MOSFET饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算,MOSFET的直流输出特性曲线图,MOSFET的有效沟道长度调制效应, MOSFET的直流参数及其温度特性,MOSFET的各种击穿电压,MOSFET的小信号参数、高频等效电路及其频率特性,MOSFET跨导的定义与计算以及影响跨导的各种因素,MOSFET的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目833无机化学考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目无机化学 武汉大学 高等教育出版社第一部分 无机化学中的基本理论第一章 绪论了解无机化学的内容、目的、研究方法、与发展前景。第二章 物质的状态了解物质聚集状态,掌握理想气体与实际气体的运动方程、气体的分压定律与扩散定律。了解这些定律在实际中的应用。第三章 原子结构了解氢原子光谱,掌握玻尔理论的基本要点、成功点与不足。了解核外电子的运动状态的描述方法。掌握波函数和原子轨道,几率密度与电子云,重点掌握波函数与电子云的径向分布图和角度分布图、四个量子数等基本概念,会用四个量子数描述核外电子的运动状态。必须掌握核外电子排布规律、以及它元素周期系之间的关系。重点掌握元素性质(原子半径、电负性、电离能、电子亲合能等)与原子结构的关系(即在周期表中的变化规律)。第四章 化学键与分子结构了解化学键的基本含义、特征等;了解离子键、离子的形成过程、掌握离子键理论、离子,离子晶体、晶格能等基本内容,重点掌握离子半径比与配位数之间的关系、离子键的离子性百分数表示及计算方法。了解共价键理论的形成与基本特征,必须掌握价键理论、杂化轨道理论、价层电子对互斥理论的基本内容,以及利用这些理论来判断分子的空间结构;了解分子轨道理论的基本内容,必须掌握同核双原子分子(如N2、O2、F2、C2)的分子轨道能级图、异核双原子分子(如HF、CO、NO等)的分子轨道能级图。掌握金属键理论与金属晶体;掌握分子间作用力和氢键;了解分子晶体和原子晶体。掌握键参数的基本内容、表示方法、和实际应用。第五章 氢和稀有气体了解氢元素在自然界中的存在;掌握氢元素的成键特征;掌握氢基本化学性质与氢化物;掌握氢的制备方法与应用;了解氢能源和稀有气体发现的科学意义;重点掌握稀有元素的重要反应及其主要价态化合物;理解稀有元素的成键特征及其解释。第六章 化学热力学初步了解化学热力学的基本内容和在化学中的应用;理解热力学中常用的术语(如体系、环境、状态函数、 U、W、H、S、G等);掌握热力学第一定律及计算,盖斯定律及热化学有关的计算;必须掌握化学反应的自发性及其判断,以及吉布斯赫姆霍兹方程及相关计算(如利用该方程讨论反应条件)。 第七章 化学反应速率(选讲)了解化学反应速度的概念;理解反应速度理论简介,掌握化学反应速率的表示方法和影响化学反应速度的因素;掌握阿仑尼乌斯方程式;理解催化剂的有关知识。第八章 化学平衡理解化学平衡的基本含义和特征;必须掌握平衡常数与反应自由能变的关系;掌握化学平衡移动原理,以及移动方向的判定方法与依据;了解影响化学平衡的基本因素和化学平衡原理在实际中的应用。第九章 溶液(选讲内容)了解分散体系的分类和溶液的基本特征;掌握溶液浓度的表示方法;掌握溶解度原理;理解影响物质溶解性的因素;掌握非电解质稀溶液的依数性的基本内容与相关计算;理解它产生的原因;了解非电解质稀溶液依数性在实践中的应用。掌握溶胶的制备方法与基本性质;理解溶胶的聚沉和稳定性。了解溶胶在实际中的应用。第十章 电解质溶液了解电解质溶液的基本性质和分类;掌握水溶液中弱电解溶液理论;理解强电解溶液理论;掌握电离平衡常数、离子氛、离子活度与活度系数、离子强度等基本概念;了解水溶液中酸碱性划分的标准;掌握水的离子积、pH值的含义和相关计算;了解酸碱指示剂;必须掌握弱酸和弱碱的电离平衡相关计算(重点在一元弱酸和一元弱碱);理解影响电解质电离平衡的因素,掌握同离子效应、盐效应对平衡的影响;了解缓冲溶液的作用原理,掌握缓冲溶液的相关计算和配制使用。理解酸碱理论的发展,掌握不同酸碱理论下酸碱的基本含义(如布朗酸碱概念;路易斯酸碱概念),了解酸碱强度的表示方法;掌握难溶性强电解质的溶解-沉淀平衡基本内容,必须掌握溶度积与溶解度之间的关系,以及利用溶度积的相关计算;了解沉淀-溶解平衡的移动和在实践中的应用。理解盐类水解的基本内容,掌握盐类水解强度的表示方法与相关计算;了解影响盐类水解的因素和实际应用。第十一章 氧化还原反应理解氧化还原反应的基本概念(包括氧化值概念);掌握及配平氧化还原反应方程式的方法;了解电极电势的产生;掌握电极的种类、表示方法与特征;了解标准电极电势概念和使用;掌握电池电动势与化学反应Gibbs自由能变化的关系;了解影响电极电势与电动势的元素;必须掌握能斯特方程式及相关计算(如电池电动势与各种平衡常数之间的相关计算)。掌握电极电势、电势图的应用;了解原电池与电解池的区别,掌握法拉第定律;了解化学电源简介,重点在燃料电池及其他新型电池。第二部分 元素化学与配位化学等一、元素化学1、S区和p区元素:了解A、A、A、A、A、A、A元素在自然界中的存在,掌握它们的基本性质,及其重要化合物的制备、重要反应和应用;掌握常见化合物的分离、鉴定等。了解它们在实际中的应用。2、ds区元素了解B、B族元素在自然界中的存在,掌握的基本性质,及其重要化合物的制备、重要反应和应用;掌握常见化合物的鉴定、Hg22+与Hg2+的转化等。了解Hg的安全使用。3、过渡元素了解过渡元素在自然界中的存在,掌握它们之间的性质规律(第一过渡系列元素为主)及其主要价态化合物。重点掌握,Ti、Cr、V、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Pt的基本性质,及其重要化合物的制备、重要反应和应用;掌握常见化合物与离子的分离和鉴定方法等。了解它们的重要化合物在实际产生和生活、工作中的应用。4、镧系元素及阿系元素简介(选讲)了解该类元素和它们的化合物的基本性质和实际应用。二、配位化学了解配位化合物的基本特征;掌握配位化合物的基本概念:定义、组成、命名;理解配位数、中心体、内界、外界等概念;掌握配位化合物的立体异构现象的基本含义、分类、实践应用价值;了解配位化合物的化学键理论的基本内容(价键理论、晶体场理论、分子轨道理论);必须掌握配合物形成内外轨化合物的条件、方式和特征等;理解配合物的价键理论对配合物性质的解释;必须d轨道在八面体和四面体场中的分裂形式、分裂能、晶体场稳定化能、高低自旋态等基本内容;理解配位化合物的稳定性的描述;必须掌握与稳定性(稳定常数等)有关的计算。了解配位化合物的实际应用与配位化合物的发展前景。三、其他内容1、核化学了解核衰变、放射性衰变动力学,、核裂变;理解原子核的稳定性。2、无机化合物性质变化的规律掌握无机化合物的酸碱性、热稳定性、氧化还原性、溶解性、颜色变化规律(即在周期表中的变化关系、与结构的关系);了解这些规律在实际中的应用;了解无机化合物颜色产生的原因。3、生物无机化学简介了解生物体中的元素及其作用、金属蛋白与金属酶;理解生物金属的重要生物学效应。了解生物无机化学的发展。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目834物理化学考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目物理化学(第四版) 傅献彩 高等教育出版社1掌握热力学第一定律、卡诺循环、化学反应热的计算、基尔霍夫定律;2掌握热力学第二、三定律、各热力学函数的计算、各热力学函数的关系、克拉贝龙方程及其应用、多组分体系的偏摩尔量及化学势;3掌握理想、非理想气体、溶液化学势的计算、稀溶液化学势的应用;4掌握相平衡的基本原理、二、三组分体系相图的识别;5掌握不同化学平衡常数表示法之间的关系、不同条件对化学平衡的影响关系;6掌握摩尔电导率与溶液浓度的关系、离子独立移动定律、电导测定的应用;电解质平均活度及活度系数的计算;7掌握可逆电池的热力学、可逆电池电动势计算及其应用;8掌握超电势的原理及计算、溶液中不同成分的分离原理;9掌握简单级数反应动力学方程及应用、三种复杂反应的动力学方程、阿仑尼乌斯公式及其应用、直链反应历程的验证、光化学及催化化学反应动力学;10掌握弯曲表面的附加压力及蒸气压的计算、固体表面的吸附、气固表面催化反应动力学。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目835线性代数考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目高等代数 北京大学 高等教育出版社1. 行列式:掌握行列式的基本计算方法与行列式的性质,理解和运用拉普拉斯定理与行列式的乘法定理,能应用克兰姆法则解非齐次线性方程组。2.线性方程组:能熟练使用消元法,了解n 维向量空间中的各种基本概念,掌握求矩阵秩的方法,掌握求解一般线性方程组的典型方法。3.矩阵:掌握矩阵的各种运算,理解和运用关于矩阵乘积的秩的定理,了解矩阵的分块与初等矩阵,掌握矩阵的初等变换和求矩阵逆的方法。4.二次型:掌握化二次型为标准形的方法及其矩阵的合同变换,了解唯一性,能判定二次型的正定性。5.线性空间:理解线性空间的各种基本概念(线性运算,维数、基与坐标,基变换,线性子空间),掌握子空间的交、和与直和的运算,了解线性空间的同构概念。6.线性变换:掌握线性变换的各种运算及其对应的矩阵运算,掌握计算特征值与特征向量的基本方法以及化矩阵为对角形的方法,了解线性变换的值域、核与不变子空间。7. 欧几里德空间:认识欧氏空间及其子空间的基本性质,掌握标准正交基的求法,理解正交变换的性质,掌握化对称矩阵为标准形的方法,了解同构的概念与最小二乘法。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目836信号与系统和数字电路考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目SIGNALS AND SYSTEMS A.V.Oppenheim 电子工业出版社脉冲与数字电路 万栋义 电子科技大学出版社脉冲与数字电路 王毓银 高等教育出版社信号与系统 何子述 高等教育出版社信号与系统分析 张明友 电子工业出版社信号与系统复习考研例题详解 张明友 电子工业出版社 2001年考试范围:信号与系统部分(60)熟练掌握信号的定义和分类,信号的基本运算,奇异信号的概念和运算性质;熟练掌握系统的定义,系统的性质。了解线性时不变系统的数学描述、零输入响应和零状态响应的概念;熟练掌握系统冲激响应的定义及对系统特性的描述;能熟练进行卷积和、卷积积分计算,熟练掌握卷积的运算性质。深刻理解连续时间信号傅立叶级数分解和傅立叶变换的物理意义,熟练掌握和能灵活应用傅立叶变换的性质;掌握系统频率响应定义及相关概念;熟练掌握信号的滤波、调制、采样、恢复及采样定理等理论;掌握希尔伯特变换。掌握双边拉氏变换的定义、收敛域的概念、傅氏变换与拉氏变换的关系;熟练掌握双边拉氏变换的性质;熟练掌握连续时间系统函数及与系统特性的关系;能熟练地用双边或单边拉氏变换理论求系统(和电路)响应;熟练掌握连续时间系统的方框图描述;能根据系统函数建立连续时间系统状态方程。掌握双边z变换的定义和收敛域概念,熟练掌握双边z变换的性质;熟练掌握离散时间系统函数及与系统特性的关系;能熟练地用双边或单边z变换求系统响应;熟练掌握离散时间系统的方框图描述;能根据系统函数建立离散时间系统状态方程。数字电路部分(40)一、大纲依据:根据“数字逻辑设计及应用”课程教学大纲有关要求和有关专业技能培养目标的需求为依据设定。二、大纲内容:主要包括数字电路基础知识、概念与定理体系;组合电路、时序电路分析与设计;综合分析与应用三大部分。1、数字电路基础知识、概念与定理体系(20%)主要考评考生对于数字电路基础知识、概念的理解掌握程度以及对数字逻辑定理体系的掌握与运用能力。主要内容有:二进制数的表达、转换与运算;逻辑函数的基本表达方式及相互的转换;数字逻辑定理的表述、证明和运用;组合逻辑最简表达与静态冒险问题;组合电路、时序电路的基本特性等。2、组合电路、时序电路分析与设计(50%)主要考评考生对以逻辑门、基本时序元件为基础的数字组合电路、时序电路分析设计的基本技能的掌握程度,分析、设计过程的规范表达能力。主要内容有:以逻辑门、基本时序元件为基础的数字组合电路、时序电路分析;利用逻辑门、基本时序元件完成规定电路功能的设计;分析、设计过程的规范表达;常用数字逻辑功能单元电路(如译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、计数器、移位寄存器等)的基本运用等。3、综合分析与应用(30%)主要测试考生利用指定数字电路功能模块设计出能完成预定任务要求的电路的能力或分析指定电路所实现的功能。主要内容有:常用数字逻辑功能单元电路(如译码器、编码器、数据选择器、比较器、加法器、计数器、移位寄存器等)的综合应用。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目837遥感考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目遥感原理与应用 孙家炳 武汉大学出版社 2003年一、考试性质 遥感是报考我校地图制图学与地理信息工程专业硕士研究生选考的专业课。考生必须熟练掌握遥感原理的基本理论和基本知识,以适应硕士生专业学习的需要。二、考试形式与试卷结构(一)答卷方式:闭卷,笔试。(二)题型比例: 名词解释约40 简答(或论述)题约60三、考查要点(一)电磁波及遥感物理基础1、概述 了解遥感、电磁波、电磁波谱概念。2、物体的发射辐射 了解黑体辐射、太阳辐射、大气窗口概念的意义。3、地物的反射辐射 了解地物的反射类别、光谱反射率以及地物的反射光谱特性、影响地物光谱反射率变化的因素。4、地物波谱特性的测定 理解地物波谱特性的概念及作用。(二)遥感平台及运行特点 了解遥感平台的种类及目的用途。(三)遥感传感器及其成像原理 了解遥感传感器种类、理解扫描成像类传感器特点。(四)遥感图像数字处理的基础知识1、图像的表示形式 理解图像的表示形式2、遥感数字图像处理系统 了解遥感数字图像处理的硬件系统、遥感数字图像处理的软件系统。(五)遥感图像的几何处理1、遥感图像的几何变形 理解遥感图像的几何变形因素。2、遥感图像的几何处理 理解几何纠正的目的、意义、基本原理;掌握几何纠正的基本方法和步骤。(六)遥感图像辐射处理1、遥感图像的辐射处理 理解辐射纠正的目的、意义、基本原理。2、遥感图像增强 理解图像增强的基本原理和方法。3、图像融合 理解图像融合的目的、意义、概念,掌握图像融合的基本思路和步骤。(七)遥感图像判读 掌握遥感图像目视解译的原理、基本方法及各自的特点。(八)遥感图像自动识别分类 理解图像监督分类和非监督分类的基本原理和方法。(九)遥感技术的应用 了解遥感技术在测绘中、环境和灾害监测、地质调查、农林牧等方面的应用。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目838遗传学考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目遗传学 王亚馥 高等教育出版社出版 2002年1.掌握动、植物性状的基本遗传规律,及其遗传规律的基本分析方法。包括分离定律、自由组合定律、连锁遗传定律等。 2.了解生物的繁殖和各种生物生活的周期史,包括细胞分裂、低等生物和高等生物的生活周期,遗传的染色体学说等。 3.掌握生物中染色体的基本形态和结构,与生物性状表现的对应关系。 4.掌握生物性状变异的类型及其遗传学基础和在改良生物中的应用。 5.了解现代生物学中控制性状的基因概念的发展及其分子基础。 6.了解细胞质遗传现象和在杂种优势中的应用。 7.了解遗传与生物发育、遗传与进化的关系;生物在进化中形成的完整的调控体系和物种如何形成等。 8.了解群体遗传的基本知识。 9.熟练掌握对生物性状遗传的基本分析方法。 10.掌握生物分裂的制片和正确使用显微镜的方法。 11.掌握对生物变异性状的鉴定、分离、纯化的方法。 了解对生物变异合理运用的方法。并建立起用所学的遗传学知识解释生物界变异等生命现象本领。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目839自动控制原理考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目自动控制原理 李友善 国防工业出版社自动控制原理 胡寿松 国防工业出版社1控制系统的基本概念2控制系统的数学模型微分方程式;传递函数;脉冲响应;框图;状态方程式;及其相互转换。z传递函数。3线性系统的分析方法及综合二阶系统的时域分析;稳定性;Routh判据;稳态误差;根轨迹法;Bode图;Nyquist图;Nyquist稳定判据;相对稳定性;PID控制规律;超前补偿;滞后补偿;反馈补偿4现代控制系统分析状态方程及其解;状态空间表达式;可控性可观测性;Lyapunov稳定性;状态反馈、输出反馈与极点配置;状态观测器5非线性系统分析典型非线性;非线性系统的特点;相平面图的概念;描述函数法及稳定性分析电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目840物理光学考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目光学教程 叶玉堂 清华大学出版社 2005年本课程考试将注重考察学生的基本概念,不要求考生去背一些复杂的数学公式或繁琐的数学推导。要求学生对光的干涉、衍射、光与物质的相互作用、双折射等广泛的物理现象、基本规律有深刻的理解和准确的掌握。考查的知识范围主要含:光波在各向同性介质中的传播、光波的偏振特性、光波在介质界面上的反射和折射、光波场的频率谱、光的干涉现象及其基本原理、光干涉的条件、双光束干涉、多光束干涉、单层光学薄膜、F-P干涉仪、光的相干性、光的衍射现象及其物理本质、夫琅和费矩孔衍射、单缝衍射、圆孔衍射、多缝衍射、光学成像系统的衍射和分辨半径、光栅的分光性能、闪耀光栅、菲涅耳衍射、介电张量、单色平面波在晶体中的相速度、光线速度和菲涅耳公式、光在单轴晶体中的传播、单轴晶体的折射率椭球和折射平面、光波在晶体界面的双反射和双折射、偏振器和补偿器、偏振光和偏振器件的琼斯矩阵表示、平行偏振光的干涉、电光张量、KDP晶体的线性电光效应及其应用、拉曼-奈斯声光衍射和布拉格声光衍射、磁致旋光、介质的复折射率、光的吸收定律、一般吸收与选择吸收、正常色散与反常色散、光的线性与非线性散射等。电子科技大学2008年硕士研究生入学考试大纲(初试.专业课)考试科目841模拟电路考试层次 博士入学 硕士入学考试时间180分钟总分150分参考书目模拟电路分析与设计基础 吴援明 科学出版社 2006年第一章 半导体材料及二极管一、了解半导体的基本知识 本征半导体与杂质半导体(P型与N型);本征激发与复合;杂质电离;空穴导电原理;多子与少子;漂移电流与扩散电流的概念;PN结的形成(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义);PN结的单向导电特性;不对称PN结。二、掌握二极管的基本知识 二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程;二极管伏安特性曲线及其温度特性;二极管导通电压与反向饱和电流;二极管的直流电阻与交流电阻(估算式);硅管与锗管的区别。三、二极管应用 掌握单向导电特性应用:整流与限幅。能分析简单二极管电路。 正向导通特性应用:恒压源模型及小信号模型。 反向击穿特性及应用:了解反向击穿现象;掌握稳压管工作原理及电路。 了解电容效应及应用:势垒电容与扩散电容;变容二极管原理。第二章 双极型晶体三极管(BJT)一、理解BJT工作原理 NPN与PNP管;放大偏置特点;放大偏置时内部载流子传输;放大偏置时外电流关系(掌握直流传输方程,ICBO,ICEO的概念);放大偏置时的vBE、vCE的作用(正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应);BJT的截止与饱和状态及特点。二、BJT静态伏安特性曲线 理解共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点。三、BJT参数 理解、a、b、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义四、混合p模型 理解完整模型和了解模型参数的物理含义。 熟练掌握两种简化模型(gm参数和b参数模型)及其模型参数的计算方法。第三章 BJT放大电路一、理解放大器的一些基本概念 信号源(内阻,源电压,源电流);负载电阻
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