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文档简介

P型硅掺杂浓度对多孔硅形貌的影响 组员 徐凯伊力旦刘洋周子轶 1 多孔硅形成机制 关于多孔硅形成机制有很多种不同解释 其中比较有代表性的是Beale耗尽模型 其具体解释为 硅原子在HF溶液中被腐蚀掉需要有空穴参与 初期空穴的随机扩散导致表面的随机腐蚀的孔洞 具有随机非均匀性 当表面被有选择地腐蚀后 情况改变 表现为孔尖处比其他地方特别是没有被腐蚀的地方更容易被腐蚀 2 建模方法 首先在网格内随机释放空穴 空穴在活性单元耗尽区之外的网格内随机扩散 一旦进入耗尽区 它将定向运动 相当于被该活性单元捕获 当空穴扩散到活性单元位置时按一定几率腐蚀一定数目的单元格 一个空穴扩散到活性单元或者步行结束后 下一个空穴产生开始步行 共释放一定数量空穴 数量与网格内空穴密度有关 3 改变参数 腐蚀要求空穴从硅的体内输送到表面 对于P型硅 硅本身就存在大量空穴 空穴密度与掺杂浓度有关 模型用空穴密度 即二维网格内空穴密度来反映P型硅的掺杂浓度 设M为分布在网格内的空穴密度 显然P型硅掺杂程度决定M的大小 重掺杂空穴密度大 也就决定了模型中释放的空穴数多 各参数与多孔硅制备的实验条件对应起来 模拟的过程则能体现实验条件对多孔硅形成及孔隙率的影响 孔隙率与掺杂浓度的关系 P型硅掺杂浓度越低 网格内空穴分布密度越
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