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关于三星两款SOCC110和C111以及POWERVRSGX540GPU的研究(2010-12-26 00:55:39) 转载标签： 三星c110c111powervrsgx540多边形填充率性能官方资料分类： IT 以下数据均来源于各个芯片的官方网站或官方资料的相关介绍 非网络相传炒作评测等1,关于POWER VR SGX540的主要性能介绍POWER VR SGX 540目前只存在于通过官方授权跟CPU 内存等整合在一起的SOC内部 主要就是三星SOC C111和C110系列根据SOC内部集成的总线位宽内存型号速度以及是否阉割部分功能的不同性能从2000万多边形/s到3500万多边形/s不等(三星官方宣传资料介绍的性能 实际可能还有水分) 填充率从500M/S到1000M/S不等所以 并不是所以POWER VR SGX540性能都一样比POWER VR SGX540性能更高的还有POWER VR SGX543和 545系列还有高通QSD 8255也比540强 Nvidia的tegra系列等等当然如果540属缩水型的话POWER VR SGX535也要比缩水540强POWER VR SGX535 2800万多边形/秒 500M像素/S填充率苹果A4如果正如传说的那样内部直连内存 那么A4内部的535比独立535理论上就要强POWER VR SGX理论上都可以多核集成获得性能提升2,POWER VR SGX 540与545的主要区别根据Imagination Technologies公司的资料(POWER显卡公司)可在这里下载资料看(需注册):/powervr/sgx_series5XT.aspDownload SGX Series5XT Factsheet545比540明显多很多技术最高支持到OPENGL ES 2.1 支持到电脑桌面级的DX10.1和OPENGL 3.0540只最高支持到DX9和OPENGL 2.0 OPENGL ES2.0至于多核 两者理论上都可以集成多核3,关于三星SOC C110内置GPU以及C110的介绍三星官方关于C110(内置GPU)的性能介绍地址:/global/business/semiconductor/productInfo.do?fmly_id=834&partnum=S5PC110&xFmly_id=229另一个宣传资料介绍:/global/business/semiconductor/support/brochures/downloads/systemlsi/S5PV210.pdf里面清楚的注明了3D加速性能(GPU性能)3D Graphics Acceleration with Programmable Shader up to 20M triangles/s, 1000Mpixels/s2000W多边形/秒1000M像素/秒填充率Dedicated 2D Graphics acceleration supporting BitBLT, Alpha-blending, and Stretch function另外也清楚的注明了可以封装多种内存型号Memory Subsystem- Asynchronous SRAM / ROM / NOR Interface with x8 or x16 data bus- NAND interface with x8 data bus- Muxed/Demuxed OneNAND Interface with x16 data bus- LPDDR1 interface with x16 or x32 data bus (266 400Mbps/pin DDR)- DDR2 interface with x16 or x32 data bus (400Mbps/pin DDR)- LPDDR2 interface (400Mbps/pin DDR)可支持LPDDR1 LPDDR2 桌面级的DDR2而且数据总线接口位宽(速度)也可不同 x16或x32至于c110和c111有什么区别我还真不知道因为三星官方只给出了C110的介绍说明 C111的没有而网络上那些关于C110和C111是同样性能的说法由于缺乏官方的权威性并不可信至少目前已经知道由于封装的内存带宽速度的不同 仅C110就可能有多种不同性能的型号区分不同性能的C110也很简单 用测试相关性能的跑分软件对设备进行测试 大量比较即可另外目前还知道三星自家的旗舰手机和移动设备和谷歌nexus s都用c111 少数非旗舰或非三星才用c110据传闻有人说C110和C111无区别但这样的话又无法解释为什么三星会出产两种同样规格的SoC呢?仅仅是为了伪装自家的手机产品所使用的SoC与别家的不一样吗?还是别有原因?关于SOC解