二极管三极管NPN-PNP,JFET-IGFET.docx

三极管与二极管型号按极性分：三极管：PNP型和NPN二极管：P型和N型多数国产管用xxx表示：如 3 A X 31，第一位管型：3代表三极管2代表二极管第二位材料和极性：A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位用途：X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。注意：二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。二极管：第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。进口的三极管：各有不同： 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列。在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。最后面的数字是产品的序号：序号不同，各种指标略有差异。NPN和PNP三极管主要区别主要就是电流方向和电压正负不同： 极性（反转）NPN：是用 BE 的电流（IB）控制 CE 的电流（IC）。正常放大时：电位（直接或间接）：地板 VE VB VC天花板PNP：是用 EB 的电流（IB）控制 EC 的电流（IC）。正常放大时：电位（直接或间接）：地板 VC VB 共“X”（bce）极=接地的极当把直流电源短路，X电极接地集电极与发射极双向晶体管可以把集电极和发射极互换使用。其他类型的不可以互换使用。NPN型和PNP型三极管配对,工作特性上互相弥补:OTL amplifier(无输出功率放大器)电路中的对管。BE是正偏，BC是反偏： VCE=VCB-0.7。E所以VBOVCEOOTL （Output Transformer Less）电路省去输出变压器的功率放大电路OTL电路为单端推挽式无输出变压器功率放大电路。通常采用电源供电，从两组串联的输出中点通过电容耦合输出信号。 是一种没有输出变压器的功率放大电路。过去大功率的功率放大器多采用变压器耦合方式，以解决阻抗变换问题，使电路得到最佳负载值。 但是，这种电路有体积大、笨重、频率特性不好等缺点，目前已较少使用。OTL电路不再用输出变压器，而采用输出电容与负载连接的互补对称功率放大电路，使电路轻便、适于电路的集成化，只要输出电容的容量足够大，电路的频率特性也能保证，是目前常见的一种功率放大电路。 特点：采用互补对称电路(NPN、PNP参数一致，互补对称，均为射随组态，串联，中间两管子的射极作为输出)，有输出电容，单电源供电，电路轻便可靠。 “两组串联的输出中点”可理解为采用互补对称电路(NPN、PNP参数一致，互补对称，均为射随组态，串联，中间两管子的射极作为输出)。 优点:只需要一组电源供电。缺点:需要能把一组电源变成了两组对称正、负电源的大电容；低频特性差。CMOS电路与TTL电路CMOS电路TTL电路构成单级器件场效应管双极型器件双极晶体管功耗负载力小,功耗小,省电（uA级）负载力大功耗较大（15mA/门）（mA级）空载功耗仅约为几十纳(10-9)瓦与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）工作频率速度慢（几百ns）较TTL略低速度快（数ns）高速CMOS速度与TTL差不多相当不用端必须处理:连到高电平或低电平因为CMOS 是高输入阻抗器件, 理想状态是没有输入电流的. 如果不用的输入引脚悬空, 很容易感应到干扰信号, 影响芯片的逻辑运行, 甚至静电积累永久性的击穿这个输入端, 造成芯片失效.多数不用处理驱动CMOS 驱动 TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT 型 CMOS 可直接驱动 74/74LS 型 TTL，除此需要电平转换TTL 驱动 CMOS，要考虑电平的接口。TTL 可直接驱动 74HCT 型的 CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。应用设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片，应用最广，具有输入阻抗高、扇出能力强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰能力强、温度稳定性好等特点，但多数工作速度低于 TTL 电路。对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列主要区别:输入转换电平输入时互补的:保证了转换电平是电源电压的 1/2输入多射击晶体管的结构:决定了转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降，大约为 1.4V。电源只有 5V的，且输入电流的方向是向外的！电平L电平：小于等于0.3Vcc ；H电平：大于等于0.7VccL电平：小于等于0.8V ；H电平：大于等于2V输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。由于 CMOS 的输入阻抗都比较大，一般比较容易捕捉到干扰脉冲，所以 NC 的脚尽量要接个上拉电阻，而且 CMOS 具有电流闩锁效应，容易烧掉 IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。平板显示器目前竞争最激烈的平板显示器有四个品种： 1场致发射平板显示器（FED） 2等离子体平板显示器（PDP）； 3有机薄膜电致发光器（OLED） 4薄膜晶体管液晶平板显示器（TFT-LCD） 。LCD（Liquid Crystal Display）液晶显示器 构造：在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体，两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线，透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向，将光线折射出来产生画面。是液晶投影机是液晶显示技术和投影技术相结合的产物。工作原理：利用了液晶的电光效应，通过电路控制液晶单元的透射率及反射率，从而产生不同灰度层次及多达1670万种色彩的靓丽图像。液体分子质心的排列虽然不具有任何规律性，但是如果这些分子是长形的(或扁形的)，它们的分子指向就可能有规律性。于是我们就可将液态又细分为许多型态。分子方向没有规律性的液体我们直接称为液体，而分子具有方向性的液体则称之为“液态晶体”，又简称“液晶”。液晶产品其实对我们来说并不陌生，我们常见到的手机、计算器都是属于液晶产品。液晶是在1888年，由奥地利植物学家Reinitzer发现的，是一种介于固体与液体之间，具有规则性分子排列的有机化合物。一般最常用的液晶型态为向列型液晶，分子形状为细长棒形，长宽约1nm10nm，在不同电流电场作用下，液晶分子会做规则旋转90度排列，产生透光度的差别，如此在电源ON/OFF下产生明暗的区别，依此原理控制每个像素，便可构成所需图像。LCD投影机的主要成像器件是液晶板。LCD投影机的体积取决于液晶板的大小，液晶板越小，投影机的体积也就越小。现在LCD已经替代CRT成为主流，价格也已经下降了很多，并已充分的普及。TFT(Thin Film Transistor )薄膜场效应晶体管指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息。LCD（Liquid Crystal Display）:TFT,OLED,UFB,TFD,STN等类型的液晶显示器.TFT（Thin Film Transistor）：属于有源矩阵液晶显示器。是有源矩阵类型液晶显示器,在其背部设置特殊光管,可以主动对屏幕上的各个独立的像素进行控制,这也是所谓的主动矩阵TFT的来历,这样可以大的提高反应时间,约为80毫秒,而STN（Super Twisted Nematic）：反应时间为200毫秒!也改善了STN闪烁(水波纹)模糊的现象,有效的提高了播放动态画面的能力,和STN相比,TFT有出色的色彩饱和度,还原能力和更高的对比度,太阳下依然看的非常清楚。缺点：比较耗电,成本较高.TFD（Thin Film Diode）：和TFT一样TFD也是有源矩阵驱动。TFD技术被手机屏幕巨头精工爱普生开发出来专门用在手机屏幕上。它是TFT和STN的折衷，有着比STN更好的亮度和色彩饱和度，却又比TFT更省电。特点：在于“高画质、超低功耗、小型化、动态影像的显示能力以及快速的反应时间”。显示原理：在于它为LCD上每一个像素都配备了一颗单独的二极管来作为控制源，由于这样的单独控制设计，使每个像素之间不会互相影响，因此在TFD的画面上能够显现无残影的动态画面和鲜艳的色彩。最初开发出来的TFD只能显示4096色，但如果采用图像处理技术可以显示相当于26万色的图像。不过相对TFT在色彩显示上还是有所不及。UFB：三星自己研究开发的一种显示屏。结合了TFT和STN的优点,就是高亮度和底电耗相结合,因为它采用了特别的光栅设计,可减小像素间矩,以获得更佳的图像质量,通常可以显示到65536色,和TFT的亮度不相上下,而电耗比TFT小和多