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Diffusion 祝飞扩散理论n 扩散的概念：将杂质元素通过扩散的方式掺入到半导体材料体内，以改变材料的电学性质、并力求杂质浓度、分布形式和深度满足要求。n 扩散的微观描述晶体中的原子以格点的平衡位置为中心振动，能量服从麦克斯韦-玻尔兹曼几率分布，呈涨落现象。当原子能量达到某一程度时，它将脱离平衡位置，留下空位（Schottky defect）。空位是点缺陷的一种，其热平衡浓度服从玻尔兹曼分布n=Nexp(-WV/kT)，其中WV为形成一个空位所需能量，N为原子浓度，指数项可以理解为每个格点出现空位的几率。在硅中掺P或B的扩散模型都是“替位式扩散”，即替位杂质从晶格位置运动到邻近的晶格空位上。替位杂质跳过势垒WS的跳跃率为Pv=v0exp-(WV+WS)/kT，估算可知室温下跳跃率极低。n 扩散的宏观描述扩散运动是粒子由高浓度区向低浓度区的运动，运动的前提条件是浓度梯度，由温度、粒子大小、晶体结构、缺陷浓度和粒子运动方式决定。n 扩散的数学描述一是关于扩散系数，菲克第一定律。杂质的扩散流密度J正比于杂质的浓度梯度，比例系数定义为扩散系数D。理论推导表明：D=D0exp(-EA/kT)，其中EA=34eV为扩散激活能（与原子间结合力呈正比）；D强烈依赖于温度；扩散系数受晶体缺陷影响，D表面D晶界D沿位错D晶内。求解电场存在时的菲克第一定律，可得出爱因斯坦关系。二是关于扩散方程，菲克第二定律。质量守恒定律要求扩散流的积累和流失（随时间的变化率）必须保持一致，数学表述为：D(d2N/dx2)=dN/dt，根据不同边界条件和初始条件求出扩散方程的解，可得到杂质分布与扩散时间、位置之间的关系。Remark，高杂质浓度时，扩散系数是位置的函数。n 两个主要的杂质扩散方式一是恒定表面浓度的扩散，即在整个扩散过程中，硅表面和表面以外的扩散掺杂剂浓度保持不变。对于扩散方程，初始条件N(x,0)=0；边界条件N(0,t)=Ns，N(,t)=0；解为N(x,t)=Nserfcx/2(Dt)1/2。其中，Ns为表面浓度（受固溶度限制），2(Dt)1/2为特征长度，erfc为余误差函数记号。定义扩散物质浓度与基体杂质浓度相等的地方为结深。二是恒定掺杂总剂量的扩散和再分布扩散，即先在硅表面产生一层薄的杂质层，然后再进行扩散，总掺杂剂量Q是恒定的。相应扩散方程的边界条件为N(x=,t)=0，dN/dx=0=0；初始条件在预沉积近似条件下可以写作：N(x,t)=0；解为N(x,t)=Q/(Dt)1/2exp-x2/(4Dt)。当x=0时，可以得出t时刻的Ns=Q/(Dt)1/2，是一个高斯分布。n 扩散参数1） 结深，即ND=NA处的深度，与杂质浓度分布方式、扩散系数和时间有关，满足 Xj=A(Dt)1/2，其中A由杂质浓度分布方式决定：若为余误差分布，则A=2efrc-1(NA/ND)；若为高斯分布，则A=2ln(NA/ND)1/2。一般地，当ND/NA在102107范围内时，可查表确定Xj。2） 方阻，RS=平均/Xj=1/平均Xj=1/qN(x)平均平均Xj1/qQ，其中Q为净掺杂量。由此可知，方阻直接反映的是净掺杂量的多少。3） 表面杂质浓度可测，但是实践中常用工程图解法和计算法间接得到。扩散工序与其它工序的关联n 烧结要达到的效果1） 正面Ag穿过SiN:H扩散进入硅内，但不可以到达PN结（短路）；2） 背面Ag、Al扩散进硅；3） Ag、Ag/Al、Al将和硅形成合金，建立良好的电极欧姆接触，起到良好的收集电子的效果。n 烧结原理烧结的本质是利用“合金法”形成欧姆接触。“合金法”：当电极金属材料与半导体单晶硅加热到共晶温度时，单晶硅原子将以一定比例融入到熔融的合金电极材料中（此过程只需几秒钟，融入的硅原子数目取决于合金温度和电极材料的体积），降温后晶体电极金属的合金系统将开始冷却在金属和晶体接触面上生长出一层外延层（原先溶入到电极金属材料中的硅原子重新以固态形式结晶出来）。若外延层中含有足够量的与原晶体材料导电类型相同的杂质成分，就获得了用合金法工艺形成的欧姆接触。若外延层中有足够量的与原晶体材料导电类型异型的杂质成分，则获得的是肖特基接触（类似单向导电的PN结）。n 肖特基接触肖特基势垒是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。形成原因：金属-半导体在热平衡时将形成统一的费米能级，这通过电子由高费米能级向低费米能级的流动实现。金属与N-Si的接触，界面处形成半导体指向金属的电场，势垒层阻止半导体与金属之间的电子交换，形成“阻挡层”，与PN接触面最大的区别：一是具有较低的接触面电压；二是金属端只有相当薄的空乏区（几乎不存在）。n 欧姆接触欧姆接触指金属和半导体的接触面电阻值远小于半导体本身的电阻，其形成的先决条件：一是金属和半导体间有低的势垒高度；二是半导体有高的掺杂浓度（1012/cm3以上）。前者可以使界面电流中热激发部分增加；后者可以使半导体耗尽区变窄，电子有更多机会发生隧道效应而直接穿透，使得阻值降低。n 方阻与烧结温度的关系：方阻反映掺杂量的多少，低方阻对应重掺深结。重掺有利于欧姆接触的形成（隧道效应）；深结意味着允许更高的烧结温度，加大欧姆接触面积（银渗透深度）。综上所述，低方阻、高烧结温度可以获得更低的接触电阻；高方阻、高烧结温度可能面临烧穿的危险；低方阻，正常烧结 所获得的欧姆接触还有提升空间。n 烧结对扩散工序的要求对扩散工序而言，扩散的均匀性直接体现在硅片形成的PN结结深的差异性上，均匀性好则结深差异性小，反之亦然。对于不同的PN结结深，其烧结条件也不一样。或者说，同样烧结条件应用于扩散均匀性好的电池片上，其欧姆接触性能、填充因子等参数一致性好，最终实现太阳电池转换效率一致性的可控性上。优化扩散均匀程度的思路：一是气氛场的均匀性，可以通过均流板的均匀分流设计和废气排放的位置来改善；二是炉内压强的平衡，通过控制工艺气体流量、排气量等来实现优化。扩散炉的恒温区长度是有限的，在保证恒温区温度的精度和稳定性的前提下，应当尽可能多的放置扩散硅片；由于配置悬臂式装载系统的扩散炉炉口对温度的干扰最大，因此可以将废气管口尽可能的靠近炉门，这样可以改善靠近炉口方向硅片反应区域气氛场的均匀性。n “铝背场”（PP+Al设计，实现背表面钝化）“铝背场”的本质是在太阳电池基区（背面）引入一个高低结（PP+），热平衡高低结形成由P区指向P+区的内建场，其作用：一是阻止P区光生电子到背表面发生复合，从而降低SBSF，提高ISC；二是提高长波响应，到达PP+结的长波光子激发的载流子直接被高低结分离，产生的光生电压直接贡献给VOC，贡献大小由电池基区的厚度决定；三是P+区的高NA是形成P+Al欧姆接触、避免肖特基势垒的必要条件（隧道效应）。n 钝化的重要性硅片发展趋势是在保证效率的前提下，电池厚度逐渐变薄，其后果有两个：一是少子热运动至表面的几率提高，表面复合对少子寿命的影响加剧，因此对表面钝化的要求提高；二是长波光程变短，以至于来不及光吸收，从而降低ISC，因此对“陷光”结构的设计要求提高。n 钝化的思路钝化包括体钝化和表面钝化两方面，随着电池厚度变薄，表面复合逐渐成为影响少子寿命的主要因素。体钝化主要是通过吸杂完成（P、Al）；表面钝化主要通过以下四种途径完成：（1）悬挂键饱和，减少表面复合中心；（2）高低结形成少子阻挡层；（3）发射结氧化钝化，即在重掺面上再生长一层钝化膜；（4）发射结钝化，制造高掺杂浓度、很薄的发射区，形成杂质浓度梯度，建立指向电池内部的漂移电场，阻挡少子向表面扩散。扩散的工艺控制n 电池性能对扩散参数的要求：VOC、FF要求高掺杂浓度；ISC要求低掺杂浓度、浅结。原因：掺杂太重，则少子寿命降低，迁移率和扩散系数降低，短波长的光谱响应差，降低短路电流，结较深时该效应还会加剧；掺杂过轻，导致横向传输电阻过大（电子在被金属电极收集之前要经过横向传输），从而降低硅与丝网印刷电极之间的欧姆接触效果（形成肖特基势垒或其他电阻效应）。n 结深的要求：浅结电池死层小，短波响应好，但会引起串联电阻的增加，只有提高栅电极密度，才能提高FF，这使得工艺难度增加；深结电池死层明显，如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使得开路电压和短路电流均下降，考虑到各个因素，结深一般在0.30.5m左右。n 扩散温度和时间：扩散时的温度和时间是控制电池结深的主要因素，在不影响PN结特性的前提下，高扩散温度可以缩短扩散时间，利于生产。对于浅扩散的情况，既不能使温度过高，扩散时间变短，因为难于控制工艺；又不宜温度过低，而使扩散时间延长到不适当的地步。但是扩散的温度较高，这对结深和硅片少子寿命影响较大，导致转换效率大幅降低，所以在制备晶体硅太阳电池时还是要避免太高的扩散温度，一般在830870之间。恒定表面浓度扩散时，硅中杂质总量和结深均增加了；恒量表面杂质源扩散时，随扩散时间增加，表面浓度下降，结深增加。n 方块电阻对电性能的影响：方阻偏低，扩散浓度大，则引起重掺杂效应，使得电池开路电压和短路电流均下降；方阻偏高，扩散浓度低，则横向电阻高，RS上升。方阻一般在3565ohm/。n 工艺控制掺杂浓度和结深：1） 确定LN2：小氮携带POCl3的量服从：MPOCl3=Pvap/(PB-Pvap)QC2(153.33/22414)，其中MPOCl3为携带量，单位是g/min；Q C2为小氮流量，单位是SCCM（即mL/min）；PB为鼓泡瓶中的气压；Pvap为POCl3的饱和蒸汽压（指密闭条件下液体处于相平衡的蒸汽所具有的压力，由温度决定，可查，单位是Torr）；153.33为三氯氧磷的摩尔质量。某温度下，POCl3携带量与LN2呈正比，如图所示。Fig. 1 POCl3携带量与LN2的关系（18）2） 确定O2流量：POCl3与过量的O2在600800时生成P2O5附着在硅面上，中间薄、四周厚。其标准比例为POCl3:O2:P2O5:Cl=4:3:2:6，即三氯氧磷与氧气的比例至少为4:3。3） 850时，P2O5开始与硅反应生成磷，开始进行磷扩散。因此一般采用，低温沉积，高温扩散的两部扩散工艺，属于恒定表面浓度的扩散模型。沉积温度和时间，决定表面P2O5的多少；扩散温度和时间，决定结深。n 少子寿命降低的原因（工艺角度）：扩散源的纯度、炉口洁净度、进炉前硅片的清洁程度、甚至扩散过程中硅片的应力。n 扩散设备：扩散炉，总体结构分为四部分，依次为控制部分、推舟净化部分、电阻加热炉部分和气源部分。n PN结的形成：在一块n型（p型）半导体单晶上，用合适的工艺方法（如合金法、扩散法、生长法、离子注入法等）掺入p型（n型）杂质，使其不同区域分别具有n型和p型导电类型，在二者交界面处将形成PN结。n 扩散原理：扩散是一种高温制程，即把掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，将杂质扩散到硅片内以改变半导体基片的导电类型或已扩散区域表面杂质浓度的一种方法。硅衬底半导体材料的导电类型有N型和P型。n POCl3的扩散机制：（1）POCl3在高温、有氧条件下生成P2O5，P2O5和Si发生置换反应，生成P和PSG；（2）若没有氧气参与，POCl3将在600摄氏度生成PCl5（其不易分解、腐蚀硅面、破坏表面状态）n 电子级三氯氧磷：广泛使用的扩散源（杂质源），忌H2O。 无色透明，辛辣味；熔点为2摄氏度，沸点为107摄氏度，相对密度1.67g/cm3； 水充足的条件下POCl3转变为磷酸H3PO4和氯化氢。（1）氯化氢可以再次溶于POCl3，导致溶液呈现红黄色，不纯；在潮湿空气中剧烈发烟，HCl腐蚀金属，生成氢气易燃；遇水猛烈分解，产生大量的热和烟，甚至爆炸； 水分不足时，POCl3转变为偏磷酸HPO3和HCl。偏磷酸为白色粘滞性液体，可以腐蚀硅片，容易粘结石英舟和管道，使其不易拉出； 保存环境要求：阴凉、干燥、通风的库房（温度25摄氏度，相对湿度75%），密封的玻璃瓶防潮储存。n POCl3作为扩散源的优势：一是扩散效率高；二是制备的PN结均匀、平整；三是扩散层表面良好。n N2作用：（1）作为保护气体，充满炉体；（2）作为载气，将液态源POCl3携带至电阻加热炉部分。Remark：液源20摄氏度恒温水浴，少许温差将导致严重后果。n 扩散层质量参数：（1）结深。在硅片中掺入不同导电类型的杂质时，在距离表面Xj的地方，掺入的杂质浓度与其本体杂质浓度相等，此位置即形成了PN结，Xj为结深。（2）表面浓度。扩散完成后，Si表面扩散层中的杂质含量。（3）方阻，Rs- Sheet Resistance，ohm/square。方阻由掺杂浓度和结深决定（即由掺杂杂质总量决定）。采用“四探针电阻测试仪”对其进行测试。n 拉恒温区：调节温度设定和温度参数，使扩散炉炉管恒温区范围内的温度保持一致。这是一个使设定温度与实际温度相匹配的过程，目的是保证工艺过程的准确性和稳定性。用分度号为S的“热电偶”测温，其正极材料组成为“90%铂+10%铑”，负极材料为纯铂丝。“补偿导线”的正极为红色，负极为绿色，禁止反接。n 石英管和配套石英件的饱和：即保证扩散炉的石英件充分地吸收扩散杂质，SOP：炉温升至设定值后，设定流量，通小N2（携带磷源）和O2，至饱和后关闭。n 污染源：普通污染源，任何与产品接触的物质，包括（1）空气。空气中含有大量微米级的微粒和浮尘。千级洁净度的标准为：单位体积内0.5微米以下的颗粒少于3000个，0.3微米以下的颗粒少于1000个。（2）人员产生污染，不穿洁净服静坐的一个人将产生10万100万个微粒。（3）工艺用DI水，内含金属和矿物离子等杂质，必须经过处理达到洁净度18兆欧才能使用。n 扩散基本流程：接片扩散前清洗甩干装舟扩散测电阻卸舟装刻蚀夹下传。n 接片，SOP：（1）目检，缺角、裂纹（隐裂）、崩边、错齿；（2）把花篮放到小车上；（3）把花篮送至清洗。n 扩散前清洗，SOP：（1）四个花篮同时放到清洗机载片台上；（2）自动清洗；（3）清洗后运至甩干。n 甩干，SOP：（1）将花篮放到甩干机中；（2）自动甩干；（3）甩干结束后准备装舟。n 装舟，SOP：（1）先用镊子将两片硅片迭放在一起；（2）将两片硅片同时装到石英舟的同一个卡槽中；（3）准备进舟扩散。n 扩散，SOP：（1）上舟时须用“石英舟叉”将舟放到“浆”上；（2）扩散结束后用“石英舟叉”将石英舟放到“石英凳”上。Remark：高温，注意烫伤；“石英舟叉”的“石英套管”碎掉后，停用。n 测电阻，SOP：（1）分别在炉口、炉中和炉尾取测试硅片；（2）将测试硅片进行方阻测试；（3）记录测试电阻。n 卸舟，SOP：（1）左手拿“吸球”，右手拿特制的“镊子”；（2）以扩散面为正面，吸住面向自己的硅片，镊住背向自己的硅片，一起卸下，正面向下叠放。n 装“刻蚀夹”下传，SOP：（1）将卸下的一叠硅片摆放整齐；（2）将硅片放入到“刻蚀夹”，务必使正面向下，拧紧刻蚀夹螺母；（3）做好相关记录；（4）下传下道工序。n 扩散炉开机流程（参考）：开电源进入WIN环境进入程序点击数据编辑进入工艺编辑屏存盘退出，返回主操作屏点击工艺运行选择工艺进行扩散扩散时切换视图随时监视，确保温度和流量受控工艺完成后点击返回按钮，退回手动操作屏退出系统，关机。n 石英管拆装流程（参考）：确认炉中无硅片，关闭除大N2外的所有气体（源瓶的阀门拧紧）降温（点击加热按钮）开炉门散热至80以下旋松：不锈钢炉门的固定螺丝、用以调节浆位高低的螺母将碳化硅浆连同石英门和底座一起取下将尾挡板取下存放好，备洗旋松浆座螺丝和石英门螺丝，将其从浆上取下关闭所有气体取出热电偶，小心存放，备用将气路总接管与石英管分离将进气处不锈钢盖板取下（扶好慢放）取出隔热砖取下炉口处不锈钢方板将炉管从炉体中取出（3人小心操作）将拆下的炉管放入纸箱内待洗擦洗管口、盖板及浆座处的偏磷酸更换气柜处的软管清洗管子、浆、挡板等物品将洁净的管子从纸箱中抬出将管子装入炉体中（3人）装好隔热砖装进气不锈钢盖板装炉口不锈钢盖板调整炉管的密封性和浆位高低安装气路和热偶打开源瓶阀门调试气体流量升温做TCA及饱和扩散。n 扩散操作流程（参考）：确认并打开传递窗确认硅片是否甩干（退回清洗间继续甩干）关窗，将硅片取出放至洁净工作台调节真空大小，使用真空吸笔装片（每槽两片）核对硅片数量是否与流程卡一致填写流程卡将空盒及时退还清洗间并将碎片收集放好将装好硅片的石英舟用石英舟叉放置于浆壁上用石英舟叉将挡板放置于浆的末端检查源瓶液位的变化量（戴防护用品）点击工艺运行（选择合适工艺）扩散时对视图切换进行随时监视，确保温度和流量受控工艺完后，点击返回按钮回到手动操作状态用石英舟叉将挡板取下放置于玻璃上（不要放在进出浆的轨道上）用石英舟叉将满舟从浆上取下，放置于卸片台上冷却用吸笔均匀取出5片硅片待测方阻开四探针测试台和测试仪的电源（预热）电流档由0.1改为10，使R、I和EXC.1显示灯亮使用平口塑料镊子将硅片放置于测试台白线内点下降按钮使得针头平压在硅片上确认四探针保持水平调整电流值到4.530后将“I”指示灯切换成“R/P”状态每隔2小时校准电流一次读取瞬间数值记录在表格中一块硅片需测试中心及四周五点的数值，记录点上升按钮，等到达预定位置后取出硅片将超范围片取出，返工，记录数量及其在炉中的位置进行工艺参数的调整，确保方块电阻受控（对所在位置进行温度调节）将合格硅片卸入纸盒做好岗位5S清点合格电池片的数量，完成本工序流程卡余项将硅片和流程卡一起放入扩散传递出口。n 石英管清洗流程（参考）：清洗石英管清洗槽领取所需化学品（HF）配液（戴好防毒面具和长乳胶手套）将石英管运至清洗机边（用纸盒包装、内充海绵）将石英管放入HF槽中（3人操作，尾端先放，不要碰断进气管和热偶管）加水稀释至液面淹没进气管为止清洗（打开启动按钮，使石英管转动）检查管子位置谨防破裂（间隔1520min）11.5h后取出管子，放入清水槽中漂洗提高管尾，将管中HF倒出提高管口，将热偶管中HF倒出排水，用水枪反复冲洗管子的内外壁用氮气枪将管子吹干（吹气时管子保持旋转状态）关闭清洗机电源将管子装入纸盒中备用盖好全部盖板打扫卫生，保持清洁。n TCA清洗：作用是清洗石英管道，操作时将磷源换成三氯乙烷，适当调大干氧的量。基本原理是：三氯乙烷（C2H3Cl3）高温氧化分解，产生的氯分子和重金属原子化合后被气体带走，达到清洗的目的。反应式为：C2H3Cl3+O2Cl2+H2O+CO2+。三氯乙烷遇明火、高热能燃烧，并产生剧毒的氯化氢烟雾，损害中枢神经系统。n 换源操作流程（参考）：在操作屏上关闭所有气体戴好防毒面具和乳胶手套打开气门柜关闭源温箱的开关关闭源瓶阀门（先关进气，再关出气）将气管从源瓶上拔下（不要损坏源瓶）从源瓶座中取出源瓶并放回抽风橱中检查满的源瓶（阀门是否松动、瓶身是否有裂纹等），无误后取出接好出气软管接好进气软管开源瓶阀门（先开出气阀，再开进气阀）测试气密性（B操作员在操作屏上打开小流量：500-1000；A操作员观察到源瓶中有气泡冒出，观察10秒钟，确认无泄漏）将源瓶放入源瓶座中固定好打开源温箱的开关（设定恒温20）关气柜门擦拭防毒面具，放回原位。n 换源操作注意事项：需两人配合，操作完成后相互检查确认无误后再进行生产。（1）分清源瓶接口的进口和出口；（2）检查接头是否松动漏气；（3）将新源瓶接上时，先将其阀门关紧，再进行接管，最后再将新源瓶阀门打开；（4）初次通气时，先设置小流量气体进行测试，确认各接头无泄漏后，逐步加大流量至工艺所需数值；（5）使用过程中发现泄漏后，应尽快关闭阀门，并通知设备人员；（6）穿劳保用品。n 四探针：（1）使用环境：温度23；相对湿度65%；无高频干扰；无强光直射。（2）用途：测方阻。（3）原理：使四根处在同一水平面上的探针压在所测材料上，1、4针通电流，2、3针测电压。由于反向PN结的隔离作用，可将扩散层下面的衬底视作绝缘层，当扩散层厚度小于0.53S（S为直线排列的探针间距）且晶面面积相对于S无穷大时，样品薄层电阻可以写作RS=(/ln2)(V/I)，电流的选取若太小则导致检测电压困难，太大则会由于非平衡载流子注入或发热而引起电阻率降低，依据I=2S/B 010-3,其中B 0为修正系数（由样品厚度、样品边缘与探针之间的距离、S决定，可查表）。n 恒温箱：保持在200.5度，水冷方式，使用时在箱中加入一定量的水，液位不可过高或过低：过高则溢出造成电器短路；过低则造成热偶所测数据不准。更换源瓶时需要相应加水或抽水。视水质情况进行定期换水。n 石英制品：1）领取时检查完整，确保安全。2）新碳化硅浆的保养：用HF、HCl和DI水以1:1:4溶液浸泡1h后用DI水漂洗，放入150烘箱内4h，接着做400保温1h，升温至900（10/min，保持氮气常开，流量为18000）保温1h。3）石英管：清洗配液时使用2箱HF，用纸箱送至清洗处，三人将管子缓缓放入洗液中，大开口处先行放入，确保液位淹没进气口，浸泡1h后浆管中残液倒掉，在纯水槽中漂洗0.5h，期间用水枪不断冲洗管子内外壁，用试管刷刷洗进气口，最后用氮气枪将管子吹干。4）石英舟：每周清洗一次，先用HF浸泡，再用纯水冲洗干净并吹干，把石英舟放在炉内用TCA清洗，清洗后再做饱和。5）清洗周期：石英管、石英挡板每3天做一次TCA；石英管、适应挡板和石英接管间隔1各月做一次清洗，清洗后做TCA，再做饱和。n 扩散异常及解决方案（参考）48所扩散过程中问题解决方案问题原因解决方法扩散不到1.炉门没关紧，有源被抽风抽走。2.携带气体大氮量太小，不能将源带到管前。3.管口抽风太大。1.由设备人员将炉门重新定位，确保石英门和石英管口很好贴合。2.增大携带气体大氮的流量。3.将石英门旁边管口抽风减小。扩散方块电阻偏高/偏低偏高：1.扩散温度偏低。2.源量不够，不能足够掺杂。3.源温的设置低于20度。 4.石英管饱和不够。1.升高扩散温度，加大源量。2.延长扩散时间。3.增加淀积温度。偏低：1.扩散温度偏高。2.源温的设置高于20度。1.减小扩散温度。2.减少扩散时间。3.减少淀积温度。扩散片与片间方块电阻不均匀扩散温度不均匀重新拉扩散炉管恒温扩散后单片上方块电阻不均匀扩散气流不均匀，单片上源沉积不均匀。1.调整扩散气流量，加匀流板。2.调整扩散片与片之间距离。扩散后硅片上有色斑甩干机扩散前硅片没甩干调整甩干机设备及工艺条件扩散过程中偏磷酸滴落长时间扩散后对扩散管进行定期HF浸泡清洗环境湿度过大增大除湿机功率太阳能电池效率忽高忽低扩散间或石英管被污染，特别是在生产线被改造时最明显。清洗石英管及石英制品，加强扩散间工艺卫生，强化TCA。扩散方块电阻正常，但填充因子偏低。品质因子有问题，n趋向于2，J02偏大，表明结区复合严重。方法同上Tempress扩散过程中问题解决方案问题原因解决方法方块电阻在源一侧低，炉口处高1. 炉门与炉管的密封性不好2. 尾部排气严重3. 假片数量太少1. 调整炉门密封性2. 减少尾部排气气流3. 使用更多的假片单片（交叉）方块电阻在源一侧低，炉口处高1. 炉门与炉管的密封性不好2. 尾部排气严重3. 假片数量太少1. 调整炉门