微电子器件公式.doc_第1页
微电子器件公式.doc_第2页
微电子器件公式.doc_第3页
微电子器件公式.doc_第4页
微电子器件公式.doc_第5页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

微电子器件公式：部分物理常数：第1章 半导体器件基本方程 1. 泊松方程 2. 电流密度方程 3. 电荷控制方程 第2章 PN 结2.1 PN 结的平衡状态1.平衡多子 2.平衡少子 3.内建电势 4.最大电场强度 5.N区耗尽区宽度 6.P区耗尽区宽度 7.总耗尽区宽度 2.2 PN 结的直流电流电压方程 1.在N型区与耗尽区的边界处，即 处 在P型区与耗尽区的边界处，即 处 2.PN 结总的扩散电流密度 3.势垒区产生复合电流 4.薄基区二极管扩散电流 2.3 准费米能级与大注入效应1.转折电压 2.大注入下结定律 2.4 PN 结的击穿1.雪崩倍增因子 2.雪崩击穿近似计算2.5 PN结的势垒电容 2.6 PN 结的交流小信号特性与扩散电容1. PN结的直流增量电导 2. PN结的扩散电容 2.7 PN 结的开关特性 1.反向恢复时间 第3章 双极结型晶体管3.1 双极结型晶体管基础 电流放大系数关系：3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数1.基区输运系 缓变基区 2.基区度越时间 3.基区少子寿命 4.注入效率 5.共基极电流放大系数 6.共发射极电流放大系数 7.异质结双极晶体管（HBT） 3.4 双极晶体管的直流电流电压方程1.埃伯斯莫尔方程 2.共发射极电流方程 3.厄尔利电压 4.共发射极增量输出电阻 5.均匀基区厄尔利电压 3.5 双极晶体管的反向特性1.浮空电势 2.基区穿通电压 3.击穿电压 (共基极) （共发射极）3.6 基极电阻 3.8 电流放大系数与频率的关系1.特征频率 3.10 功率增益和最高振荡频率1.最大功率增益 2.高频优值 3.最高振荡频率 第 5 章 绝缘栅场效应晶体管5.2 MOSFET 的阈电压1.P型衬底的费米势 N型衬底 2.阈值电压 5.3 MOSFET 的直流电流电压方程1.电流电压方程 5.5 MOSFET 的直流参数与温度特性1.通导电阻
人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论