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Tianjin University of Technology and Education 毕 业 设 计 专 业: 应用电子技术教育班级学号: 0201 33 学生姓名: 梁贵海 指导教师: 李杰 副教授 二00七年 六 月天津工程师范学院本科生毕业设计 基于IGBT的变频电源设计Based on IGBT frequency conversion power source design专业班级:应教0201学生姓名:梁贵海指导教师:李杰 副教授系 别:电子工程系2007年6月摘 要随着电力电子技术的飞速发展和各行各业对电气设备控制性能要求的提高,用电设备对电源的要求越来越高。许多行业的用电设备都不是直接使用电网提供的交流电作为电源,而是通过各种形式对电网交流电进行变换,从而得到各自所需要的电能形式。目前,电源正朝着高效率,高稳定度,高功率密度,低污染,模块化发展。为了满足输出电压和频率可变的逆变电源的基本指标,调制方式上各种新颖的调制技术不断涌现,控制上各种适合于不同要求的逆变器的控制方案被提了出来。本设计是基于SPWM逆变技术,将由单片机产生的SPWM波输出作为IGBT的驱动信号,最后通过低通滤波,从而在输出端得到一个无失真的正弦信号波形。为了便于观察输出端的电压值,用数码管监测输出电压值。此设计电路可以产生频率稳定度、精度高的正弦波。关键词:变频电源;IGBT;SPWM调制;单片机ABSTRACTAs development and all trades and professions at full speed of electric and electronic technology control the improvement that performance required to the electric equipment, power consuming apparatus have more and more high expectations for power one. Power consuming apparatus of a lot of trades is not all the alternating current using the electric wire netting to offer directly, as the power, but vary the alternating current of electric wire netting through various forms, thus get the electric energy form needed each. At present, power towards high efficiency, high steady degree, high power density, low to pollute, module development. Output voltage and frequency variable going against the basic index which change power in order to meet, modulate way of different novelty modulation technology emerge constantly, control, have various suitable for different control scheme to go against person who become that require mention, come out. Design, based on SPWM go against technology of turning into, output drive signal in IGBT by SPWM wave that one-chip computer produce originally, strain the wave through being low and open finally, thus get one in the output end does not have distorted sine signal wave form. In order to observe the voltage value of the output end, in charge of the number to monitor and outputting voltage value. This is designed circuit can be produced the steady degree of frequency, precision is high and si

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