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文档简介

韩国三星（SAMSUNG）：韩国三星（SAMSUNG）DDR2内存芯片以三星K4T1G084QA-ZCE6为例，K代表内存芯片，4代表DRAM，T代表DDR2内存，1G代表容量（51代表512MB），08代表位宽，4代表逻辑Bank数量，Q代表1.8V工作电压，A代表产品版本号，Z代表封装类型为FBGA-LF（G为FBGA，S为小尺寸FBGA），C代表普通能耗（L为低能耗），E6代表运行速度为DDR2-667CL=5（D6为DDR2-667CL=4，F7为DDR2-800CL=6，E7为DDR2-800CL=5）。韩国海力士/现代（Hynix）：韩国海力士/现代（Hynix）DDR2内存芯片以现代HY5PS12821E FP-Y5为例，HY代表现代，5P代表DDR2内存，S代表1.8V工作电压，12代表芯片容量为512Mb（56为256Mb，1G为1Gb），8代表位宽，2代表逻辑Bank数量，1代表接口类型为SSTL_2，E代表版本号，F代表封装类型为FBGA，P代表无铅，Y5代表速度为DDR2-667CL=5（S6为DDR2-800CL=6，S5为DDR2-800CL=5，Y4为DDR2-667CL=4）。日本尔必达（ELPIDA）：日本尔必达（ELPIDA）DDR2内存芯片以尔必达E2508AB-GE-E为例，E代表DDR2内存，25代表芯片容量为256Mb（51为512Mb，11为1Gb），08代表位宽，A代表1.8V工作电压，B代表内核版本，GE代表DDR2-800CL=5（6C代表DDR2-667CL=4，6E代表DDR2-667CL=5），E代表无铅。德国奇梦达（Qimonda）：德国奇梦达（Qimonda）DDR2内存芯片奇梦达就是原来的英飞凌，以奇梦达HYB18T512800AF37为例，HYB代表奇梦达，18代表工作电压为1.8V（25为2.5V），T代表DDR2内存，512代表芯片容量为512Mb（1G为1Gb，256为256Mb），80代表位宽，0代表产品系列，A代表版本号，F代表FBGA封装，37运行频率为DDR2-533（3为DDR2-667）。美国镁光（Micron）：美国镁光（Micron）DDR2内存芯片镁光DDR2内存芯片编号非常特别，封装上的编码并不
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