物联文本文档.doc

现在的单通道内存控制器一般都是64bit的，8个2进制bit相当于1个字节，换算成字节是64/8=8，再乘以内存的运行频率，如果是ddr内存就要再乘以2，因为它是以sd内存双倍的速度传输数据的，所以 ddr266,运行频率为133mhz，带宽为133*2*64/8=2100mb/s=2.1gb/s ddr333,运行频率为166mhz，带宽为166*2*64/8=2700mb/s=2.7gb/s ddr400,运行频率为200mhz，带宽为200*2*64/8=3200mb/s=3.2gb/s 所谓双通道ddr，就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据。这两个相互独立工作的内存通道是依附于两个独立并行工作的，位宽为64-bit的内存控制器下，因此使普通的ddr内存可以达到128-bit的位宽，因此，内存带宽是单通道的两倍，因此 双通道ddr266的带宽为133*2*64/8*2=4200mb/s=4.2gb/s 双通道ddr333的带宽为166*2*64/8*2=5400mb/s=5.4gb/s 双通道ddr400的带宽为200*2*64/8*2=6400mb/s=6.4gb/s 关于瓶径问题： cpu与北桥芯片之间的数据传输速率称前端总线(fsb），对于intel的主流平台，其采用q/p总线技术，fsb=cpu外频*4,如赛扬4的外频为100，其fsb为400，数据带宽为3.2gb/s,p4a的外频为100，其fsb为400，数据带宽为3.2gb/s,p4b的外频为133，其fsb为533，数据带宽为4.2gb/s,p4c、p4e的外频为200，其fsb为800，数据带宽为6.4gb/s，对于amd的主流平台，其采用ev6总线技术,fsb=cpu外频*2，对于athlon xp，其外频为133，166，200，对应的fsb分别为266，333，400，数据带宽分别为2.1，2.7，3.2gb/s fsb与内存带宽相等的情况下，则不存在瓶径问题，如果内存带宽小于fsb则形成内存带宽瓶径，无法完全发挥系统的性能。 因此对于对于intel的主流平台，如赛扬4的外频为100，其fsb为400，数据带宽为3.2gb/s,应该使用ddr400或双通道ddr200以上，p4a的外频为100，其fsb为400，数据带宽为3.2gb/s,应该使用ddr400或双通道ddr200以上，p4b和c4d的外频为133，其fsb为533，数据带宽为4.2gb/s,应该使用ddr533或双通道ddr266以上，p4c、p4e的外频为200，其fsb为800，数据带宽为6.4gb/s，应该使用双通道ddr400以上，对于amd的主流平台，athlon xp，其外频为133，166，200，应该分别使用ddr266,ddr333,ddr400,在这个平台上没必要使用双通道内存对于DDR内存来说，实际的工作频率要除以2，就是说DDR333或者DDR400说的是相当于333Mhz或者400Mhz，其实工作频率只有166或者200Mhz，因为DDR内存在时钟的上升沿和下降沿都可以读取和写入数据，所以一个时钟频率可以当两个用，所以速度就好像加倍了，所以取名为DDR333或DDR400，其中DDR的意思就是Double Data Rate我们平常所说的“内存”大都是指“内存条”。那么什么是“内存条”呢？常见的“内存条”又有哪些类型呢？U 1内存条的诞生 |bNF 当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”内存。/ 内存虽然容量不大，一般只有几十MB到几百MB，但中转速度非常快，如此一来，当CPU需要数据时，事先可以将部分数据存放在内存中，以解CPU的燃眉之急。由于内存只是一个“中转仓库”，因此它并不能用来长时间存储数据。内存又叫随机存储器断电之后数据全部丢失。而硬盘则不会。%y.)O 2常见的内存条, 目前PC中所用的内存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三种类型。Xt 曾经主流SDRAMB* SDRAM（Synchronous DRAM）即“同步动态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指，是直接插在内存条插槽中的，因此这种结构也叫“双列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前绝大部分内存条都采用这种“DIMM”结构。$ /Ee 随着处理器前端总线的不断提高，SDRAM已经无法满足新型处理器的需要了，早已退出了主流市场。E 今日主流DDR SDRAM)$V? DDR SDRAM（简称DDR）是采用了DDR（Double Data Rate SDRAM，双倍数据速度）技术的SDRAM，与普通SDRAM相比，在同一时钟周期内，DDR SDRAM能传输两次数据，而SDRAM只能传输一次数据。:i 从外形上看DDR内存条与SDRAM相比差别并不大，它们具有同样的长度与同样的引脚距离。只不过DDR内存条有184个引脚，金手指中也只有一个缺口，而SDRAM内存条是168个引脚，并且有两个缺口。.?H0B ?电大岳阳县分校论坛 - 广播电视大学岳阳县分校论坛 Y 根据DDR内存条的工作频率，它又分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种类型：与SDRAM一样，DDR也是与系统总线频率同步的，不过因为双倍数据传输，因此工作在133MHz频率下的DDR相当于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266来表示。cX 小提示：工作频率表示内存所能稳定运行的最大频率，例如PC133标准的SDRAM的工作频率为133MHz，而DDR266 DDR的工作频率为266MHz。对于内存而言，频率越高，其带宽越大。P|B 除了用工作频率来标示DDR内存条之外，有时也用带宽值来标示，例如DDR 266的内存带宽为2100MB/s，所以又用PC2100来标示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。g99 小提示：内存带宽也叫“数据传输率”，是指单位时间内通过内存的数据量，通常以GB/s表示。我们用一个简短的公式来说明内存带宽的计算方法：内存带宽工作频率位宽/8n（时钟脉冲上下沿传输系数，DDR的系数为2）。$%C 由于DDR内存条价格低廉，性能出色，因此成为今日主流的内存产品。过时的贵族RDRAM8 RDRAM（存储器总线式动态随机存储器）是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDRAM虽然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄，但其时钟频率要高得多。从外观上来看，RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点相似。从技术上来看，RDRAM是一种比较先进的内存，但由于价格高，在市场上普及不是很实际。如今的RDRAM已经退出了普通台式机市场。JnLm 3内存的封装xS 目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种，封装方式也影响着内存条的性能优劣。m TSOP封装：TOSP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便，可靠性比较高，是目前的主流封装方式。X5hwJm ?电大岳阳县分校论坛 - 广播电视大学岳阳县分校论坛 z%Kj BGA封装：BGA叫做“球栅阵列封装”，其最大的特点就是芯片的引脚数目增多了，组装成品率提高了。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍，与TSOP相比，它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。#bfzvx ?电大岳阳县分校论坛 - 广播电视大学岳阳县分校论坛 q-x: CSP封装：CSP（Chip Scale Package，芯片级封装）作为新一代封装方式，其性能又有了很大的提高。CSP封装不但体积小，同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行的可靠性，芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存。s#_ ?电大岳阳县分校论坛 - 广播电视大学岳阳县分校论坛 3 1时钟周期（TCK）s TCK是“Clock Cycle Time”的缩写，即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工作频率，数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是成倒数的，即TCK1/F。比如一块标有“10”字样的内存芯片，“10”表示它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的频率下正常工作。Ba?5 2存取时间（TAC）/h+L TAC（Access Time From CLK）表示“存取时间”。与时钟周期不同，TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“7J”字样的内存芯片说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短，则该内存条的性能越好，比如说两根内存条都工作在133MHz下，其中一根的存取时间为6ns，另外一根是7ns，则前者的速度要好于后者。8 3CAS延迟时间（CL）8 CL（CAS Latency）是内存性能的一个重要指标，它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时，在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”，而“缓冲期”的时间长度，就是这个CL了。内存的CL值越低越好，因此，缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度。F43e 4奇偶校验（ECC）HIIA 内存是一种数据中转“仓库”，而在频繁的中转过程中，一旦搞错了数据怎么办？而ECC就是一种数据检验机制。ECC不仅能够判断数据的正确性，还能纠正大多数错误。普通PC中一般不用这种内存，它们一般应用在高端的服务器电脑中。oK9pld 目前市场上主流的内存有SDRAM和DDR SDRAM，内存条品牌主要有胜创，金士顿、三星、宇瞻、富豪、现代等等3zX1. 内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？ 单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。 2. 内存的2-2-3通常是什么意思？ 这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP为RAS预充电时间，数值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。 3.内存的双通道技术和单通道有什么不同？ 什么是双通道DDR技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一种可以让2条D D R内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P 4处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A处理器和主板传输数据的带宽为3.2G B /s，而533 M Hz 前端总线的P4B处理器更是达到了4.3G B/s，而P4C处理器更是达到了800MHZ 前端总线从而需要6. 4 G的内存带宽。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的D