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LM386 中文资料 PDF简介：LM386 中文资料 PDF 是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin 1 和pin8位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电 .是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由4V12V，无作动时仅消耗4mA电流，且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示，表1为其电气特性。图1. 内部电路图图2 引脚功能图极限参数：电源电压（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V 电源电压（LM386N-4）22V 封装耗散 （LM386N）1.25W （LM386M）0.73W （LM386MM-1）0.595W 输入电压0.4V 储存温度-65至+150 操作温度0至+70 结温+150 焊接信息焊接（10秒）260小外形封装（SOIC和MSOP） 气相（60秒）215红外（15秒）220热电阻qJC （DIP）37/WqJA （DIP）107/WqJC （SO封装）35/WqJA （SO封装）172/WqJA （MSOP封装）210/WqJC （MSOP封装）56/W表1. LM386电气特性Parameter 参数测试条件最小典型最大单位Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压-LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-14-12VLM386N-45-18VQuiescent Current (IQ) 静态电流VS = 6V, VIN =048mAOutput Power (POUT) 输出功率-LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1VS = 6V, RL =8W, THD = 10%250325-mWLM386N-3VS = 9V, RL =8W, THD = 10%500700-mWLM386N-4VS=16V, RL =32W, THD = 10%7001000-mWVoltage Gain (AV) 电压增益VS = 6V, f = 1 kHz26-dB10 F from Pin 1 to 846-dBBandwidth (BW) 宽带VS = 6V, Pins 1 and 8 Open300-kHzTotal Harmonic Distortion (THD)总谐波失 真VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open-0.2-%Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 F Pins 1 and 8 Open,Referred to Output-50-dBInput Resistance (RIN) 输入电阻-50-kInput Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流VS = 6V, Pins 2 and 3 Open-250-nALM386低电压音频功率放大器的工作原理与典型应用电路图概述(Description): LM386是美国国家半导体公司生产的音频功率放大器，主要应用于低电压消费类产品。为使外围元件最少，电压增益内置为20。但在1脚和8脚之间增加一只外接电阻和电容，便可将电压增益调为任意值，直至200。输入端以地位参考，同时输出端被自动偏置到电源电压的一半，在6V电源电压下，它的静态功耗仅为24mW,使得LM386特别适用于电池供电的场合。 LM386的封装形式有塑封8引线双列直插式和贴片式。 特性(Features): * 静态功耗低，约为4mA,可用于电池供电。 * 工作电压范围宽，4-12V or 5-18V。 * 外围元件少。 * 电压增益可调，20-200。 * 低失真度。典型