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文档简介

第二章例题 1使用共价键模型，形象而简单地说明半导体的（1）失去原子；（2）电子（3）空穴；（4）施主；（5）受主例题2使用能带模型，形象而简单地说明半导体的：（1）电子；（2）空穴；（3）施主；（4）受主；（5）温度趋于0K时，施主对多数载流子电子的冻结；（6）温度趋于0K时，受主对多数载流子空穴的冻结；（7）在不同能带上载流子的能量分布（8）本征半导体；（9）n型半导体；（10）P型半导体；（11）非间并半导体；（12）间并半导体 （13）直接带隙半导体；（14）间接带隙半导体；例题3GaA的共价键模型如图，（1）图中描述了GaAs中Ga和As原子移动的价键模型， 图中阴影处的Ga和As表示是要移动的原子。提示：当把Ga和As 原子移走时，它们将带走其成键电子（2）重新画出GaA的共价键模型图，在图中有Si原子代替Ga和As原 子的空位（3）当Si原子代替Ga原子时，GaAs的掺杂是P型还是n 型，为什么？（4）当Si原子代替As原子时，GaAs的掺杂是P型还是n 型，为什么？ (5) 画出掺杂GaA的能带图，（a）Ga原子的位置由Si原子取代；（b）As原子的位置由Si原子取代第三章例题31有一n型半导体，除施主杂质浓度ND外，还含有少量的受主，其浓度为NA，求弱电离情况下电子浓度的表达式例题4 两块半导体材料A与B除了禁带宽度不同，其他参数完全相同。A的禁带宽度为1.0eV，B的禁带宽度为1.2eV。求T300K时两种材料的n的比值。 例5 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。 （1）设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。 （2）设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.61015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。 （3）在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.21015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。 （4）如温度升到500K，计算中电子和空穴的浓度（500K本征载流子浓度ni=4 1014cm-3 ）。第四章例题1 一块杂质补偿半导体中，受主杂质和施主杂质的浓度恰好相等。设杂质全部电离。求T300K时硅的电导率，杂质浓度分别为（a）(b)例2 特定半导体内存在三种散射机制。只存在一种散射机制时的迁移率为 ，只存在第二种散射机制时的迁移为 ，只存在第三种散射机制时的迁移率为 . 求总迁移率。霍尔效应T300K时，
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