国立中央大学补助博士班研究生出席国际会议报告.doc

附件六國立中央大學補助博士班研究生出席國際會議報告 95 年 05 月 29 日報告人姓名謝東坡系所及年級電機所博士班四年級會議期間及地點日本九州宮崎各院核定補助日期 95 年 05 月 25 日會議名稱(中文) 第十三屆國際有機金屬氣相磊晶會議(英文) 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy發表論文題目(中文) 利用有機金屬氣相磊晶在奈米平面上選擇性成長砷化銦量子點(英文) Spatially Controlled InGaAs Quantum Dots Grown on a Nano-plane by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy報告內容包括下列各項：（上傳至本校研發處.tw，俾利上網刊載）一、 參加會議經過第十三屆國際有機金屬氣相磊晶會議(ICMOVPE 2006)於2006年05月22日至05月26日(共五日)於日本九州宮崎盛大舉行，討論內容在可分為五個主題：磊晶成長之基礎研究、化合物半導體磊晶成長、尖端的奈米元件成長及製作、各式電子及光電元件之磊晶成長及製作以及大量生產與安全問題，本人所發表的論文屬於尖端的奈米元件成長及製作的一環。本次會議分為平行的兩個組別同時進行，有口頭及壁報論文共三百餘篇，所有出席會議皆為知名專家學者及研究團隊，台灣在上一次，只有5篇論文發表在此會議中，今年台灣地區共有29篇文章，可惜美中不足是大部分的文章都是壁報論文。我在5月22日抵達會場，辦理報到註冊手續領取會議論文集及會議資料，並先行閱讀會議論文，發現有許多不錯的論文，當天晚上隨即出席大會所舉辦的歡迎茶會，在茶會期間與多位知名學者寒暄聊天，交換名片及認識新的相關領域學者。我的論文被安排在5月25日星期二晚上，本論文的研究重點包括：1.選擇性成長單一短波長量子點並且擁有高光學特性的量子點 2.偵測並分析單一量子點的光學物理性質 3.實現特定量子點的光激發單光子源。雖然是壁報論文，但是對此領域有興趣的專家學者非常多，大約有十幾位學者來詢問，其中不乏德國柏林工業大學、司徒特加大學、日本東京大學、漢城首爾大學等等的教授學者，並對我們的研究感到驚訝，提出相關的問題，包括：1. 成長金字塔奈米結構的成長條件？2. 單光子的量測細節？3. 選擇性成長量子點與傳統量子點有何不同？4. 成長砷化銦量子點的成長條件？回答皆能讓大家滿意，並稱讚此研究的重要性，5月25日星期四晚上7:30參加由大會所安排的晚宴，除了一些精緻的佳餚外，另外有一些當地傳統的迎神跳舞表演及音樂演奏，並頒獎給委員會的委員當地傳統面具或布偶，其中包含我的指導教授綦振瀛教授，直到晚上09:30才結束。第五天參加最後半天研討會，中午會議正式結束。於5月27日早上搭乘全日空航空返台，於5月27日下午13:30返抵台灣。二、 與會心得由過去幾次參加會議的情況來比較，日本人的做事較為嚴謹，所辦的會議品質較好，一個會議可以辦的非常充實，可以從很多小細節看出，台灣在這個部分可能需要多加強，不論是會議的地點、過程及內容都有很多改善空間。國內之研討會應加強質的提升，這樣才更可促使國內的研究有長足的進步、達激發創新之效。另外，非常感謝學校及資電學院所提供的補助，使這次會議能夠順利的成行，謝謝。三、 建 議在奈米材料的領域內，各國皆突飛猛進，我們應利用現有資源，把相關量子點嶄新的元件做更新的研究，超越國際的水準，並替我們的學校多做一些貢獻，多發表一些論文，提高中央大學的知名度四、 攜回資料名稱及內容1. 第十三屆國際有機