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文档简介

1 3半控器件 晶闸管 引言 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来 开始被全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高 工作可靠 在大容量的场合具有重要地位 晶闸管 Thyristor 晶体闸流管 可控硅整流器 SiliconControlledRectifier SCR 1 1 3 1晶闸管的结构与工作原理 2 1 3 1晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装 有三个联接端 螺栓型封装 通常螺栓是其阳极 能与散热器紧密联接且安装方便 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间 3 1 3 1晶闸管的结构与工作原理 4 5 1 3 1晶闸管的结构与工作原理 在低发射极电流下 是很小的 而当发射极电流建立起来之后 迅速增大 阻断状态 IG 0 1 2很小 流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和 开通状态 注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致 1 2趋近于1的话 流过晶闸管的电流IA 将趋近于无穷大 实现饱和导通 IA实际由外电路决定 6 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du dt过高结温较高光触发光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中 称为光控晶闸管 LightTriggeredThyristor LTT 只有门极触发是最精确 迅速而可靠的控制手段 其他几种可能导通的情况 7 1 3 2晶闸管的基本特性 1 静态特性承受反向电压时 不论门极是否有触发电流 晶闸管都不会导通承受正向电压时 仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通晶闸管一旦导通 门极就失去控制作用要使晶闸管关断 只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 8 1 3 2晶闸管的基本特性 图1 8晶闸管的伏安特性IG2 IG1 IG 9 1 3 2晶闸管的基本特性 IG 0时 器件两端施加正向电压 正向阻断状态 只有很小的正向漏电流流过 正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo 则漏电流急剧增大 器件开通随着门极电流幅值的增大 正向转折电压降低导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿晶闸管本身的压降很小 在1V左右导通期间 如果门极电流为零 并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下 则晶闸管又回到正向阻断状态 IH称为维持电流 伏安特性图 10 1 3 2晶闸管的基本特性 2 动态特性 11 1 3 2晶闸管的基本特性 1 开通过程 特性图 延迟时间td 门极电流阶跃时刻开始 到阳极电流上升到稳态值的10 的时间 上升时间tr 阳极电流从10 上升到稳态值的90 所需的时间 开通时间tgt以上两者之和 tgt td tr 1 6 普通晶闸管延迟时间为0 5 1 5 s 上升时间为0 5 3 s 12 1 3 2晶闸管的基本特性 2 关断过程反向阻断恢复时间trr 正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间正向阻断恢复时间tgr 晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间 正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压 晶闸管会重新正向导通 实际应用中 应对晶闸管施加足够长时间的反向电压 使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力 电路才能可靠工作 关断时间tq trr与tgr之和 即tq trr tgr 1 7 普通晶闸管的关断时间约几百微秒 13 1 3 3晶闸管的主要参数 1 电压定额1 断态重复峰值电压UDRM 在门极断路而结温为额定值时 允许重复加在器件上的正向峰值电压 2 反向重复峰值电压URRM 在门极断路而结温为额定值时 允许重复加在器件上的反向峰值电压 3 通态 峰值 电压UTM 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压 通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压 选用时 额定电压要留有一定裕量 一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2 3倍 14 1 3 3晶闸管的主要参数 2 电流定额1 通态平均电流IT AV 额定电流 晶闸管在环境温度为40 C和规定的冷却状态下 稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值 使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管应留一定的裕量 一般取1 5 2倍 15 1 3 3晶闸管的主要参数 2 维持电流IH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流一般为几十到几百毫安 与结温有关 结温越高 则IH越小3 擎住电流IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后 能维持导通所需的最小电流对同一晶闸管来说 通常IL约为IH的2 4倍4 浪涌电流ITSM 指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 16 1 3 3晶闸管的主要参数 3 动态参数除开通时间tgt和关断时间tq外 还有 1 断态电压临界上升率du dt指在额定结温和门极开路的情况下 不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率在阻断的晶闸管两端施加的电压具有正向的上升率时 相当于一个电容的J2结会有充电电流流过 被称为位移电流 此电流流经J3结时 起到类似门极触发电流的作用 如果电压上升率过大 使充电电流足够大 就会使晶闸管误导通 17 1 3 3晶闸管的主要参数 2 通态电流临界上升率di dt 指在规定条件下 晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率 如果电流上升太快 则晶闸管刚一开通 便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内 从而造成局部过热而使晶闸管损坏 18 1 3 3晶闸管的主要参数 3 门极触发电流和门极触发电压在室温下 对晶闸管加上6V正向阳极电压时 使元件有断态转入通态所必须的最小门极电流为门极触发电流 相应的门极电压称为门极触发电压 若触发电流太小 则容易受干扰引起误触发 若触发电流太大 则会造成控制电路输出功率负担 因此规定最大最小触发电流 触发电压范围 19 20 1 3 4晶闸管的派生器件 有快速晶闸管和高频晶闸管 开关时间以及du dt和di dt耐量都有明显改善 普通晶闸管关断时间数百微秒 快速晶闸管数十微秒 高频晶闸管10 s左右 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高 由于工作频率较高 不能忽略其开关损耗的发热效应 1 快速晶闸管 FastSwitchingThyristor FST 21 2 双向晶闸管 TriodeACSwitch TRIAC或Bidirectionaltriodethyristor 图1 10双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a 电气图形符号b 伏安特性 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成 有两个主电极T1和T2 一个门极G 在第 和第III象限有对称的伏安特性 不用平均值而用有效值来表示其额定电流值 22 逆导晶闸管 ReverseConductingThyristor RCT a K G A 图1 11逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a 电气图形符号b 伏安特性 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件 具有正向压降小 关断时间短 高温特性好 额定结温高等优点 23 光控晶闸管 LightTriggeredThyristor LTT A G K a AK 图1 12光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a

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